基板处理装置制造方法及图纸

本实用新型专利技术涉及一种基板处理装置，基板处理装置包括：输入部，其用于输入针对基板的特性数据；研磨部，其根据由特性数据决定的研磨因素对基板进行研磨；监控部，其对基板的厚度信息进行监控；因素调节部，其以与基板的厚度信息相对应的形式对研磨因素进行调节，据此，可以获得如下有利效果：准确地对基板的研磨厚度进行控制，使得研磨效率提高。

Substrate Processing Unit

The utility model relates to a substrate processing device, which comprises an input unit for inputting characteristic data for the substrate, a grinding unit for grinding the substrate according to the grinding factors determined by the characteristic data, a monitoring unit for monitoring the thickness information of the substrate, and a factor regulating unit for grinding factors in the form corresponding to the thickness information of the substrate. By adjusting, the following beneficial effects can be obtained: accurately control the grinding thickness of the substrate, so as to improve the grinding efficiency.

【技术实现步骤摘要】
基板处理装置
本技术涉及一种基板处理装置，更加具体地涉及一种基板处理装置，其可以自动对基板的研磨进行控制，并且使得研磨效率提高。
技术介绍
半导体元件是由微细的电路线以高密度的形式集成而制造的，据此，在晶元表面进行与此相应的精密研磨。为了更加精密地对晶元进行研磨，如图1及图2所示，进行机械研磨和化学研磨并行的化学机械研磨工艺(CMP工艺)。换句话说，研磨垫11以与研磨平板10一起旋转11d的形式设置于研磨平板10的上面，研磨垫11按压晶元W的同时与晶元W相接触，为了化学研磨，通过供给单元30的研磨液供给口32来供给研磨液的同时，对晶元W进行通过摩擦的机械研磨。此时，晶元W通过载体头20在设定的位置进行旋转20d，并进行精密地使得晶元W平坦化的研磨工艺。涂覆于所述研磨垫11表面的研磨液可以沿着用附图标号40d表示的方向进行旋转的同时，通过调质器40在研磨垫11上均匀地扩散，并流入到晶元W，调质器40的臂41沿着用41d表示的方向进行回旋运动，研磨垫11可以通过调质器40的机械修整工艺保持一定的研磨面。另外，在化学机械研磨工艺中，如果类似于载体头的加压力和旋转速度、调质器的加压力和旋转速本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种基板处理装置，其特征在于，包括：输入部，其用于输入特性数据，特性数据包括基板的材料、所述基板的厚度分布、所述基板的目标厚度中任意一个以上；研磨部，其包括研磨垫和载体头，研磨垫与所述基板相接触，载体头将所述基板加压于所述研磨垫，根据由所述特性数据决定的所述基板的研磨因素，所述载体头对所述基板进行加压的同时进行研磨；监控部，其对所述基板的厚度信息进行监控；因素调节部，其以与所述基板的厚度信息相对应的形式使得所述研磨因素发生变更；所述研磨部还包括：调质器，其设置为相对于所述研磨垫可进行回旋移动，并对所述研磨垫的表面进行改质；所述调质器将与所述基板的区域中第一区域相接触的所述研磨垫的第一接触区...

【技术特征摘要】
2017.05.25 KR 10-2017-00645731.一种基板处理装置，其特征在于，包括：输入部，其用于输入特性数据，特性数据包括基板的材料、所述基板的厚度分布、所述基板的目标厚度中任意一个以上；研磨部，其包括研磨垫和载体头，研磨垫与所述基板相接触，载体头将所述基板加压于所述研磨垫，根据由所述特性数据决定的所述基板的研磨因素，所述载体头对所述基板进行加压的同时进行研磨；监控部，其对所述基板的厚度信息进行监控；因素调节部，其以与所述基板的厚度信息相对应的形式使得所述研磨因素发生变更；所述研磨部还包括：调质器，其设置为相对于所述研磨垫可进行回旋移动，并对所述研磨垫的表面进行改质；所述调质器将与所述基板的区域中第一区域相接触的所述研磨垫的第一接触区域调质为第一高度，将与所述基板的区域中第二区域相接触的所述研磨垫的第二接触区域调质为与第一高度不同的第二高度，第二区域的厚度与第一区域的厚度不同。2.根据权利要求1所述的基板处理装置，其特征在于，所述载体头包括：多个压力室，其按照所述基板的各个区域独立施加加压力。3.根据权利要求1所述的基板处理装置，其特征在于，所述研磨部还包括：研磨液供给部，其在对基板进行机械研磨的期间，供给用于化学研磨的研磨液。4.根据权利要求3所述的基板处理装置，其特征在于，所述研磨液供给部设置为沿着所述研磨垫的半径方向可移动，并喷射所述研磨液。5.根据权利要求1所述的基板处理装置，其特征在于，所述载体头包括：卡圈，其配置为包围所述基板的周围并约束所述基板的脱离。6.根据权利要求1所述的基板处理装置，其特征在于，所述研磨部包括：温度调节部，其对所述研磨垫的表面温度进行调节。7.根据权利要求6所述的基板处理装置，其特征在于，所述温度调节部在与所述研磨垫接触或者不接触的状态下对所述研磨垫的温度进行调节。8.根据权利要求6所述的基板处理装置，其特征在于，所述温度调节部向所述研磨垫供给流体。9.根据权利要求1所述的基板处理装置，其特征在于，...

【专利技术属性】
技术研发人员：赵珳技，林钟逸，崔光洛，
申请(专利权)人：凯斯科技股份有限公司，
类型：新型
国别省市：韩国,KR