一种忆阻器电路制造技术

本发明专利技术公开了一种忆阻器电路，电路包括放大器U1、放大器U2、放大器U3、放大器U4、放大器U5、放大器U6、电阻R2、电阻R3、电阻R4、电阻R5、电阻R6、电阻R7、电阻R8、电阻R9、电阻R10、电阻Rb、电容C3、二极管D1、二极管D2和高速开关K1；本发明专利技术公开了一种忆阻器电路，不仅具有忆阻器特有的V‑I迟滞曲线特征，而且不同于常见的光滑迟滞曲线，其V‑I迟滞曲线是一种特殊的分段迟滞曲线，具有电路简单、易于实现的特点。

【技术实现步骤摘要】
一种忆阻器电路
本专利技术涉及电路设计领域，特别是涉及一种忆阻器电路。
技术介绍
作为电阻、电感、电容之外第4种基本无源器件，忆阻器刻画了磁链和电荷之间的关系，相应的忆阻器电路V-I曲线具有迟滞特征。但是，当前忆阻器电路的V-I迟滞曲线，一般呈光滑迟滞型，大都涉及乘法器的使用，易受干扰，结构也较为复杂。
技术实现思路
为解决
技术介绍
中存在的主要问题，本专利技术公开了一种忆阻器电路，技术方案如下：一种忆阻器电路包括：放大器U1、放大器U2、放大器U3、放大器U4、放大器U5、放大器U5、电阻R2、电阻R3、电阻R4、电阻R5、电阻R6、电阻R7、电阻R8、电阻R9、电阻R10、电阻Rb、电容C3、二极管D1、二极管D2和高速开关K1。放大器U1的正向端与放大器U5的正向端相连；放大器U1的反向端与放大器U1输出端；放大器U1的输出端经过电阻R7与放大器U2的反向端相连。电阻R9连接于放大器U2的反向端与输出端之间；电容C3连接于放大器U2的正向端与输出端之间；放大器U2的正向端通过电阻R10接地。放大器U3的正向端与放大器U4的反向端连接；放大器U3的反向端连接-1V的直流电压源；放大器U4的正向端连接1V的直流电压源；放大器U3的输出端通过二极管D1与高速开关K1的IN1端口相连；放大器U4的输出端通过二极管D2与高速开关K1的IN1端口相连；二极管D2的阴极通过电阻R8接地。高速开关K1的D1端口通过电阻Rb接地；高速开关K1的GND端口接地；高速开关K1的S1端口与放大器U6的正向端相连。电阻R6连接于放大器U6的正向端与输出端之间；电阻R5连接于放大器U6的反向端与输出端之间；放大器U6的反向端通电阻R4与地相连。电阻R3连接于放大器U5的正向端与输出端之间；电阻R2连接于放大器U5的反向端与输出端之间；放大器U5的反向端与高速开关的D1端口相连。本专利技术的有益技术效果是：本专利技术公开了一种忆阻器电路，不仅具有忆阻器特有的V-I迟滞曲线特征，而且不同于常见的光滑迟滞曲线，其V-I迟滞曲线是一种特殊的分段迟滞曲线，具有电路简单、易于实现的特点。附图说明图1：一种忆阻器电路图。图2：PSPICE电路仿真V-I曲线。图3：物理电路V-I曲线。具体实施方式下面结合附图对本专利技术的具体实施方式做进一步说明。图1一种忆阻器电路图，包括：放大器U1、放大器U2、放大器U3、放大器U4、放大器U5、放大器U6、电阻R2、电阻R3、电阻R4、电阻R5、电阻R6、电阻R7、电阻R8、电阻R9、电阻R10、电阻Rb、电容C3、二极管D1、二极管D2和高速开关K1。忆阻器电路中放大器U1构成电压跟随电路，起到稳定输入电信号的作用；放大器U1的正向端与放大器U5的正向端相连；放大器U1的反向端与输出端相连；放大器U1的输出端经过电阻R7与放大器U2的反向端相连。忆阻器电路中放大器U2构成电压积分电路，用于对忆阻器的状态变量的进行积分；电阻R9连接于放大器U2的反向端与输出端之间；电阻R9主要是抑制积分漂移现象；电容C3连接于放大器U2的正向端与输出端之间；放大器U2的正向端通过电阻R10接地。放大器U3的正向端与放大器U4的反向端连接；放大器U3的反向端连接-1V的直流电压源；放大器U4的正向端连接1V的直流电压源；放大器U3的输出端通过二极管D1与高速开关K1的IN1端口相连；放大器U4的输出端通过二极管D2与高速开关K1的IN1端口相连；二极管D2的阴极通过电阻R8接地；放大器U3和放大器U4共同构成绝对值电路，实现忆阻器的状态变量的一个比较作用。高速开关K1的D1端口通过电阻Rb接地；高速开关K1的GND端口接地；高速开关K1的S1端口与放大器U6的正向端相连。电阻R6连接于放大器U6的正向端与输出端之间；电阻R5连接于放大器U6的反向端与输出端之间；放大器U6的反向端通电阻R4与地相连。电阻R3连接于放大器U5的正向端与输出端之间；电阻R2连接于放大器U5的反向端与输出端之间；放大器U5的反向端与高速开关的D1端口相连。基于图1所示的一种忆阻器电路图，进行PSPICE电路仿真。选取运算放大器为AD711，高速压控开关为ADG201，R2=R3=100kΩ，R4=2.5kΩ，R5=R6=R7=220Ω，Rb=1.47kΩ，R7=3kΩ，R8=4kΩ，R9=48kΩ，当输入正弦波信号幅值为5V、频率为1kΩ，忆阻器PSPICE电路仿真V-I曲线如图2所示。从图2可以看到，忆阻器PSPICE电路仿真V-I曲线展现出了忆阻器特有的迟滞曲线特性，并且不同于一般的光滑迟滞曲线，本专利技术公开的一种忆阻器电路V-I迟滞曲线是一种特殊的分段迟滞曲线。基于图1所示的一种忆阻器电路图，进行物理电路制作。示波器测得的忆阻器物理电路V-I曲线如图3所示。对比图3和图2，忆阻器物理电路V-I曲线和忆阻器PSPICE电路仿真V-I曲线的主要特性基本符合。上述实施例为本专利技术较佳的实施方式，但本专利技术的实施方式并不受上述实施例的限制，其他的任何未背离本专利技术的精神实质与原理下所作的改变、修饰、替代、组合、简化，均应为等效的置换方式，都包含在本专利技术的保护范围之内。本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种忆阻器电路，其特征在于，电路包括：放大器U1、放大器U2、放大器U3、放大器U4、放大器U5、放大器U6、电阻R2、电阻R3、电阻R4、电阻R5、电阻R6、电阻R7、电阻R8、电阻R9、电阻R10、电阻Rb、电容C3、二极管D1、二极管D2和高速开关K1。

【技术特征摘要】
1.一种忆阻器电路，其特征在于，电路包括：放大器U1、放大器U2、放大器U3、放大器U4、放大器U5、放大器U6、电阻R2、电阻R3、电阻R4、电阻R5、电阻R6、电阻R7、电阻R8、电阻R9、电阻R10、电阻Rb、电容C3、二极管D1、二极管D2和高速开关K1。2.根据权利要求1所述的一种忆阻器电路模型，其特征在于，放大器U1的正向端与放大器U5的正向端相连；放大器U1的反向端与放大器U1输出端相连；放大器U1的输出端经过电阻R7与放大器U2的反向端相连；电阻R9连接于放大器U2的反向端与输出端之间；电容C3连接于放大器U2的正向端与输出端之间；放大器U2的正向端通过电阻R10接地；放大器U3的正向端与放大器U4的反向端连...

【专利技术属性】
技术研发人员：王波，邹富成，成军，
申请(专利权)人：西华大学，
类型：发明
国别省市：四川,51