一种金属复合膜及其制作工艺制造技术

本发明专利技术提供了一种金属复合膜及其制作工艺，一种金属复合膜，用于沉积在ITO膜层上，ITO膜层沉积在玻璃基板上，ITO膜层对称沉积在玻璃基板的两面外，金属复合膜对称沉积在两ITO膜层外，包括铜金属膜层和镍铜金属膜层。本发明专利技术的有益效果在于：1）该发明专利技术的为双面结构，并可一次成型完成双面ITO及双面复合金属膜的沉积，制作效率高，成品质量好，具有广阔的市场前景；2）金属复合膜包括铜金属膜层和镍铜金属膜层，可满足金属复合膜的特性，同时具备优异的导电性及抗氧化性；3）ITO膜层采用高温制程，中间增加过渡区间，金属膜采用低温制程。

【技术实现步骤摘要】
一种金属复合膜及其制作工艺
本专利技术涉及ITO薄膜
，尤其涉及一种金属复合膜及其制作工艺。
技术介绍
ITO薄膜是一种半导体材料，具有优异的光电特性和导电性，在触摸屏技术方面得到了广泛的应用。在电容式触摸屏玻璃基板表面进行ITO溅镀后，使其成为双面ITO，不在同一面的ITO膜需要通过其四边边缘的ITO导线连通，随着屏幕尺寸变大，为了降低控制芯片输入阻抗限制，需要边缘的ITO电阻逐渐降低，但ITO本身性能及成本已难以满足，这就需要考虑新的方法降低边缘的ITO电阻，在ITO连通导线上覆盖一层金属复合膜层可以达到此作用。
技术实现思路
为解决上述问题，本专利技术公开了一种金属复合膜及其制作工艺，采用双面ITO膜层上增加金属复合膜，并通过磁控溅射方式一次成型，具备优异的导电性及抗氧化性。为了达到以上目的，本专利技术提供如下技术方案：一种金属复合膜，用于沉积在ITO膜层上，所述ITO膜层沉积在玻璃基板上，其特征在于：所述ITO膜层对称沉积在玻璃基板的两面外，所述金属复合膜对称沉积在两ITO膜层外，包括铜金属膜层和镍铜金属膜层，所述镍铜金属膜层设置在铜金属膜层外。进一步的，所述的一种金属复合膜的制作工艺，其特征在于，具体步骤如下：a)首先将ITO靶材、金属铜靶材、镍铜合金靶材安装在镀膜箱体内，然后关闭镀膜箱体并抽真空，并将温度升高到200～300℃，保持1～2h，随后去除镀膜箱体内水蒸气及杂气，之后将ITO靶材区域开启加热至250～300℃，金属铜靶材和镍铜合金靶材位置不开启加热；b）待真空度达到5*10-4pa时，充入高纯Ar气和O2气，ITO靶材处O2占比为2%，并使工作压强达到0.3～0.8Pa；c）开启ITO靶材、金属铜靶材和镍铜合金靶材，并在镀膜箱体内进行磁控溅射，Ar轰击靶材表面，在玻璃基板上依次沉积ITO膜层、铜金属膜层和镍铜金属膜层；d）在镀ITO膜层后进入退火箱体进行真空冷却退火，退火过渡腔体内安装冷板，冷板温度为10℃，使玻璃基板快速降低至室温，进行铜金属膜层及镍铜金属膜层镀膜，镀膜时增加冷板，降低表面温度。进一步的，所述步骤a）中ITO靶材的铟锡氧化物质量比率为9：1。进一步的，所述步骤a）中金属铜靶材的纯度不小于99%。进一步的，所述步骤a）中镍铜合金靶材的质量比为7:3。进一步的，所述步骤b）中高纯Ar气的纯度为99.99%。进一步的，所述步骤c）中的ITO膜层厚为20±5nm。进一步的，所述步骤c）中的铜金属膜层厚为50±10nm。进一步的，所述步骤c）中的镍铜金属膜层厚为150±20nm。与现有技术相比，本专利技术的有益效果在于：1）该专利技术的为双面结构，并可一次成型完成双面ITO及双面复合金属膜的沉积，制作效率高，成品质量好，具有广阔的市场前景；2）金属复合膜包括铜金属膜层和镍铜金属膜层，可满足金属复合膜的特性，同时具备优异的导电性及抗氧化性，且金属电阻小于0.4Ω/□；3）ITO膜层采用高温制程，中间增加过渡区间，金属膜采用低温制程。附图说明图1为本专利技术一种金属复合膜的示意图。附图标记列表：1-玻璃基板，2-ITO膜层，3-铜金属膜层，4-镍铜金属膜层。具体实施方式下面结合附图和具体实施方式，进一步阐明本专利技术，应理解下述具体实施方式仅用于说明本专利技术而不用于限制本专利技术的范围。实施例1如图所示，一种金属复合膜，用于沉积在ITO膜层2上，所述ITO膜层2沉积在玻璃基板1上，ITO膜层2对称沉积在玻璃基板1的两面外，金属复合膜对称沉积在两ITO膜层2外，包括铜金属膜层3和镍铜金属膜层4，镍铜金属膜层4设置在铜金属膜层3外。一种金属复合膜的制作工艺，具体步骤如下：a)首先将ITO靶材、金属铜靶材、镍铜合金靶材安装在镀膜箱体内，然后关闭镀膜箱体并抽真空，并将温度升高到200℃，保持2h，随后去除镀膜箱体内水蒸气及杂气，之后将ITO靶材区域开启加热至250℃，金属铜靶材和镍铜合金靶材位置不开启加热；其中，ITO靶材的铟锡氧化物质量比率为9：1，金属铜靶材的纯度为99%，镍铜合金靶材的质量比为7:3；b）待真空度达到5*10-4pa时，充入高纯Ar气和O2气，ITO靶材处O2占比为2%，并使工作压强达到0.3Pa；其中，高纯Ar气的纯度为99.99%；c）开启ITO靶材、金属铜靶材和镍铜合金靶材，并在镀膜箱体内进行磁控溅射，Ar轰击靶材表面，在玻璃基板上依次沉积ITO膜层2、铜金属膜层3和镍铜金属膜层4；其中，ITO膜层2厚为25nm，铜金属膜层3厚为40nm，镍铜金属膜层4厚为170nm；d）在镀ITO膜层3后进入退火箱体进行真空冷却退火，退火过渡腔体内安装冷板，冷板温度为10℃，使玻璃基板1快速降低至室温，进行铜金属膜层3及镍铜金属膜层4镀膜，镀膜时增加冷板，降低表面温度。实施例2如图所示，一种金属复合膜，用于沉积在ITO膜层2上，所述ITO膜层2沉积在玻璃基板1上，ITO膜层2对称沉积在玻璃基板1的两面外，金属复合膜对称沉积在两ITO膜层2外，包括铜金属膜层3和镍铜金属膜层4，镍铜金属膜层4设置在铜金属膜层3外。一种金属复合膜的制作工艺，具体步骤如下：a)首先将ITO靶材、金属铜靶材、镍铜合金靶材安装在镀膜箱体内，然后关闭镀膜箱体并抽真空，并将温度升高到300℃，保持1h，随后去除镀膜箱体内水蒸气及杂气，之后将ITO靶材区域开启加热至300℃，金属铜靶材和镍铜合金靶材位置不开启加热；其中，ITO靶材的铟锡氧化物质量比率为9：1，金属铜靶材的纯度为99%，镍铜合金靶材的质量比为7:3；b）待真空度达到5*10-4pa时，充入高纯Ar气和O2气，ITO靶材处O2占比为2%，并使工作压强达到0.8Pa；其中，高纯Ar气的纯度为99.99%；c）开启ITO靶材、金属铜靶材和镍铜合金靶材，并在镀膜箱体内进行磁控溅射，Ar轰击靶材表面，在玻璃基板上依次沉积ITO膜层2、铜金属膜层3和镍铜金属膜层4；其中，ITO膜层2厚为15nm，铜金属膜层3厚为60nm，镍铜金属膜层4厚为130nm；d）在镀ITO膜层2后进入退火箱体进行真空冷却退火，退火过渡腔体内安装冷板，冷板温度为10℃，使玻璃基板1快速降低至室温，进行铜金属膜层3及镍铜金属膜层4镀膜，镀膜时增加冷板，降低表面温度。实施例3如图所示，一种金属复合膜，用于沉积在ITO膜层2上，所述ITO膜层2沉积在玻璃基板1上，ITO膜层2对称沉积在玻璃基板1的两面外，金属复合膜对称沉积在两ITO膜层2外，包括铜金属膜层3和镍铜金属膜层4，镍铜金属膜层4设置在铜金属膜层3外。一种金属复合膜的制作工艺，具体步骤如下：a)首先将ITO靶材、金属铜靶材、镍铜合金靶材安装在镀膜箱体内，然后关闭镀膜箱体并抽真空，并将温度升高到250℃，保持1.5h，随后去除镀膜箱体内水蒸气及杂气，之后将ITO靶材区域开启加热至280℃，金属铜靶材和镍铜合金靶材位置不开启加热；其中，ITO靶材的铟锡氧化物质量比率为9：1，金属铜靶材的纯度为99%，镍铜合金靶材的质量比为7:3；b）待真空度达到5*10-4pa时，充入高纯Ar气和O2气，ITO靶材处O2占比为2%，并使工作压强达到0.6Pa；其中，高纯Ar气的纯度为99.99%；c）开启ITO靶材、金属铜靶材和镍铜合金靶材，并在镀膜箱体内进行本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种金属复合膜，用于沉积在ITO膜层上，所述ITO膜层沉积在玻璃基板上，其特征在于：所述ITO膜层对称沉积在玻璃基板的两面外，所述金属复合膜对称沉积在两ITO膜层外，包括铜金属膜层和镍铜金属膜层，所述镍铜金属膜层设置在铜金属膜层外。

【技术特征摘要】
1.一种金属复合膜，用于沉积在ITO膜层上，所述ITO膜层沉积在玻璃基板上，其特征在于：所述ITO膜层对称沉积在玻璃基板的两面外，所述金属复合膜对称沉积在两ITO膜层外，包括铜金属膜层和镍铜金属膜层，所述镍铜金属膜层设置在铜金属膜层外。2.根据权利要求1所述的一种金属复合膜的制作工艺，其特征在于，具体步骤如下：a)首先将ITO靶材、金属铜靶材、镍铜合金靶材安装在镀膜箱体内，然后关闭镀膜箱体并抽真空，并将温度升高到200～300℃，保持1～2h，随后去除镀膜箱体内水蒸气及杂气，之后将ITO靶材区域开启加热至250～300℃，金属铜靶材和镍铜合金靶材位置不开启加热；b）待真空度达到5*10-4pa时，充入高纯Ar气和O2气，ITO靶材处O2占比为2%，并使工作压强达到0.3～0.8Pa；c）开启ITO靶材、金属铜靶材和镍铜合金靶材，并在镀膜箱体内进行磁控溅射，Ar轰击靶材表面，在玻璃基板上依次沉积ITO膜层、铜金属膜层和镍铜金属膜层；d）在镀ITO膜层后进入退火箱体进行真空冷却退火，...

【专利技术属性】
技术研发人员：朱磊，张石亮，
申请(专利权)人：安徽立光电子材料股份有限公司，
类型：发明
国别省市：安徽,34