【技术实现步骤摘要】
铜清洗剂
本专利技术涉及一种铜清洗剂,尤其涉及一种可去除高分子复合产物的铜清洗剂。
技术介绍
既有大尺寸TFT-LCD显示器普遍应用铜制程工艺,当前在4道光罩技术中,背沟道蚀刻时,易受到一些铜、光阻及干蚀刻气体结合生成的高分子副产物影响,导致金属表面变色或电性偏移。一般清洗制程,使用超纯水或去离子水,对于高分子副产物去除能力有限。目前,有应用光阻剥离剂进行清洗,但无法根本解决金属表面污染问题。为了解决现有技术所存在的问题,亟需一种铜清洗剂,可去除铜与光阻及干蚀刻气体结合生成复合产物,以提升产品良率。
技术实现思路
基于上述,本专利技术的目的在于提供了一种铜清洗剂,可去除铜与光阻及干蚀刻气体结合生成复合产物,达到提升产品良率的目的。为了实现上述目的,本专利技术提供一种铜清洗剂,以所述铜清洗剂为100重量份为基础,包括:40~65重量份的去离子水;25~35重量份的丙酮缩甘油;0.001~2重量份的表面活性剂;以及0.01~2重量份的缓蚀剂。依据本专利技术的一实施例,所述的铜清洗剂,其pH值为8~10。依据本专利技术的一实施例,所述表面活性剂包括一酰胺类化合物,所述酰胺类化合物包括但不限于下列至少一者:乙二醇酰胺、单乙醇酰胺、以及聚氧乙烯烷醇酰胺。依据本专利技术的一实施例,所述表面活性剂包括一季铵盐类化合物,所述季铵盐类化合物包括但不限于下列至少一者:氯化苄基三乙基铵、硫酸氢丁四基铵、十二烷基三甲基氯化铵、十二烷基二甲基苄基氯化铵、十八烷基二甲基羟乙基硫酸铵、以及十八烷基二甲基羟乙基过氯酸铵。依据本专利技术的一实施例,所述缓蚀剂包括一唑类化合物,所述唑类化合物包括 ...
【技术保护点】
1.一种铜清洗剂,以所述铜清洗剂为100重量份为基础,包括:40~65重量份的去离子水;25~35重量份的丙酮缩甘油;0.001~2重量份的表面活性剂;以及0.01~2重量份的缓蚀剂。
【技术特征摘要】
1.一种铜清洗剂,以所述铜清洗剂为100重量份为基础,包括:40~65重量份的去离子水;25~35重量份的丙酮缩甘油;0.001~2重量份的表面活性剂;以及0.01~2重量份的缓蚀剂。2.根据权利要求1所述的铜清洗剂,其pH值为8~10。3.根据权利要求1所述的铜清洗剂,其中所述表面活性剂包括一酰胺类化合物。4.根据权利要求1所述的铜清洗剂,其中所述表面活性剂包括下列至少一者:乙二醇酰胺、单乙醇酰胺、以及聚氧乙烯烷醇酰胺。5.根据权利要求1所述的铜清洗剂,其中所述表面活性剂包括一季铵盐类化合物。6.根据权利要求1所述的铜清洗剂,其中所述表面活性剂包括下列至少一者:氯化苄基三乙基铵、硫酸氢丁四基铵、十二烷基三甲基氯化铵、十二烷基二甲基苄基氯化铵、十八烷基二甲基羟乙基硫酸铵、以及十...
【专利技术属性】
技术研发人员:李金城,吴豪旭,
申请(专利权)人:深圳市华星光电技术有限公司,
类型:发明
国别省市:广东,44
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