半导体装置制造方法及图纸

提供一种半导体装置，具备晶体管部和二极管部，晶体管部具有：第一导电型的漂移区，形成在半导体基板的内部；第二导电型的基区，在半导体基板的内部设置在漂移区的上方；以及第二导电型的集电区，在半导体基板的内部设置在漂移区的下方，半导体装置具有第二导电型的阱区，所述第二导电型的阱区在半导体基板的内部，设置到比基区靠下方的位置为止，半导体装置在阱区的下方的至少一部分区域，具有单位面积的第二导电型的载流子注入量比集电区小的注入量限制部。

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】半导体装置
本专利技术涉及半导体装置。
技术介绍
已知具有多个单元阵列的功率IGBT(绝缘栅双极型晶体管)。在单元密度比其他单元阵列区低的单元阵列区中，被注入的空穴(hole)难以通过源电极而去除。由此，空穴的电流密度变高，会成为闩锁动作的原因。因此，已知使低密度的单元阵列区中的基板的背面侧的P型的掺杂浓度比其他单元阵列区中的基板的背面侧的P型的掺杂浓度低，或向低密度的单元阵列区中的基板的背面侧掺入N型的掺杂剂而防止闩锁的技术(例如，参照专利文献1)。现有技术文献专利文献专利文献1：日本特开2012-182470号公报
技术实现思路
技术问题在具备比晶体管部的基区深的阱区的半导体装置中，在设置深的阱区的部分的耐压变低。特别地，在像反向导通型绝缘栅双极型晶体管(RC-IGBT)那样具有晶体管部和二极管部的半导体装置中，设置深的阱区的部分与高耐压的二极管部之间的耐压差变大。因此，为了提高整个半导体装置的耐压，期望提高在设置深的阱区的部分的耐压。技术方案在本专利技术的第一形态中，提供具备晶体管部和二极管部的半导体装置。晶体管部可以具有第一导电型的漂移区、第二导电型的基区和第二导电型的集电区。漂本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种半导体装置，其特征在于，所述半导体装置具备晶体管部和二极管部，所述晶体管部具有：第一导电型的漂移区，形成在半导体基板的内部；第二导电型的基区，在所述半导体基板的内部设置在所述漂移区的上方；以及第二导电型的集电区，在所述半导体基板的内部设置在所述漂移区的下方，所述半导体装置具有第二导电型的阱区，所述第二导电型的阱区在所述半导体基板的内部，设置到比所述基区靠下方的位置为止，所述半导体装置在所述阱区的下方的至少一部分区域具有注入量限制部，所述注入量限制部的单位面积的第二导电型的载流子注入量比所述集电区的单位面积的第二导电型的载流子注入量小。

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】2017.02.24 JP 2017-0338151.一种半导体装置，其特征在于，所述半导体装置具备晶体管部和二极管部，所述晶体管部具有：第一导电型的漂移区，形成在半导体基板的内部；第二导电型的基区，在所述半导体基板的内部设置在所述漂移区的上方；以及第二导电型的集电区，在所述半导体基板的内部设置在所述漂移区的下方，所述半导体装置具有第二导电型的阱区，所述第二导电型的阱区在所述半导体基板的内部，设置到比所述基区靠下方的位置为止，所述半导体装置在所述阱区的下方的至少一部分区域具有注入量限制部，所述注入量限制部的单位面积的第二导电型的载流子注入量比所述集电区的单位面积的第二导电型的载流子注入量小。2.根据权利要求1所述的半导体装置，其特征在于，所述晶体管部包括绝缘栅双极晶体管，所述二极管部包括与所述绝缘栅双极晶体管电连接的续流二极管。3.根据权利要求1或2所述的半导体装置，其特征在于，所述半导体装置具有与所述晶体管部或所述二极管部邻接的信号焊盘区，所述信号焊盘区具有：绝缘膜，形成在所述半导体基板的正面；以及导电部，形成在所述绝缘膜上，所述阱区设置在所述导电部的下方。4.根据权利要求1～3中任一项所述的...

【专利技术属性】
技术研发人员：松井俊之，
申请(专利权)人：富士电机株式会社，
类型：发明
国别省市：日本,JP