The invention provides a terahertz band metamaterial microwave absorber, which comprises a plurality of absorbing units continuously arranged along the plane. Each absorbing unit comprises a base, a metal layer directly above the base, a dielectric layer directly above the metal layer and a \II\ structure directly above the dielectric layer. The \II\ structure is horizontally attached to the surface of the dielectric layer. The cross section of the dielectric layer is rectangular, and the arm of the II-shaped structure is parallel to one side of the rectangle. The geometric center of the base, the geometric center of the metal layer, the geometric center of the dielectric layer and the geometric center of the II-shaped structure are in a straight line. The metamaterial microwave absorber provided by the invention has the advantages of multiple absorption frequency points, simple structure, thin thickness and easy preparation.
【技术实现步骤摘要】
一种太赫兹波段超材料吸波器
本专利技术涉及太赫兹
,具体涉及一种多频带超材料吸波器。
技术介绍
近年来,太赫兹波产生源与太赫兹波检测被公认为是制约太赫兹技术发展的两大关键问题。而太赫兹波的吸收和能量捕获是实现太赫兹检测的基础,也是太赫兹波标定、调控、转换和应用的核心问题。相对于热释电材料和量子阱结构,利用超材料构建的太赫兹吸波器具有高效吸收、高度集成、设计灵活、室温工作等综合优势。超材料是一种由亚波长人工单元按照一定规律排列所构成的人工电磁材料。由于人工单元的尺寸远小于工作波长,因此相对于工作波长而言是一种性能均匀的材料。超材料的优点在于可以通过调节人工单元的结构、尺寸和分布形式来任意控制材料的电磁属性,从而获得多种新颖的特性,如负折射率、超透镜、完美吸收等。其中基于超材料的完美吸波器,在某一频点或者频段内对入射电磁波既不反射也不透射,达到完全吸收的效果。目前,研究人员已经提出了多种超材料吸波器结构,但它们还面临着几个弊端:一、结构单元尺寸庞大,不利于器件的小型化和集成化发展;二、多层结构构建吸波器会大大增加了器件加工的难度和准确度,不利于器件的商业化发展;三、多频带吸收器的设计主要涉及一个、两个和三个频带,很少涉及更多频带吸波器的研究。这些问题将严重制约着超材料吸波器件的发展和实际应用。
技术实现思路
本专利技术的目的是为了提供一种工作于太赫兹波段的具有多个频带的超材料吸波器。本专利技术的目的是这样实现的:该超材料吸波器包括沿平面连续设置的多个吸波单元,所述每个吸波单元包括基底(1)、位于基底(1)正上方的金属层(2)、位于金属层(2)正上方的介质层( ...
【技术保护点】
1.一种太赫兹波段超材料吸波器,其特征在于:所述超材料吸波器,包括沿平面连续设置的多个吸波单元,每个吸波单元包括基底(1)、位于基底(1)正上方的金属层(2)、位于金属层(2)正上方的介质层(3)和位于介质层(3)正上方的“II”形结构(4),“II”形结构(4)水平贴附于介质层(3)表面;所述基底(1)、金属层(2)、介质层(3)的横剖面均为矩形,“II”形结构(4)的臂平行于矩形的其中一条边;所述基底(1)的几何中心、金属层(2)的几何中心、介质层(3)的几何中心和“II”形结构(4)的几何中心在一条直线上。
【技术特征摘要】
1.一种太赫兹波段超材料吸波器,其特征在于:所述超材料吸波器,包括沿平面连续设置的多个吸波单元,每个吸波单元包括基底(1)、位于基底(1)正上方的金属层(2)、位于金属层(2)正上方的介质层(3)和位于介质层(3)正上方的“II”形结构(4),“II”形结构(4)水平贴附于介质层(3)表面;所述基底(1)、金属层(2)、介质层(3)的横剖面均为矩形,“II”形结构(4)的臂平行于矩形的其中一条边;所述基底(1)的几何中心、金属层(2)的几何中心、介质层(3)的几何中心和“II”形结构(4)的几何中心在一条直线上。2.根据权利要求1所述的一种太赫兹波段超材料吸波器,其特征在于:所述金属层(2)和“II”形结构(4)由金、银、铜或铝中的一种金属材料制成。3.根据权利要求1所述的一种太赫兹波段超材料吸波器,其特征在于:所述金属层(2)的厚度dh2为0.2~1微米。4.根据权利要求1所述的一种太赫兹波段超材料吸波器...
【专利技术属性】
技术研发人员:胡丹,王红燕,朱巧芬,
申请(专利权)人:安阳师范学院,
类型:发明
国别省市:河南,41
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