微结构的制作方法、光调制器件、背光源、显示装置制造方法及图纸

本发明专利技术提供一种微结构的制作方法，包括：制作透光结构，所述透光结构包括透光基片和形成在该透光基片上的微凸起层，该微凸起层包括多个间隔设置且透光的微凸起，所述微凸起的尺寸为纳米级；在所述微凸起的顶面上形成绝缘间隔层；在所述透光基片表面上未被所述微凸起覆盖的区域和所述微凸起的侧面上形成反射层。相应地，本发明专利技术还提供一种光调制器件、背光源和显示装置。本发明专利技术能够准确地去除微凸起顶面上的金属反射层。

【技术实现步骤摘要】
微结构的制作方法、光调制器件、背光源、显示装置
本专利技术涉及显示
，具体涉及一种微结构的制作方法、光调制器件、背光源、显示装置。
技术介绍
微纳米结构在光电显示中起着重要的作用，例如，微纳米结构可以用在光学调制膜片中，用于进行光学调制。如图1所示的是现有技术中所模拟出的一种导光板的部分结构示意图，导光板10的出光面上形成微纳米凸起11，且微纳米凸起11的侧壁上以及出光面上未被微纳米凸起11覆盖的部分形成反射层13、而微纳米凸起11的顶端不设置反射层13时，这样可以使得该导光板10的出射光更加准直。现有技术中微纳米结构的制备通常以LIGA(Lithographie、Galvanoformung和Abformung，即，光刻、电铸和注塑)工艺为主，为了制作图1中的结构，先制作图2a中的模具12，之后利用模具12在塑料本体上进行压印、脱模，形成图2b中的结构，再通过溅射形成整层的金属反射层13，如图2c所示，但是，为了使得光线进入微纳米凸起11内部，需要进行磨尖工艺将微纳米凸起11顶端的金属去掉，但是目前很难将微纳米凸起11顶端的金属去除，很难形成图1中的结构。
技术实现思路
本专利技术旨在至少解决现有技术中存在的技术问题之一，提出了一种光调制器件及其制作方法、背光源、显示装置，以准确地去除光调制器件的微凸起顶面上的金属反射层。为了解决上述技术问题之一，本专利技术提供一种微结构的制作方法，包括：制作透光结构，所述透光结构包括透光基片和形成在该透光基片上的微凸起层，该微凸起层包括多个间隔设置且透光的微凸起；在所述微凸起的顶面上形成绝缘间隔层；在所述透光基片表面上未被所述微凸起覆盖的区域和所述微凸起的侧面上形成反射层。优选地，在所述微凸起的顶面上形成绝缘间隔层的步骤之前还包括：对所述透光基片的形成有微凸起的表面、所述微凸起的外表面进行导电化；在所述透光基片表面上未被所述微凸起覆盖的区域和所述微凸起的侧面上形成反射层的步骤包括：采用电沉积的方式，在所述透光结构的导电化表面的未被所述绝缘间隔层覆盖的区域形成所述反射层。优选地，所述电沉积的方式包括电铸的方式。优选地，在所述透光基片表面上未被所述微凸起覆盖的区域和所述微凸起的侧面上形成反射层的步骤之后还包括：去除所述绝缘间隔层。优选地，在所述透光基片表面上未被所述微凸起覆盖的区域和所述微凸起的侧面上形成反射层的步骤包括：形成整层的反射材料层；去除所述绝缘间隔层，以使得所述反射材料层的位于所述微凸起顶面上的部分脱离所述微凸起。优选地，采用溅射的方式形成整层的反射材料层。优选地，所述微凸起的顶部形成有凹槽，在所述微凸起的顶面上形成绝缘间隔层的步骤包括：在所述凹槽内打印墨水；对所述墨水进行固化，以形成所述绝缘间隔层。优选地，制作透光结构的步骤包括：制作与所述微凸起层相匹配的模具；提供透光本体；利用所述模具在所述透光本体上进行压印，以形成所述透光结构。优选地，制作与所述微凸起层相匹配的模具的步骤包括：在基底上形成与所述微凸起层大小、形状均相同的母模层；对所述基底的形成有母模层的表面和母模层的外表面进行导电化；利用电铸的方式在该导体化的表面上形成金属层；将所述金属层与所述基底以及母模层分离，形成所述模具。优选地，在基底上形成与所述微凸起层大小、形状均相同的母模层的步骤包括：在基底上形成光刻胶层；对所述光刻胶层进行曝光和显影，以形成所述母模层。相应地，本专利技术还提供一种光调制器件，包括透光基片和设置在该透光基片上的微结构，所述微结构包括多个间隔设置且透光的微凸起；所述微凸起的尺寸为纳米级；所述透光基片表面上未被所述微凸起覆盖的区域和所述微凸起的侧面上均设置有反射层。相应地，本专利技术还提供一种背光源，包括本专利技术提供的上述光调制器件。相应地，本专利技术还提供一种显示装置，包括本专利技术提供的上述背光源。在本专利技术中，由于在形成反射层之前先在微凸起的顶面形成了绝缘间隔层，因此，在后续形成反射层后，就可以使得反射层不覆盖微凸起的顶面，例如，在形成绝缘间隔层之前对透光结构导体化处理，在形成绝缘间隔层之后，采用电沉积的方式在凸起顶面以外的位置形成反射层(由于微凸起的顶面上形成有绝缘间隔层，因此微凸起顶面上不会电沉积形成金属导体)；或者，即使先形成了一整层的反射层，也可以通过去除绝缘间隔层的方式将凸起顶部的绝缘层一并去除，从而可以形成微凸起顶面透光、微凸起侧面以及透光基片的未被微凸起覆盖的部分形成反射层，以使得光调制器件同时具有良好的透光和反光性能。附图说明附图是用来提供对本专利技术的进一步理解，并且构成说明书的一部分，与下面的具体实施方式一起用于解释本专利技术，但并不构成对本专利技术的限制。在附图中：图1是现有技术中所模拟出的一种导光板的部分结构示意图；图2a至图2c是现有技术中制作图1的结构时的过程示意图；图3是本专利技术实施例中提供的微结构的制作方法的主要步骤流程图；图4是本专利技术实施例中提供的微结构的第一种制作方法的具体步骤示意图；图5a至图5h是第一种制作方法中各步骤形成的结构示意图；图6是本专利技术实施例中提供的微结构的第二种制作方法的具体步骤示意图；图7a和图7b是第二种制作方法中形成反射层时的结构示意图。其中，附图标记为：10、导光板；11、微纳米凸起；12、现有技术中的模具；13、现有技术中的反射层；20、透光结构；20a、透光基片；20b、微凸起；21、凹槽；22、绝缘间隔层；23、本专利技术中的反射层；23a、反射材料层；31、基底；32、母模层；32a、母模；331、金属层；33、本专利技术中的模具；34、透光本体。具体实施方式以下结合附图对本专利技术的具体实施方式进行详细说明。应当理解的是，此处所描述的具体实施方式仅用于说明和解释本专利技术，并不用于限制本专利技术。作为本专利技术的一方面，提供一种微结构的制作方法，如图3所示，包括：S1、制作透光结构，所述透光结构包括透光基片和形成在该透光基片上的微凸起层，该微凸起层包括多个间隔设置且透光的微凸起。其中，所述微凸起的尺寸为纳米级，这里所述的微凸起的尺寸是指微凸起在任意方向上的尺寸。S2、在所述微凸起的顶面上形成绝缘间隔层。S3、在所述透光基片表面上未被所述微凸起覆盖的区域和所述微凸起的侧面上形成反射层。其中，反射层的材料为金属。应当理解的是，如图所示，微凸起形成在透光基片的上表面，透光基片的未被微凸起覆盖的表面是指，透光基片的上表面中未设置微凸起的部分。在本专利技术中，由于在形成反射层之前先在微凸起的顶面形成了绝缘间隔层，因此，在后续形成反射层后，就可以使得反射层不覆盖微凸起的顶面，例如，在形成绝缘间隔层之前对透光结构导体化处理，在形成绝缘间隔层之后，采用电沉积的方式在凸起顶面以外的位置形成反射层(由于微凸起的顶面上形成有绝缘间隔层，因此微凸起顶面上不会电沉积形成金属导体)；或者，即使先形成了一整层的反射层，也可以通过去除绝缘间隔层的方式将凸起顶部的绝缘层一并去除，从而可以形成微凸起顶面透光、微凸起侧面以及透光基片的未被微凸起覆盖的部分形成反射层；当制得的微结构用于导光板中(微凸起层位于导光板的出光面上)时，可以提高导光板出射光线的准直性。其中，本专利技术中微凸起的形状没有特别限定，可以为圆柱形、方柱形等柱形；也可以为圆台形；也可以其他形状，例如，侧面为球面的一部分。下面结合图4本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种微结构的制作方法，其特征在于，包括：制作透光结构，所述透光结构包括透光基片和形成在该透光基片上的微凸起层，该微凸起层包括多个间隔设置且透光的微凸起；在所述微凸起的顶面上形成绝缘间隔层；在所述透光基片表面上未被所述微凸起覆盖的区域和所述微凸起的侧面上形成反射层。

【技术特征摘要】
1.一种微结构的制作方法，其特征在于，包括：制作透光结构，所述透光结构包括透光基片和形成在该透光基片上的微凸起层，该微凸起层包括多个间隔设置且透光的微凸起；在所述微凸起的顶面上形成绝缘间隔层；在所述透光基片表面上未被所述微凸起覆盖的区域和所述微凸起的侧面上形成反射层。2.根据权利要求1所述的制作方法，其特征在于，在所述微凸起的顶面上形成绝缘间隔层的步骤之前还包括：对所述透光基片的形成有微凸起的表面、所述微凸起的外表面进行导电化；在所述透光基片表面上未被所述微凸起覆盖的区域和所述微凸起的侧面上形成反射层的步骤包括：采用电沉积的方式，在所述透光结构的导电化表面的未被所述绝缘间隔层覆盖的区域形成所述反射层。3.根据权利要求2所述的制作方法，其特征在于，所述电沉积的方式包括电铸的方式。4.根据权利要求2所述的制作方法，其特征在于，在所述透光基片表面上未被所述微凸起覆盖的区域和所述微凸起的侧面上形成反射层的步骤之后还包括：去除所述绝缘间隔层。5.根据权利要求1所述的制作方法，其特征在于，在所述透光基片表面上未被所述微凸起覆盖的区域和所述微凸起的侧面上形成反射层的步骤包括：形成整层的反射材料层；去除所述绝缘间隔层，以使得所述反射材料层的位于所述微凸起顶面上的部分脱离所述微凸起。6.根据权利要求5所述的制作方法，其特征在于，采用溅射的方式形成整层的反射材料层。7...

【专利技术属性】
技术研发人员：齐永莲，曲连杰，赵合彬，贵炳强，杨宪雪，刘帅，石广东，
申请(专利权)人：京东方科技集团股份有限公司，北京京东方显示技术有限公司，
类型：发明
国别省市：北京,11