使能产生电路制造技术

本实用新型专利技术公开了使能产生电路，所述使能产生电路包括：参考电压产生电路、转换电路和使能控制电路。所述参考电压产生电路用于产生参考电压，所述转换电路用于将所述参考电压转换为所述使能控制电路所需的第一电流，所述使能控制电路用于基于对使能信号EN的电压控制，调整所述流经所述使能控制电路的第二输入端的第二电流等于所述第一电流，使得所述使能控制电路中产生的转折电平处于预设范围内。因此，通过本实用新型专利技术公开的一种使能产生电路，在不增加成本的情况下，能够确保转折电平保持在一个较小的变化区间内。

【技术实现步骤摘要】
使能产生电路
本技术涉及电子
，尤其涉及使能产生电路。
技术介绍
随着半导体技术的不断发展和进步，由半导体所制成的集成电路也被广泛的应用于各个领域，成为我们生活中必不可少的一部分。半导体集成电路中的模拟芯片一般具备一个使能输入端，以控制整个芯片的工作和关闭。利用模拟芯片所组成的使能产生电路，不仅能够提供检测外部电路的使能电压，还能够判断该电压是否达到一定的电压值，进而产生能够打开模拟芯片的使能信号。其中，使能信号是使能产生电路产生的电流与EN信号结合产生的信号。为了确保模拟芯片能够稳定可靠地被控制，且具备一定的抗干扰能力，不仅要求使能产生电路在输出电压达到0.5VDD的时候EN的电压，即转折电平，在不同的电源电压VDD变化时不会出现较大的变化，还要具有一定的迟滞能力，进而有一定的抗干扰能力。现有技术中，有两种产生转折电平的使能产生电路的技术方案。其中，一种是传统的技术方案，该方案中传统使能产生电路的转折电平随着电源电压VDD的变化而有较大的变化；另一种是改进型的使能产生电路，该电路采用的是耗尽性NMOS产生一个恒定的电流，利用该电流能在不同的电源电压VDD下几乎保持恒定，从而使转折电平保持在较小的变化区间内。但是该方案依赖于使用耗尽型NMOS，在一些工艺中不提供耗尽型NMOS，而有些工艺虽然提供耗尽型NMOS，但需要增加额外光罩。这样不仅对电路的应用带来一定的限制还会增加芯片的成本。由此可知，采用现有技术给出的两种使能产生电路，无法做到在不增加成本的情况下，确保转折电平保持在一个较小的变化区间。
技术实现思路
有鉴于此，本技术实施例提供的使能产生电路，以解决现有技术中无法做到在不增加成本的情况下，确保转折电平保持在一个较小的变化区间的问题。为实现上述目的，本技术实施例提供如下技术方案：一种使能产生电路，所述使能产生电路包括：参考电压产生电路、转换电路和使能控制电路；所述参考电压产生电路的输出端与所述转换电路的输入端相连，用于将产生的参考电压作为所述转换电路的输入电压；所述转换电路输出端与所述使能控制电路的输出端相连，用于接收所述参考电压产生电路输入的所述参考电压，并将所述参考电压转换为所述使能控制电路所需的第一电流，所述第一电流流经所述使能控制电路的第一输入端；所述使能控制电路，用于基于对使能信号EN的电压控制，调整所述流经所述使能控制电路的第二输入端的第二电流等于所述第一电流，使得所述使能控制电路中产生的转折电平处于预设范围内。优选的，所述参考电压产生电路包括：第一电阻和N个二极管；所述N个二极管串联连接；所述第一电阻的一端与电源电压VDD相连，所述第一电阻的另一端与串联的所述N个二极管中的第一二极管的正极相连；所述第一电阻与所述第一二极管的连接端作为所述参考电压产生电路的输出端与所述转换电路的输入端相连，用于将在所述第一电阻与所述N个二极管的作用下产生的参考电压作为所述转换电路的输入电压。优选的，若N等于3，所述参考电压产生电路包括：第一电阻、第一二极管、第二二极管和第三二极管；所述第一二极管、所述第二二极管和所述第三二极管串联连接；所述第一电阻的一端与电源电压VDD相连，所述第一电阻的另一端与所述第一二极管的正极相连；所述第一电阻与所述第一二极管的连接端作为所述参考电压电路的输出端与所述转换电路的输入端相连，用于将在所述第一电阻与所述第一二极管、所述第二二极管和所述第三二极管的作用下产生的参考电压作为所述转换电路的输入电压。优选的，所述参考电压电路，包括：第一电阻、N沟道场效应管和N个二极管，N的取值为大于等于3的正整数；所述N个二极管串联连接；所述第一电阻的一端与电源电压VDD相连，所述第一电阻的另一端与所述N沟道场效应管的漏极相连；所述N沟道场效应管的漏极与栅极相连，所述N沟道场效应管的源极与所述N个二极管的第一二极管的正极相连；所述第一电阻与所述N沟道场效应漏极的连接端作为所述参考电压产生电路的输出端与所述转换电路的输入端相连，在所述N沟道场效管对所述转换电路的N沟道第一场效应管的阈值进行补偿的作用下产生所述参考电压，所述参考电压产生电路用于将所述参考电压作为所述转换电路的输入电压。优先的，所述第一电阻的阻值至少为1兆欧，所述参考电压为3Vbe，所述Vbe为所述二极管的正向导通的压降。优选的，所述转换电路包括：N沟道第一场效应管、P沟道第二场效应管和第二电阻；所述N沟道第一场效应管的栅极与所述参考电压产生电路的输出端相连，所述N沟道第一场效应管的漏极与所述P沟道第二场效应管的漏极相连，所述N沟道第一场效应管的源极与所述第二电阻的一端相连，所述第二电阻的另一端接地；所述P沟道第二场效应管的栅极与P沟道第三场效应管的栅极相连，所述P沟道第二场效应管的漏极与栅极相连，所述P沟道第二场效应管的源极与电源电压VDD相连；所述P沟道第二场效应管的栅极为所述转换电路的输出端；所述N沟道第一场效应管基于输入的所述参考电压，自身的阈值电压和所述第二电阻的阻值产生流经所述P沟道第二场效应管漏极的所述第一电流；其中，所述N沟道第一场效应管的宽长比在预设范围内取值。优选的，所述使能控制电路包括：P沟道第三场效应管、N沟道第四场效应管、P沟道第五场效应管、N沟道第六场效应管、N沟道第七场效应管和非门；所述P沟道第三场效应管的栅极与所述P沟道第二场效应管的栅极相连，所述P沟道第三场效应管的源极与电源电压VDD相连，所述P沟道第三场效应管的漏极与所述P沟道第五场效应管的源极相连；所述P沟道第五场效应管的栅极与所述N沟道第四场效应管的栅极相连，所述P沟道第五场效应管的漏极与所述N沟道第四场效应管的漏极相连，所述N沟道第四场效应管的源极接地；所述N沟道第六场效应管的栅极与所述P沟道第五场效应管的栅极相连，所述N沟道第六场效应管的漏极与所述N沟道第七场效应管的源极相连，所述N沟道第六场效应管的源极接地；所述N沟道第七场效应管的漏极与所述非门的输入端相连，所述N沟道第七场效应管的栅极与所述非门的输出端相连，所述非门的输入端与所述P沟道第五场效应管的源极相连；所述N沟道第四场效应管外接所述使能信号EN；所述使能信号EN的电压从0上升，当所述使能信号EN的电压值高于所述N沟道第四场效应管的阈值电压时，所述N沟道第四场效应管产生的电流为第二电流；当所述第一电流等于所述第二电流时，此时所述使能信号EN的电压Ven为转折电平。优选的，所述P沟道第二场效应管和所述P沟道第三场效应管的大小相同。一种使能产生电路的使能控制方法，适用于上述任一项所述的使能产生电路，所述使能产生电路包括：参考电压产生电路、转换电路和使能控制电路，所述使能控制方法包括：所述参考电压产生电路将产生的参考电压作为所述转换电路的输入电压输入；所述转换电路接收所述参考电压，并将所述参考电压转换为所述使能控制电路所需的第一电流，使得所述第一电流流经所述使能控制电路的第一输入端；所述使能控制电路基于对使能信号EN的电压控制，调整所述流经所述使能控制电路的第二输入端的第二电流等于所述第一电流，使得所述使能控制电路中产生的转折电平处于预设范围内。基于上述本技术实施例提供的使能产生电路，所述使能产生电路包括：参考电压产生电路、转换电路和使能控制电本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种使能产生电路，其特征在于，所述使能产生电路包括：参考电压产生电路、转换电路和使能控制电路；所述参考电压产生电路的输出端与所述转换电路的输入端相连，用于将产生的参考电压作为所述转换电路的输入电压；所述转换电路输出端与所述使能控制电路的输入端相连，用于接收所述参考电压产生电路输入的所述参考电压，并将所述参考电压转换为所述使能控制电路所需的第一电流，所述第一电流流经所述使能控制电路的第一输入端；所述使能控制电路，用于基于对使能信号EN的电压控制，调整所述流经所述使能控制电路的第二输入端的第二电流等于所述第一电流，使得所述使能控制电路中产生的转折电平处于预设范围内。

【技术特征摘要】
1.一种使能产生电路，其特征在于，所述使能产生电路包括：参考电压产生电路、转换电路和使能控制电路；所述参考电压产生电路的输出端与所述转换电路的输入端相连，用于将产生的参考电压作为所述转换电路的输入电压；所述转换电路输出端与所述使能控制电路的输入端相连，用于接收所述参考电压产生电路输入的所述参考电压，并将所述参考电压转换为所述使能控制电路所需的第一电流，所述第一电流流经所述使能控制电路的第一输入端；所述使能控制电路，用于基于对使能信号EN的电压控制，调整所述流经所述使能控制电路的第二输入端的第二电流等于所述第一电流，使得所述使能控制电路中产生的转折电平处于预设范围内。2.根据权利要求1所述的使能产生电路，其特征在于，所述参考电压电路包括：第一电阻和N个二极管；所述N个二极管串联连接；所述第一电阻的一端与电源电压VDD相连，所述第一电阻的另一端与串联的所述N个二极管中的第一二极管的正极相连；所述第一电阻与所述第一二极管的连接端作为所述参考电压产生电路的输出端与所述转换电路的输入端相连，用于将在所述第一电阻与所述N个二极管的作用下产生的参考电压作为所述转换电路的输入电压。3.根据权利要求1所述的使能产生电路，其特征在于，若N等于3，所述参考电压产生电路包括：第一电阻、第一二极管、第二二极管和第三二极管；所述第一二极管、第二二极管和第三二极管串联连接；所述第一电阻的一端与电源电压VDD相连，所述第一电阻的另一端与所述第一二极管的正极相连；所述第一电阻与所述第一二极管的连接端作为所述参考电压电路的输出端与所述转换电路的输入端相连，用于将在所述第一电阻与所述第一二极管、所述第二二极管和所述第三二极管的作用下产生的参考电压作为所述转换电路的输入电压。4.根据权利要求1所述的使能产生电路，其特征在于，所述参考电压产生电路，包括：第一电阻、N沟道场效应管和N个二极管，N的取值为大于等于3的正整数；所述N个二极管串联连接；所述第一电阻的一端与电源电压VDD相连，所述第一电阻的另一端与所述N沟道场效应管的漏极相连；所述N沟道场效应管的漏极与栅极相连，所述N沟道场效应管的源极与所述N个二极管的第一二极管的正极相连；所述第一电阻与所述N沟道场效应漏极的连接端作为所述参考电压产生电路的输出端与所述转换电路的输入端相连，在所述N沟道场效管对所述转换电路的N沟道第一场效应管的阈值进行补偿的作用下产生所述参考电压，所述参考电压产生电路用于将所述参考电压作为所述转换电路的输入电压...

【专利技术属性】
技术研发人员：何永强，程剑涛，郭辉，张艳萍，
申请(专利权)人：上海艾为电子技术股份有限公司，
类型：新型
国别省市：上海,31