【技术实现步骤摘要】
一种增强吸收的光热探测器
本专利技术涉及光电探测器
,具体涉及一种增强吸收的光热探测器。
技术介绍
光电探测器的物理效应通常分为光子效应和光热效应,对应的探测器分别称为光子型探测器和光热型探测器。各种光子型探测器的共同特征是采用半导体能带材料,光子能量对探测材料中光电子的产生起直接作用,故光子型探测器存在截止响应频率或波长,且光谱响应限于某一波段,因此不同的材料体系决定了探测器具有不同的响应波长范围,一般难以用于宽谱或多谱段探测。对于光热型探测器,在吸收光辐射能量后,并不直接引起内部电子状态的改变,而是把吸收的光能变为晶格的热运动能量,引起探测元件温度上升,从而引起探测元件的电学性质或其他物理性质发生变化,故光热效应与光子能量的大小没有直接关系,光热型探测器原则上对频率没有选择性。由于红外波段特别是中长波红外以上波段的光热效应相比紫外和可见光更明显,故光热探测器通常用于中长波光学辐射的探测,典型的光热型探测器包括微测辐射热计、热释电探测器和热偶探测器等种类。由于温度升高是热积累的作用,基于光热效应的热探测器一般响应速度较慢,在毫秒量级。然而,现有的光热探测器 ...
【技术保护点】
1.一种增强吸收的光热探测器,其特征在于:包括热敏感线(1),所述热敏感线(1)的左右两侧设置有正/负电极(4),所述热敏感线(1)上还设置有孔洞(2),所述孔洞(2)内填充有光吸收介质(3);所述光吸收介质(3)为多层结构,由下及上依次为玻璃层(301)、铬层(302)、锗层(303)、硅层(304)、二氧化钛层(305)、二氟化镁(306)。
【技术特征摘要】
1.一种增强吸收的光热探测器,其特征在于:包括热敏感线(1),所述热敏感线(1)的左右两侧设置有正/负电极(4),所述热敏感线(1)上还设置有孔洞(2),所述孔洞(2)内填充有光吸收介质(3);所述光吸收介质(3)为多层结构,由下及上依次为玻璃层(301)、铬层(302)、锗层(303)、硅层(304)、二氧化钛层(305)、二氟化镁(306)。2.如权利要求1所述的一种增强吸收的光热探测器,其特征在于:所述玻璃层(301)的厚度为20~150nm,所述铬层(302)的厚度为150~250nm,所述锗层(303)的厚度为25~45nm,所述硅层(304)的厚度为25~45nm,所述二氧化钛层(305)的厚度为40~60nm,所述二氟化镁(306)的厚度为100~150nm。3.如权利要求2所述的一种增强...
【专利技术属性】
技术研发人员:不公告发明人,
申请(专利权)人:中山科立特光电科技有限公司,
类型:新型
国别省市:广东,44
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