陶瓷电子器件和陶瓷电子器件的制造方法技术

技术编号:20728163 阅读:38 留言:0更新日期:2019-03-30 18:37
本申请提供一种陶瓷电子器件,其包括:陶瓷主体,该陶瓷主体具有至少两个彼此面对的端面,在其内部具有内部电极层并具有平行六面体形状;外部电极,形成在两个端面上,其中:外部电极具有至少一个镀层;在陶瓷主体的两个端面之外的四个侧面的至少一者中的未被外部电极覆盖的一部分区域,存在构成镀层的镀覆金属的氧化物膜;并且在氧化物膜最外表面的光电子谱中(镀覆金属的氧化物的峰面积)/(镀覆金属的峰面积)的比率为13.1以上。

【技术实现步骤摘要】
陶瓷电子器件和陶瓷电子器件的制造方法
本专利技术某方面涉及陶瓷电子器件和陶瓷电子器件的制造方法。
技术介绍
诸如层叠陶瓷电容器的陶瓷电子器件广泛用作具有小尺寸、大电容和高可靠性的电子器件。在电气器件和电子器件中陶瓷电子器件的数量较大。近来,随着器件尺寸的减小和器件性能的提高,越来越需要陶瓷电子器件具有小尺寸、大电容和高可靠性。在陶瓷电子器件中,通过镀覆工序形成外部电极,以便在安装期间改善基板端子和陶瓷电子器件之间的接合。然而,在镀覆过程中,镀覆金属可能结合到陶瓷体表面的未被外部电极覆盖的部分。随着陶瓷电子器件尺寸的减小,在小产品中相面对的外部电极之间的距离变得更短。即使当少量镀覆金属结合于小产品的陶瓷体的表面时,也形成漏电流路径。因此,可能显著降低绝缘电阻。因此,公开了一种用于防止镀覆金属的结合的技术(例如,参见日本专利申请公开第2004-311676号,日本专利申请公开第2007-242995号,日本专利申请公开第2009-177085号,日本专利申请公开第2008-251630号,日本专利申请公开第2008-244119号和日本专利申请公开第2005-251993号)。专利技术内本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种陶瓷电子器件,包括:陶瓷主体,所述陶瓷主体具有至少两个彼此面对的端面,在其内部具有内部电极层并具有平行六面体形状;和外部电极,形成在所述两个端面上,其中:所述外部电极具有至少一个镀层;在所述陶瓷主体的所述两个端面之外的四个侧面的至少一者中的未被所述外部电极覆盖的一部分区域,存在构成所述镀层的镀覆金属的氧化物膜;并且在所述氧化物膜的最外表面的光电子谱中,(镀覆金属的氧化物的峰面积)/(镀覆金属的峰面积)的比率为13.1以上。

【技术特征摘要】
2017.09.21 JP 2017-181688;2018.05.23 JP 2018-098771.一种陶瓷电子器件,包括:陶瓷主体,所述陶瓷主体具有至少两个彼此面对的端面,在其内部具有内部电极层并具有平行六面体形状;和外部电极,形成在所述两个端面上,其中:所述外部电极具有至少一个镀层;在所述陶瓷主体的所述两个端面之外的四个侧面的至少一者中的未被所述外部电极覆盖的一部分区域,存在构成所述镀层的镀覆金属的氧化物膜;并且在所述氧化物膜的最外表面的光电子谱中,(镀覆金属的氧化物的峰面积)/(镀覆金属的峰面积)的比率为13.1以上。2.根据权利要求1所述的陶瓷电子器件,其中所述比率从所述最外表面起沿所述氧化物膜的深度方向变化。3.根据权利要求1或2所述的陶瓷电子器件,其中所述比率在从所述最外表面起1/4深度处为1以上。4.根据权利要求1-3中任一项所述的陶瓷电子器件,其中所述氧化物膜形成在所有四个侧面上。5.根据权利要求1-4中任一项所述的陶瓷电子器件,其中所述外部电极的距离为0.1mm以上且0.7mm以下。6.根据权利要求1-4中任一项所述的陶瓷电子器件,其中所述外部电极的距离为0.05mm以上且0.13...

【专利技术属性】
技术研发人员:高岛贤二
申请(专利权)人:太阳诱电株式会社
类型:发明
国别省市:日本,JP

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