一种带凹坑的波导低通谐波抑制器制造技术

本实用新型专利技术公开了一种带凹坑的波导低通谐波抑制器，包括谐振腔，输入输出波导和横向2排或以上，纵向2列或以上的只在底部与所述谐振腔连接的金属柱A；在所述谐振腔的顶部与所述金属柱A对应设置有一个金属凹坑，所述金属柱A为矩形体，与所述金属柱A对应有两根矩形金属柱B，所述金属柱A嵌入与之对应的两根所述矩形金属柱B之间。上述设计可以在不减小对应的金属柱A和金属柱B之间的间隙，因而不显著降低器件的功率容量的条件下，有效地增大对应的金属柱A和金属柱B之间的电容，从而加深滤波器的阻带抑制深度并展开滤波器的阻带带宽。可以广泛应用于雷达、导弹制导和各种那个移动通信系统中。

【技术实现步骤摘要】
一种带凹坑的波导低通谐波抑制器
本技术涉及一种微波器件,具体地说，是涉及一类紧凑型高功率谐波抑制滤波器。
技术介绍
由于电磁兼容国际国内标准实施的日益强化，通信和军事电子系统的谐波抑制日益成为一个关键技术问题。华夫模(WaffleIron)波导低通滤波器具有低插损、高功率容量和宽阻带特性，是大功率通信系统和中远程雷达中谐波抑制的主要选择。传统的华夫模波导低通滤波器由上下对称的沿横向和纵向周期排列的金属柱阵列构成。为了加深其谐波抑制深度和展宽其阻带宽度，需要减小上下对应的金属柱之间的间隙，从而导致滤波器的功率容量的急剧下降。
技术实现思路
本技术的目的在于提供一种紧凑型一种带凹坑的波导低通谐波抑制器，在加深其阻带抑制深度、展宽其阻带带宽的同时，提高谐波抑制滤波器的功率容量。为了实现上述目的，本技术采用的技术方案为：一种带凹坑的波导低通谐波抑制器，包括谐振腔，输入输出波导和横向2排或以上，纵向2列或以上的只在底部与所述谐振腔连接的金属柱A；在所述谐振腔的顶部与所述金属柱A对应设置有一个金属凹坑，所述金属柱A为矩形体，与所述金属柱A对应有两根矩形金属柱B，所述金属柱A嵌入所述与之对应的两根所述矩形本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种带凹坑的波导低通谐波抑制器，其特征在于，包括谐振腔(1)，输入输出波导(5)和横向2排或以上，纵向2列或以上的只在底部与所述谐振腔(1)连接的金属柱A(2)；在所述谐振腔(1)的顶部与所述金属柱A(2)对应设置有一个金属凹坑(4)，所述金属柱A(2)为矩形体，与所述金属柱A(2)对应有两根矩形金属柱B(3)，所述金属柱A(2)嵌入所述与之对应的两根所述矩形金属柱B(3)之间。

【技术特征摘要】
1.一种带凹坑的波导低通谐波抑制器，其特征在于，包括谐振腔(1)，输入输出波导(5)和横向2排或以上，纵向2列或以上的只在底部与所述谐振腔(1)连接的金属柱A(2)；在所述谐振腔(1)的顶部与所述金属柱A(2)对应设置有一个金属凹坑(4)，所述金属柱A(2)为矩形体，与所述金属柱A(2)对应有两根矩形金属柱B(3)，所述金属柱A(2)嵌入所述与之对应的两根所述矩形金属柱B(3)之间。2.根据权利要求1所述...

【专利技术属性】
技术研发人员：陈又鲜，王清源，徐立，刘亮元，
申请(专利权)人：电子科技大学中山学院，
类型：新型
国别省市：广东,44