一种片式天线及其制备方法技术

技术编号:20753171 阅读:48 留言:0更新日期:2019-04-03 11:51
本发明专利技术属于天线技术领域,公开了一种片式天线,包括陶瓷基座和金属线路层,陶瓷基座为多层结构,包括至少一层陶瓷支撑层和至少一层界面结合层;金属线路层为一层或多层结构,其附于所述的陶瓷基座的外表面和过孔位置。本发明专利技术还公开了该片式天线的其制备方法。该片式天线以陶瓷作为天线的基座材料,具有优良的力学性能和耐温性能,界面结合层只有1~3um,该厚度可以限制金属线路下表面的表面粗糙度范围,从而确保天线在高频频段能够保持优良的射频性能。

【技术实现步骤摘要】
一种片式天线及其制备方法
本专利技术属于天线
,涉及一种片式天线及其制备方法。
技术介绍
片式天线在电气工程和微电子领域有着广泛的应用。目前,片式天线的工作频率越来越向高频拓展,但由于趋肤效应的存在,天线对表面金属层提出更高要求,具体而言,需要表面金属层与下面基座的界面越来越光滑,而且与此同时,还需保证界面结合力。从已有的制备工艺来看,还有不足之处,具体而言如下:例如采用FPC工艺来制备高频天线,人们选用低表面粗糙度的铜箔来作为高频天线的金属层。但下表面粗糙度在1~3um范围的铜箔不仅成本极其高昂,而且与FPC基材的界面结合力不可避免的发生一定程度的下降。如果用来制备天线,会导致产品的可靠性太差,目前该类FPC产品大部分仅仅处于研究阶段,鲜有大规模应用的案例。再例如采用LDS工艺来制备天线,适合LDS工艺的塑料种类有限,而且在经激光镭射后,塑料表面粗糙度很难达到3um以下,一般而言,Ra值均要超过5um,这就决定了该技术其实更适合制备低频天线,而不适合制备高频天线。
技术实现思路
为了解决上述技术问题,本专利技术提供了一种片式天线及其制备方法,该片式天线的工作频率适合于高频,具体而本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种片式天线,其特征在于,包括陶瓷基座和金属线路层;其中,所述的陶瓷基座为多层结构,包括至少一层陶瓷支撑层和至少一层界面结合层;所述的金属线路层为一层或多层结构,其附于所述的陶瓷基座的外表面和过孔位置。

【技术特征摘要】
1.一种片式天线,其特征在于,包括陶瓷基座和金属线路层;其中,所述的陶瓷基座为多层结构,包括至少一层陶瓷支撑层和至少一层界面结合层;所述的金属线路层为一层或多层结构,其附于所述的陶瓷基座的外表面和过孔位置。2.根据权利要求1所述的片式天线,其特征在于,所述的陶瓷支撑层的材质为氧化铝、氧化锆、氧化镁、氧化钙、氧化锶、氧化钡、氧化钇、氧化铈、氧化钪、氧化硅、氧化锌、氧化镧、氧化钛、碳化硅、氮化铝或硅酸铝中的一种或几种。3.根据权利要求2所述的片式天线,其特征在于,所述的界面结合层包括主体材质和活性材质,所述的主体材质为氧化铝、氧化锆、氧化镁、氧化钙、氧化锶、氧化钡、氧化钇、氧化铈、氧化钪、氧化硅、氧化锌、氧化镧、氧化钛、碳化硅、氮化铝或硅酸铝中的一种或几种,所述的活性材质为氧化镍、氧化铜、氧化铬、氧化铁、氧化钴、钨、钼或铂中的一种或几种。4.根据权利要求3所述的片式天线,其特征在于,所述的陶瓷支撑层的材质与所述的主体材质相同。5.根据权利要求2所述的片式天线,其特征在于,所述的金属线路层的材质为钨、钼、铂、铜、银、钯、金、镍、钴、铁、铝或铬中的一种或几种。6.根据权利要求1所述的片式天线,其特征在于,所述的陶瓷支撑层的厚度为100um~10mm,优选为150um~5mm。7.根据权利要求1所述的片式...

【专利技术属性】
技术研发人员:吴昊
申请(专利权)人:上海安费诺永亿通讯电子有限公司
类型:发明
国别省市:上海,31

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