逆导型绝缘栅双极型晶体管、智能功率模块和空调器制造技术

本实用新型专利技术提出了逆导型绝缘栅双极型晶体管、智能功率模块和空调器。逆导型绝缘栅双极型晶体管包括：漂移区；P阱区，设置在漂移区的一侧；N

【技术实现步骤摘要】
逆导型绝缘栅双极型晶体管、智能功率模块和空调器
本技术涉及半导体
，具体的，本技术涉及逆导型绝缘栅双极型晶体管、智能功率模块和空调器。
技术介绍
目前，绝缘栅双极型晶体管(InsulatedGateBipolarTransistor，简称IGBT)是由双极型三极管(BJT)和绝缘栅型场效应管(MOSFET)组成的复合全控型电压驱动式功率半导体器件，兼有MOSFET器件的高输入阻抗和电力晶体管(即巨型晶体管，简称GTR)的低导通压降两方面的优点，由于IGBT具有驱动功率小而饱和压降低的优点，所以IGBT作为一种新型的电力电子器件被广泛应用到各个领域。而IGBT一般需与一个二极管反并联使用，这就会使得开关器件面积较大。所以，为减小开关器件面积，人们开发了一种逆导型IGBT，其将IGBT和二极管设计在同一芯片上，从而可减小开关器件的大小。但是，逆导型IGBT虽减小了开关器件的面积，可是会带来开通时间较长、开通能量损耗较高的新问题。
技术实现思路
本技术是基于专利技术人的下列发现而完成的：专利技术人在研究过程中发现，现有的逆导型绝缘栅双极型晶体管，引入N+型集电极而减小了P+集电极的区域大小(本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种逆导型绝缘栅双极型晶体管，其特征在于，包括：漂移区；P阱区，所述P阱区设置在所述漂移区的一侧；N+发射极，所述N+发射极设置在所述P阱区远离所述漂移区的一侧；两个沟槽，每个所述沟槽开设在所述N+发射极、所述P阱区和所述漂移区内，且贯穿所述N+发射极和所述P阱区；沟槽氧化层，所述沟槽氧化层设置在所述两个沟槽中，且覆盖每个所述沟槽的表面；两个多晶硅栅极，每个所述多晶硅栅极填充在所述沟槽氧化层远离所述漂移区的一侧；集电极层，所述集电极层设置在所述漂移区远离所述P阱区的一侧，并且，所述集电极层包括在第一方向上相间排布的多个P+集电极和多个N+集电极；其中，形成所述P+集电极的材料的带隙宽度宽于...

【技术特征摘要】
1.一种逆导型绝缘栅双极型晶体管，其特征在于，包括：漂移区；P阱区，所述P阱区设置在所述漂移区的一侧；N+发射极，所述N+发射极设置在所述P阱区远离所述漂移区的一侧；两个沟槽，每个所述沟槽开设在所述N+发射极、所述P阱区和所述漂移区内，且贯穿所述N+发射极和所述P阱区；沟槽氧化层，所述沟槽氧化层设置在所述两个沟槽中，且覆盖每个所述沟槽的表面；两个多晶硅栅极，每个所述多晶硅栅极填充在所述沟槽氧化层远离所述漂移区的一侧；集电极层，所述集电极层设置在所述漂移区远离所述P阱区的一侧，并且，所述集电极层包括在第一方向上相间排布的多个P+集电极和多个N+集电极；其中，形成所述P+集电极的材料的带隙宽度宽于形成所述漂移区的半导体材料的带隙宽度。2.根据权利要求1所述的逆导型绝缘栅双极型晶体管，其特征在于，形成所述P+集电极的半导体材料包括碳化硅，形成所述漂移区的半导体材料包括硅。3.根据权利要求1所述的逆导型绝缘栅双极型晶体管，其特征在于，形成所述N+集电极的半导体材料的带隙宽度窄于形成所述漂移区的半导体材料的带隙宽度。4.根据权利要求1所述的逆导型绝缘栅双极型晶体管，其特征在于，形成所述N+集电极的半导体材料包括锗，形成所述漂移区的半导体材料包括硅。5.根据权利要求1所述的逆导型绝缘栅双极型晶体管...

【专利技术属性】
技术研发人员：冯宇翔，甘弟，
申请(专利权)人：广东美的制冷设备有限公司，美的集团股份有限公司，
类型：新型
国别省市：广东,44