一种线阵探测器探测模组制造技术

本发明专利技术提供一种线阵探测器探测模组，包括第一闪烁体层；第一非晶硅光电二极管阵列，贴置于第一闪烁体层一表面，包括第一玻璃基底和第一非晶硅光电二极管单元；第二闪烁体层；第二非晶硅光电二极管阵列，贴置于第二闪烁体层一表面，包括第二玻璃基底和第二非晶硅光电二极管单元；固定柱，穿过第一玻璃基底和第二玻璃基底，用于将低能探测器和高能探测器固定于探测主板上，第一、第二非晶硅光电二极管单元分别通过柔性电路板电连至探测主板。本发明专利技术是基于非晶硅光电二极管的线阵探测器探测模组，光电二极管可集成于一块玻璃基底上，避免拼接连接处产生坏点影响图像质量的问题，另外，通过固定柱将双能探测器固定在探测主板上，提高了结构的稳定性。

A Linear Array Detector Detection Module

The invention provides a linear array detector detection module, including a first scintillator layer; a first amorphous silicon photodiode array, which is attached to a surface of the first scintillator layer, including a first glass substrate and a first amorphous silicon photodiode unit; a second scintillator layer; a second amorphous silicon photodiode array, which is attached to a surface of the second scintillator layer, including a second glass substrate and a second amorphous silicon photodiode unit. The second amorphous silicon photodiode unit is a fixed column which passes through the first glass substrate and the second glass substrate to fix the low-energy detector and the high-energy detector on the detection motherboard. The first and second amorphous silicon photodiode units are electrically connected to the detection motherboard through flexible circuit boards, respectively. The invention is based on a linear array detector detection module of amorphous silicon photodiode. The photodiode can be integrated on a glass substrate to avoid the problem of bad points affecting image quality at the splicing joint. In addition, the dual-energy detector is fixed on the detection motherboard by a fixed column to improve the stability of the structure.

【技术实现步骤摘要】
一种线阵探测器探测模组
本专利技术属于数字化电子
，涉及一种线阵探测器探测模组，特别是涉及一种基于非晶硅光电二极管的线阵探测器探测模组。
技术介绍
在目前的安检机、线阵探测器领域，市面上所采用的解决方案基本上都是基于单晶硅光电二极管的探测器探测模组，探测模组由高能探测器和低能探测器两组组成，低能探测器在前高能探测器在后，低能探测器布置在靠近被检测物体的一侧，衰减后的X射线首先被低能探测器探测到，随后经过一过滤片过滤，进一步吸收X射线能谱中的低能部分，剩下的高能信号在高能探测器上响应。如图1和图2所示为现有常规的线阵探测器探测模组的结构示意图。X射线首先进入低能闪烁体阵列11A并在其中沉积能量释放出可见光，低能单晶硅光电二极管阵列12A将可见光信号转换成电信号。没有和低能闪烁体阵列11A作用的X射线穿过过滤片13A进一步减少X射线能谱中的低能部分，之后X射线在高能闪烁体阵列14A内部被全吸收，所释放出的可见光在高能单晶硅光电二极管阵列15A中被转换成电信号。这里低能闪烁体阵列11A和低能单晶硅光电二极管阵列12A组成低能探测器，高能闪烁体阵列14A和高能单晶硅光电二极管阵列15A本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种线阵探测器探测模组，其特征在于，所述线阵探测器探测模组至少包括：第一闪烁体层，用于将低能射线转换成可见光；第一非晶硅光电二极管阵列，贴置于所述第一闪烁体层一表面，用于吸收所述第一闪烁体层转换的可见光并将其转换成电信号，所述第一非晶硅光电二极管阵列包括第一玻璃基底和制备于所述第一玻璃基底表面的若干个呈阵列排布的第一非晶硅光电二极管单元，所述第一闪烁体层和所述第一非晶硅光电二极管阵列构成低能探测器；第二闪烁体层，位于所述低能探测器远离射线源的一侧，所述第二闪烁体层用于将高能射线转换成可见光；第二非晶硅光电二极管阵列，贴置于所述第二闪烁体层一表面，用于吸收所述第二闪烁体层转换的可见光并将其转...

【技术特征摘要】
1.一种线阵探测器探测模组，其特征在于，所述线阵探测器探测模组至少包括：第一闪烁体层，用于将低能射线转换成可见光；第一非晶硅光电二极管阵列，贴置于所述第一闪烁体层一表面，用于吸收所述第一闪烁体层转换的可见光并将其转换成电信号，所述第一非晶硅光电二极管阵列包括第一玻璃基底和制备于所述第一玻璃基底表面的若干个呈阵列排布的第一非晶硅光电二极管单元，所述第一闪烁体层和所述第一非晶硅光电二极管阵列构成低能探测器；第二闪烁体层，位于所述低能探测器远离射线源的一侧，所述第二闪烁体层用于将高能射线转换成可见光；第二非晶硅光电二极管阵列，贴置于所述第二闪烁体层一表面，用于吸收所述第二闪烁体层转换的可见光并将其转换成电信号，所述第二非晶硅光电二极管阵列包括第二玻璃基底和制备于所述第二玻璃基底表面的若干个呈阵列排布的第二非晶硅光电二极管单元，所述第二闪烁体层和所述第二非晶硅光电二极管阵列构成高能探测器；固定柱，穿过所述第一玻璃基底和所述第二玻璃基底，用于将所述低能探测器和所述高能探测器固定于探测主板上。2.根据权利要求1所述的线阵探测器探测模组，其特征在于：所述固定柱包括六角铜柱。3.根据权利要求1所述的线阵探测器探测模组，其特征在...

【专利技术属性】
技术研发人员：谭江，方志强，林言成，崔亚辉，
申请(专利权)人：上海奕瑞光电子科技股份有限公司，
类型：发明
国别省市：上海,31