表面改性氧化钨纳米材料的制备方法及其产品和应用技术

本发明专利技术提供一种表面改性氧化钨纳米材料的制备方法，所述方法包括：在纳米氧化钨表面，利用原子层沉积修饰一层SnO纳米层，形成异质结结构，能够有效提升WO3纳米材料的气体传感性能，所用的前驱源分别为N,N'‑二甲基乙二胺亚锡和水，沉积温度为150℃，沉积厚度为2‑10nm。该材料利用原子层沉积在WO3纳米颗粒表面沉积SnO层，形成WO3/SnO异质结，大幅提升了其对甲醛的气敏性能。

【技术实现步骤摘要】
表面改性氧化钨纳米材料的制备方法及其产品和应用
本专利技术属于材料化学
，涉及一种表面改性氧化钨纳米材料的制备方法及其产品和应用氧。钨异质结结构纳米材料的制备方法，该材料利用原子层沉积在WO3纳米颗粒表面沉积SnO层，形成WO3/SnO异质结，大幅提升了其对甲醛的气敏性能。
技术介绍
在半导体气敏材料研究领域，氧化钨（WO3）因其易于调控，选择性强、稳定性好、灵敏度高等优点，长期成为研究热点。WO3纳米气敏材料的气敏机理可以用耗尽层模型进行解释。WO3表面的氧空穴可以成为导带的电子授体，从而使该材料成为n型半导体。在实际应用中，通过形成异质结可以提高其气敏性能。当两种不同的半导体材料接触以后，由于费米能级不同，界面处的费米能级会产生相对移动直至平衡，电荷转移通常会在界面处形成电荷耗尽层、势垒，而这种独特的特性会提高传感器的气敏响应。
技术实现思路
针对现有技术的不足，本专利技术目的在于提供一种表面改性氧化钨纳米材料的制备方法。本专利技术的再一目的在于：提供一种上述方法制备的表面改性氧化钨纳米材料产品。本专利技术的又一目的在于：提供一种上述产品的应用。本专利技术目的通过下述方案实现：一种表面改性氧化钨纳米材料的制备方法，其特征在于利用原子层沉积技术在纳米WO3颗粒表面沉积SnO纳米层，形成异质结结构。所述的利用原子层沉积技术在纳米WO3颗粒表面沉积SnO纳米层，所用的前驱源分别为N,N'-二甲基乙二胺亚锡和水，沉积温度为150℃，沉积厚度为2-10nm。本专利技术提供一种表面改性氧化钨纳米材料，根据上述所述方法制备得到。本专利技术提供一种表面改性氧化钨纳米材料在甲醛气体检测中的应用。本专利技术提供一种简单的WO3异质结的方法，可大幅提高WO3纳米材料的气敏性能，且制备工艺简单，重复性、均匀性好，具有较为广泛的应用价值。该材料利用原子层沉积在WO3纳米颗粒表面沉积SnO层，形成WO3/SnO异质结，大幅提升了其对甲醛的气敏性能，大幅度降低了响应温度，提升了灵敏度。附图说明图1为实施例1所制备的WO3异质结纳米颗粒的气敏性能图。具体实施方式实施例1（1）利用N,N'-二甲基乙二胺亚锡和水作为前驱源，在150℃条件下，利用原子层沉积技术在纳米WO3颗粒表面沉积SnO纳米层，沉积厚度为2nm。实施例2（1）利用N,N'-二甲基乙二胺亚锡和水作为前驱源，在150℃条件下，利用原子层沉积技术在纳米WO3颗粒表面沉积SnO纳米层，沉积厚度为5nm。实施例3（1）利用N,N'-二甲基乙二胺亚锡和水作为前驱源，在150℃条件下，利用原子层沉积技术在纳米WO3颗粒表面沉积SnO纳米层，沉积厚度为10nm。本上述实施例1-3制得的粉体分散涂于六脚陶瓷管气敏测试元件上，测试对不同浓度为甲醛的响应，工作温度为160℃。上述的对实施例的描述是为便于该
的普通技术人员能理解和应用本专利技术。熟悉本领域技术的人员显然可以容易地对这些实施例做出各种修改，并把在此说明的一般原理应用到其它实施例中而不必经过创造性的劳动。因此，本专利技术不限于这里的实施例，本领域技术人员根据本专利技术的揭示，对于本专利技术做出的改进和修改都应该在本专利技术的保护范围之内。本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种表面改性氧化钨纳米材料的制备方法，其特征在于利用原子层沉积技术在纳米WO3颗粒表面沉积SnO纳米层，形成异质结结构。

【技术特征摘要】
1.一种表面改性氧化钨纳米材料的制备方法，其特征在于利用原子层沉积技术在纳米WO3颗粒表面沉积SnO纳米层，形成异质结结构。2.根据权利要求1所述的表面改性氧化钨纳米材料的制备方法，其特征在于，所述的利用原子层沉积技术在纳米WO3颗粒表面沉积SnO纳...

【专利技术属性】
技术研发人员：何丹农，尹桂林，葛美英，卢静，
申请(专利权)人：上海纳米技术及应用国家工程研究中心有限公司，
类型：发明
国别省市：上海,31