一种窄边框触摸面板与制造方法技术

本发明专利技术提供一种触摸面板与制造方法，通过将触摸面板的在边框区域的复数条电路走线以绝缘介质层相隔的方式交替设置，利用绝缘介质层上所设置的复数个过孔以达成在不同层的电路走线相互电连接的功效，边框区域的电路走线所占用的宽度可大幅度缩小，以满足窄边框设计的要求。

A Narrow Border Touch Panel and Its Manufacturing Method

The invention provides a touch panel and a manufacturing method. By alternating the plural circuit routes of the touch panel in the border area with insulating dielectric layers, and utilizing the plural through holes arranged on the insulating dielectric layer, the effect of interconnecting circuit routes in different layers can be achieved. The width occupied by circuit routes in the border area can be greatly reduced to full. Full narrow frame design requirements.

【技术实现步骤摘要】
一种窄边框触摸面板与制造方法
本专利技术涉及触摸面板
，尤其是涉及一种窄边框触摸面板。
技术介绍
随着全面屏，高屏占比智能手机的发展，对人机交互的触摸面板的边框宽度尺寸的要求越来越高，全面屏且具备窄边框设计的手机已经在快速普及，而且竞争越来越激烈，各个手机制造商都在不断追求创新。传统触摸面板下面的背光支架左右两侧、上下两端(以柔性印刷电路板连接相关组件，例如前置摄像头等传感器区域)设置有挡墙结构，导致其增加了触摸面板非可视区域的边框宽度尺寸，触摸面板的可视区域之外的宽度尺寸影响了手机触摸屏窄边框的宽度。目前的手机因为受限于挡墙结构的设计无法突破而导致触摸面板的可视区域之外的边框的宽度尺寸都比较宽，一般都仍有大约3mm的宽度，屏占比比较小。目前消费者对智能手机产品的要求越来越高，对高屏占比、触摸面板的可视区域之外超窄边框宽度的需求很强烈。因此，现有的触摸面板设计结构仍有待突破创新。请参阅图1，图1为现有技术的触摸面板边框电路走线的结构示意图。现有技术的触摸面板的边框电路走线采用单面以一定间距的矩阵排列，边框宽度受限于金属黄光(线宽线距)制程能力。如图1所示，在可视区域12周围的复数条触摸电路走线13、14、15之间的间距18是根据金属黄光制程能力而决定其线宽线距，也就是说，边框需容纳有多少条触摸电路走线，边框宽度就会是多少倍的间距18。这样一来，将会导致触摸面板的边框宽度无法有效降低。因此，需要提出一种新的触摸面板以满足触摸面板在高屏占比、触摸面板的可视区域之外超窄边框宽度的需求。
技术实现思路
本专利技术提供一种触摸面板，能够满足触摸面板在高屏占比、触摸面板的可视区域之外超窄边框宽度的需求。本专利技术提供的技术方案如下：本专利技术的第一实施例提供一种触摸面板，所述触摸面板的边框上包括：复数条相应的上层电路走线和下层电路走线；至少一氧化铟锡(IndiumTinoxide，ITO)通道；复数个绑定电极；复数个过孔，所述过孔用于电连接相应的所述上层电路走线和所述下层电路走线、电连接相应的所述上层电路走线与所述ITO通道、电连接相应的所述上层电路走线与所述绑定电极、电连接相应的所述下层电路走线与所述绑定电极；其中相应的所述上层电路走线和所述下层电路走线以绝缘介质层相隔的方式交替设置，所述复数个过孔设置于所述绝缘介质层中，相应的所述下层电路走线直接与所述ITO通道电连接。本专利技术的第一实施例中，所述触摸面板为电容式的触摸面板。本专利技术的第一实施例中，所述上层电路走线、所述下层电路走线、所述过孔是以金属材料制成。本专利技术的第一实施例中，所述上层电路走线和所述下层电路走线是以金属材料制成，用于电连接相应的所述上层电路走线和所述下层电路走线的所述过孔是以金属材料制成，用于电连接相应的所述上层电路走线与所述ITO通道的所述过孔是以ITO材料制成。本专利技术的第二实施例提供一种触摸面板的电路走线制造方法，所述触摸面板包括：复数条相应的上层电路走线和下层电路走线；氧化铟锡(IndiumTinoxide，ITO)层以及第一ITO通道和第二ITO通道；复数个绑定电极；复数个过孔，所述过孔用于电连接相应的所述上层电路走线和所述下层电路走线、电连接相应的所述上层电路走线与所述ITO通道、电连接相应的所述上层电路走线与所述绑定电极、电连接相应的所述下层电路走线与所述绑定电极；其中相应的所述上层电路走线和所述下层电路走线以绝缘介质层相隔的方式交替设置，所述复数个过孔设置于所述绝缘介质层中，相应的所述下层电路走线直接与所述ITO通道电连接；所述触摸面板的电路走线制造方法包括：使用第一掩膜(Mask)进行所述ITO层的整面图案化制程；使用第二掩膜进行所述复数条下层电路走线的图案化制程；使用第三掩膜进行复数条相应的所述上层电路走线和所述下层电路走线之间的所述复数个过孔的图案化制程；使用第四掩膜进行所述复数条上层电路走线的图案化制程；使用第五掩膜进行所述第一ITO通道的ITO桥过孔的图案化制程；使用第六掩膜进行所述第二ITO通道的ITO桥接电路的图案化制程。本专利技术的第二实施例中，所述上层电路走线、所述下层电路走线与所述复数个过孔是以金属材料制成，所述ITO桥接电路是以ITO材料制成。本专利技术的第二实施例中，所述触摸面板为电容式的触摸面板。本专利技术的第三实施例提供一种触摸面板的电路走线制造方法，所述触摸面板包括：复数条相应的上层电路走线和下层电路走线；氧化铟锡(IndiumTinoxide，ITO)层；复数个绑定电极；复数个过孔，所述过孔用于电连接相应的所述上层电路走线和所述下层电路走线、电连接相应的所述上层电路走线与所述ITO层、电连接相应的所述上层电路走线与所述绑定电极、电连接相应的所述下层电路走线与所述绑定电极；其中相应的所述上层电路走线和所述下层电路走线以绝缘介质层相隔的方式交替设置，所述复数个过孔设置于所述绝缘介质层中，相应的所述下层电路走线直接与所述ITO层电连接；所述触摸面板的电路走线制造方法包括：使用第一掩膜进行所述ITO层的整面图案化制程；使用第二掩膜进行所述复数条下层电路走线的图案化制程；使用第三掩膜进行复数条相应的所述上层电路走线和所述下层电路走线之间的所述复数个过孔的图案化制程；使用第四掩膜进行所述上层电路走线与所述ITO层的桥接电路的图案化制程。本专利技术的第三实施例中，所述上层电路走线、所述下层电路走线、所述复数个过孔与所述桥接电路是以金属材料制成。本专利技术的第三实施例中，所述触摸面板为电容式的触摸面板。本专利技术实施例带来的有益效果为：本专利技术实施例所提供的触摸面板通过将触摸面板的在边框区域的电路走线以绝缘介质层相隔的方式交替设置，利用绝缘介质层上所设置的复数个过孔以达成在不同层的电路走线相互电连接的功效。与现有技术相较，边框区域的电路走线所占用的宽度可大幅度缩小，以满足窄边框设计的要求。附图说明为了更清楚地说明实施例或现有技术中的技术方案，下面将对实施例或现有技术描述中所需要使用的附图作简单介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是专利技术的一些实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图。图1为现有技术的触摸面板边框电路走线的结构示意图。图2为本专利技术实施例提供的触摸面板边框电路走线的结构示意图。图3为本专利技术实施例提供的触摸面板在边框边缘处的电路走线的结构示意图。图4为本专利技术实施例提供的触摸面板边框电路走线在可视区域的部份结构示意图。图5为本专利技术实施例提供的触摸面板边框电路走线在可视区域的部份结构示意图。图6为本专利技术实施例提供的触摸面板边框电路走线在绑定区域的结构示意图。具体实施方式在具体实施方式中提及“实施例”意指结合实施例描述的特定特征、结构或特性可以包含在本专利技术的至少一个实施例中。在说明书中的不同位置出现的相同用语并非必然被限制为相同的实施方式，而应当理解为与其它实施例互为独立的或备选的实施方式。在本专利技术提供的实施例所公开的技术方案启示下，本领域的普通技术人员应理解本专利技术所描述的实施例可具有其他符合本专利技术构思的技术方案结合或变化。以下各实施例的说明是参考附加的图式，用以例示本专利技术可用以实施的特定实施例。本专利技术所提到的方向用语，例如[上]、[下]、[前]、[后]、[左]、[右]、[内]、[本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种触摸面板，其特征在于，所述触摸面板的边框上包括：复数条相应的上层电路走线和下层电路走线；至少一氧化铟锡(Indium Tin oxide，ITO)通道；复数个绑定电极；复数个过孔，所述过孔用于电连接相应的所述上层电路走线和所述下层电路走线、电连接相应的所述上层电路走线与所述ITO通道、电连接相应的所述上层电路走线与所述绑定电极、电连接相应的所述下层电路走线与所述绑定电极；其中相应的所述上层电路走线和所述下层电路走线以绝缘介质层相隔的方式交替设置，所述复数个过孔设置于所述绝缘介质层中，相应的所述下层电路走线直接与所述ITO通道电连接。

【技术特征摘要】
1.一种触摸面板，其特征在于，所述触摸面板的边框上包括：复数条相应的上层电路走线和下层电路走线；至少一氧化铟锡(IndiumTinoxide，ITO)通道；复数个绑定电极；复数个过孔，所述过孔用于电连接相应的所述上层电路走线和所述下层电路走线、电连接相应的所述上层电路走线与所述ITO通道、电连接相应的所述上层电路走线与所述绑定电极、电连接相应的所述下层电路走线与所述绑定电极；其中相应的所述上层电路走线和所述下层电路走线以绝缘介质层相隔的方式交替设置，所述复数个过孔设置于所述绝缘介质层中，相应的所述下层电路走线直接与所述ITO通道电连接。2.根据权利要求1所述的触摸面板，其特征在于，所述触摸面板为电容式的触摸面板。3.根据权利要求1所述的触摸面板，其特征在于，所述上层电路走线、所述下层电路走线、所述过孔是以金属材料制成。4.根据权利要求1所述的触摸面板，其特征在于，所述上层电路走线和所述下层电路走线是以金属材料制成，用于电连接相应的所述上层电路走线和所述下层电路走线的所述过孔是以金属材料制成，用于电连接相应的所述上层电路走线与所述ITO通道的所述过孔是以ITO材料制成。5.一种触摸面板的电路走线制造方法，其特征在于：所述触摸面板包括：复数条相应的上层电路走线和下层电路走线；氧化铟锡(IndiumTinoxide，ITO)层以及第一ITO通道和第二ITO通道；复数个绑定电极；复数个过孔，所述过孔用于电连接相应的所述上层电路走线和所述下层电路走线、电连接相应的所述上层电路走线与所述ITO通道、电连接相应的所述上层电路走线与所述绑定电极、电连接相应的所述下层电路走线与所述绑定电极；其中相应的所述上层电路走线和所述下层电路走线以绝缘介质层相隔的方式交替设置，所述复数个过孔设置于所述绝缘介质层中，相应的所述下层电路走线直接与所述ITO通道电连接；所述触摸面板的电路走线制造方法包括：使用第一掩膜(Mask)进行所述ITO层的整面图案化制程；使用第二掩...

【专利技术属性】
技术研发人员：祐卫国，
申请(专利权)人：武汉华星光电半导体显示技术有限公司，
类型：发明
国别省市：湖北,42