半导体装置制造方法及图纸

在绝缘基板(1)之上设置有第1及第2电路图案(5、6)。在第1电路图案(5)之上设置有第1及第2半导体芯片(7、8)。在绝缘基板(1)之上，在第1半导体芯片(7)与第2半导体芯片(8)之间设置有中继电路图案(10)。导线(11)连续地连接至沿一个方向依次排列的第1半导体芯片(7)、中继电路图案(10)、第2半导体芯片(8)及第2电路图案(6)。

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】半导体装置
本专利技术涉及半导体装置。
技术介绍
高可靠性半导体装置的封装尺寸、芯片尺寸均在推进小型化，搭载的半导体芯片的集成度也不断升高。半导体芯片在通电时发热，因此将半导体芯片彼此连接的导线接合部的热疲劳决定半导体装置的寿命。存在如下担心，即，半导体芯片彼此的发热干涉而引起温度上升，与半导体芯片连接的导线的温度也上升，使半导体装置的寿命降低。对此，提出在相对的半导体芯片之间设置有中继电路图案的半导体装置(例如，参照专利文献1)。专利文献1：日本特开2013－21107号公报
技术实现思路
但是，由于通过导线分别将相对的半导体芯片和中继电路图案连接，因此中继电路图案处的导线键合部位变成两个。与其相应地需要导线键合空间，无法将半导体芯片搭载区域扩大。另外，从中继电路图案起向相对的半导体芯片的导线键合的方向是相反的，因此在制造工艺时会耗费改变方向的时间，生产率降低。另外，将从中继电路图案(例如，参照专利文献1的发射极配线106)获取信号的电极(例如，参照专利文献1的发射极电极接合部201e)配置在相对的半导体芯片彼此之间。如果要避开该电极，则导线键合工具的角度变得复杂，因此难以将导线连续地本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种半导体装置，其特征在于，具有：绝缘基板；第1及第2电路图案，其设置在所述绝缘基板之上；第1及第2半导体芯片，其设置在所述第1电路图案之上；中继电路图案，其在所述绝缘基板之上，设置在所述第1半导体芯片与所述第2半导体芯片之间；以及导线，其连续地连接至沿一个方向依次排列的所述第1半导体芯片、所述中继电路图案、所述第2半导体芯片及所述第2电路图案。

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】1.一种半导体装置，其特征在于，具有：绝缘基板；第1及第2电路图案，其设置在所述绝缘基板之上；第1及第2半导体芯片，其设置在所述第1电路图案之上；中继电路图案，其在所述绝缘基板之上，设置在所述第1半导体芯片与所述第2半导体芯片之间；以及导线，其连续地连接至沿一个方向依次排列的所述第1半导体芯片、所述中继电路图案、所述第2半导体芯片及所述第2电路图案。2.根据权利要求1所述的半导体装置，其特征在于，所述第1及第2半导体芯片分别设置有多个，所述中继电路图案与多个所述第1及第2半导体芯片的上表面电极电连接，使多...

【专利技术属性】
技术研发人员：林田幸昌，津田亮，伊达龙太郎，
申请(专利权)人：三菱电机株式会社，
类型：发明
国别省市：日本,JP