用于生产包括多个氮化镓二极管的光电设备的方法技术

一种制造光电设备的方法，包括以下连续步骤：a)将包括相反导电类型的至少第一掺杂半导体层(153)和第二掺杂半导体层(157)的有源二极管堆叠(150)转移到包括多个金属连接焊盘(113)的控制集成电路(110)的表面上，使得堆叠的第二层(157)被电连接到所述控制电路(110)的金属焊盘(113)；和b)在有源堆叠(150)中形成沟槽(170)，其界定了被连接到所述控制电路(110)的不同金属焊盘(113)的多个二极管(172)。

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】用于生产包括多个氮化镓二极管的光电设备的方法
本申请涉及光电设备领域。更特别地，本申请涉及制造包括多个氮化镓二极管和用于控制这些二极管的电子电路的光电设备的方法。
技术介绍
一种发射显示设备，包括氮化镓发光二极管(LED)的组件和能够单独控制LED以便显示图像的控制电路。为了形成这种设备，可以提供以单独制造控制电路和LED组件，并且然后将它们彼此连接以获得显示设备。控制电路可以被集成在半导体基板(例如硅基板)的内部和顶部。作为示例，控制电路以CMOS技术制造。在其一个表面的一侧上，控制电路可以包括多个金属焊盘(pad)，每个焊盘旨在连接到来自LED组件的LED的电极，以能够单独控制LED。例如，LED组件被单片地形成在支撑基板上，并且然后转移到控制电路上，使得每个LED具有连接到控制电路的金属焊盘之一的电极(阳极或阴极)。这种制造方法的缺点是需要在组装两个元件的步骤期间将控制电路和LED组件精确地对准，使得每个LED被有效地定位在控制电路中与其对应的金属焊盘上。当像素间距减小时，这种对准特别难以实现，并且是分辨率和/或像素集成密度的增加的障碍。形成包括氮化镓LED组件和用于控制这些L本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种制造光电设备的方法，包括以下连续步骤：a)将包括相反导电类型的至少第一掺杂半导体层(153)和第二掺杂半导体层(157)的有源二极管堆叠(150)转移到包括多个金属连接焊盘(113)的控制集成电路(110)的表面上，使得堆叠的第二层(157)被电连接到所述控制电路(110)的金属焊盘(113)；和b)在有源堆叠(150)中形成沟槽(170)，其界定了被连接到所述控制电路(110)的不同金属焊盘(113)的多个二极管(172)。

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】1.一种制造光电设备的方法，包括以下连续步骤：a)将包括相反导电类型的至少第一掺杂半导体层(153)和第二掺杂半导体层(157)的有源二极管堆叠(150)转移到包括多个金属连接焊盘(113)的控制集成电路(110)的表面上，使得堆叠的第二层(157)被电连接到所述控制电路(110)的金属焊盘(113)；和b)在有源堆叠(150)中形成沟槽(170)，其界定了被连接到所述控制电路(110)的不同金属焊盘(113)的多个二极管(172)。2.根据权利要求1所述的方法，还包括在步骤a)之前的以下步骤中的至少一个：将至少一个第一金属层(116)沉积在所述金属焊盘(113)一侧上的控制电路(110)的基本整个表面上的步骤；和将至少一个第二金属层(159)沉积在与第一半导体层(153)相对的第二半导体层(157)的基本整个表面上的步骤。3.根据权利要求2所述的方法，其中所述第一金属层(116)和所述第二金属层(159)中的至少一个包括银反射层。4.根据权利要求2或3所述的方法，其中所述第一金属层(116)和所述第二金属层(159)中的至少一个包括由TaN、TiN、WN、TiW或这些材料的一个或多个的组合制成的阻挡层。5.根据权利要求2至4中任一项所述的方法，其中所述第一金属层(116)和所述第二金属层(159)中的至少一个包括由以下制成的键合层：Ti、Ni、Pt、Sn、Au、Ag、Al、Pd、W，Pb、Cu、AuSn、TiSn、NiSn、或这些材料的全部或部分的合金。6.根据权利要求2至5中任一项所述的方法，其中在步骤b)形成的沟槽(170)全部沿着有源堆叠(150)的高度并横穿所述第一金属层(116)和所述第二金属层(159)而延伸。7.根据权利要求1至6中任一项所述的方法，其中在步骤a...

【专利技术属性】
技术研发人员：弗朗索瓦·坦普勒，拉明·贝奈萨，马克·拉巴罗，
申请(专利权)人：原子能与替代能源委员会，泰勒斯公司，
类型：发明
国别省市：法国,FR