【技术实现步骤摘要】
埋入式芯片
本申请涉及芯片封装
,特别涉及一种埋入式芯片。
技术介绍
随着电子产品高频高速需求的发展,传统的打线封装和倒装封装互联方式难以满足高频高速信号传输的需求,因此越来越多芯片采用基板内埋入或者晶圆级的扇出工艺实现裸芯片封装,减小封装互联尺寸而实现芯片高频高速传输对信号完整性的需求。但现有技术的埋入式封装方案难以实现高散热芯片的需求。
技术实现思路
本申请主要解决的技术问题是提供一种埋入式芯片,能够提高芯片的散热效果,从而实现各种芯片的散热需求。为解决上述技术问题,本申请采用的一个技术方案是:提供一种埋入式芯片,埋入式芯片包括:金属基底;金属层,设置在金属基底上,金属层内形成凹槽;芯片,设置在金属基底上,并位于凹槽中,芯片包括远离金属基底的第一芯片表面,在第一芯片表面上设置有连接端子;介质层,设置在芯片的第一芯片表面上;引出端子,与芯片的连接端子电连接,以将连接端子扇出。本申请通过将芯片设置在金属基底上,并位于金属层的凹槽中,使得芯片的多个面被金属材质包围,例如芯片包括六个面,则其五个面,包括与金属基底接触的表面以及与金属层相邻的四个侧面均被金属材质包围,由于 ...
【技术保护点】
1.一种埋入式芯片,其特征在于,所述埋入式芯片包括:金属基底;金属层,设置在所述金属基底上,所述金属层内形成凹槽;芯片,设置在所述金属基底上,并位于所述凹槽中,所述芯片包括远离所述金属基底的第一芯片表面,在所述第一芯片表面上设置有连接端子;介质层,设置在所述芯片的所述第一芯片表面上;引出端子,与所述芯片的连接端子电连接,以将所述连接端子扇出。
【技术特征摘要】
1.一种埋入式芯片,其特征在于,所述埋入式芯片包括:金属基底;金属层,设置在所述金属基底上,所述金属层内形成凹槽;芯片,设置在所述金属基底上,并位于所述凹槽中,所述芯片包括远离所述金属基底的第一芯片表面,在所述第一芯片表面上设置有连接端子;介质层,设置在所述芯片的所述第一芯片表面上;引出端子,与所述芯片的连接端子电连接,以将所述连接端子扇出。2.根据权利要求1所述的埋入式芯片,其特征在于,所述金属层的厚度等于或大于所述芯片的厚度。3.根据权利要求2所述的埋入式芯片,其特征在于,所述金属层的厚度范围为50微米-300微米,所述金属层的厚度比所述芯片的厚度大15-20微米。4.根据权利要求1所述的埋入式芯片,其特征在于,所述凹槽的宽度大于或等于所述芯片的宽度。5.根据权利要求1所述的埋入式芯片,其特征在于,所述芯片进一步包括与所述第一芯片表面相对设置的第二芯片表面;在所述金属基底位于所述凹槽的位置设置粘结胶,所述第二芯片表...
【专利技术属性】
技术研发人员:谷新,
申请(专利权)人:深南电路股份有限公司,
类型:新型
国别省市:广东,44
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