一种抗弯曲瓣状大模场单模光纤制造技术

一种抗弯曲瓣状大模场单模光纤，属于大功率光纤放大器、激光器、特种光纤。该光纤中心为掺稀土离子芯区(1)，由内到外分布围绕掺稀土离子芯区(1)均匀分布的N个相同半径、弧度和厚度的瓣状纤芯(2,1)……(2,N)，内包层(3)，外包层(4)，3≤N≤8整数；掺稀土离子芯区(1)的折射率剖面呈抛物线形，最大相对折射率差Δ＝(n1‑n2)，瓣状纤芯(2,1)……(2,N)的折射率相等，为n1；内包层(3)的折射率小于瓣状纤芯(2,1)……(2,N)的折射率，为n2；外包层(4)的折射率小于内包层(3)的折射率。本发明专利技术不仅解决了瓣状光纤弯曲带来的不利影响，提高了光纤的抗弯曲性能，而且实现大有效模场面积单模特性。本发明专利技术制作方法简便有效，适用于大规模生产。

【技术实现步骤摘要】
一种抗弯曲瓣状大模场单模光纤
本专利技术涉及一种抗弯曲瓣状大模场单模光纤，属于大功率光纤放大器、激光器、特种光纤领域。
技术介绍
掺稀土光纤放大器或激光器采用掺稀土元素(Nd，Sm，Ho，Er，Pr，Tm，Yb等)离子光纤，利用受激辐射机制实现光的直接放大。光纤激光器以其卓越的性能和低廉的价格，在光纤通信、工业加工、医疗、军事等领域取得了日益广泛的应用。随着激光技术应用的发展，材料加工、空间通信、激光雷达、光电对抗、激光武器等的发展，需要高功率、高质量的激光，要求单模输出功率达到MW甚至GW量级。而仅仅采用单模有源纤芯的双包层掺稀土光纤激光器，由于单模有源纤芯芯径小于等于10微米，受到非线性、结构元素和衍射极限的限制，承受的光功率有限，单模有源光纤纤芯连续波损坏阈值约1W/m2[J.Nilsson，J.K.Sahu，Y.Jeong，W.A.Clarkson，R.Selvas，A.B.Grudinin，andS.U.Alam，”HighPowerFiberLasers：NewDevelopments”，ProceedingsofSPIEVol.4974，50-59(2003)]，其光学本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.抗弯曲瓣状大模场单模光纤，其特征为：该光纤中心为掺稀土离子芯区(1)，由内到外分布围绕掺稀土离子芯区(1)均匀分布的N个相同半径、弧度和厚度的瓣状纤芯(21)……(2N)，内包层(3)，外包层(4)，3≤N≤8整数；掺稀土离子芯区(1)的折射率横剖面呈抛物线形，最大相对折射率差Δ＝(n1‑n2)，为0.3％～1.1％；稀土离子芯区(1)的中心、瓣状纤芯(21)……(2N)的折射率相等，为n1；内包层(3)的折射率小于瓣状纤芯(21)……(2N)的折射率，为n2；外包层(4)的折射率小于内包层(3)的折射率。

【技术特征摘要】
1.抗弯曲瓣状大模场单模光纤，其特征为：该光纤中心为掺稀土离子芯区(1)，由内到外分布围绕掺稀土离子芯区(1)均匀分布的N个相同半径、弧度和厚度的瓣状纤芯(21)……(2N)，内包层(3)，外包层(4)，3≤N≤8整数；掺稀土离子芯区(1)的折射率横剖面呈抛物线形，最大相对折射率差Δ＝(n1-n2)，为0.3％～1.1％；稀土离子芯区(1)的中心、瓣状纤芯(21)……(2N)的折射率相等，为n1；内包层(3)的折射率小于瓣状纤芯(21)……(2N)的折射率，为n2；外包层(4)的折射率小于内包层(3)的折射率。2.根据权利要求1所述的抗弯曲瓣状大模场单模光纤，...

【专利技术属性】
技术研发人员：马绍朔，李晶，祝小光，宁提纲，张传彪，李超，袁瑾，
申请(专利权)人：北京交通大学，
类型：发明
国别省市：北京,11