用于控制电感式负载的电路装置制造方法及图纸

用于控制电感式负载的电路装置。介绍一种用于操控能够与负载接头（INJ_HS）连接的电感式负载（IL）的电路装置，具有：第一MOS场效应晶体管（T1），其连接在用于第一供给电压源（VSQ1）的高电势的第一接头（UV）与所述负载接头（INJ_HS）之间；由自由振荡二极管（FD）和第二MOS场效应晶体管（T2）构成的串联电路，其连接在所述负载接头（INJ_HS）与用于所述第一供给电压源（VSQ1）的低电势的第二接头（GND）之间，其中，所述自由振荡二极管（FD）以其阴极与所述负载接头（INJ_HS）连接，其中，在所述第一MOS场效应晶体管（T1）的漏极接头和栅极接头之间连接着由至少一个沿截止方向极化的第一齐纳二极管（ZD1）和沿导通方向极化的第一二极管（D1）构成的串联电路，其中，第一控制信号接头（SA1）与所述第二MOS场效应晶体管（T2）的栅极接头连接，且通过与电路（UND）与所述第一MOS场效应晶体管（T1）的栅极接头连接。

A Circuit Device for Controlling Inductive Load

A circuit device for controlling inductive loads. A circuit device for manipulating inductant load (IL) that can be connected with load connector (INJ_HS) is introduced. It has: a first MOS field effect transistor (T1), which is connected between a high potential first connector (UV) for the first supply voltage source (VSQ1) and the load connector (INJ_HS); a free oscillating diode (FD) and a second MOS field effect transistor (T2). ) A series circuit consisting of a load connector (INJ_HS) connected with a low potential second connector (GND) for the first supply voltage source (VSQ1), wherein the free oscillating diode (FD) is connected with its cathode and the load connector (INJ_HS), where the drain connector and the gate connector of the first MOSFET (T1) are connected. A series circuit consisting of at least one first Zener diode (ZD1) polarized along the cut-off direction and a first diode (D1) polarized along the conduction direction is connected, in which the first control signal connector (SA1) is connected with the gate connector of the second MOSFET (T2) and the gate connector of the circuit (UND) and the first MOSFET (T1) is connected. Connect.

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】用于控制电感式负载的电路装置
本专利技术涉及一种用于操控能够与负载接头连接的负载的电路装置，其具有第一MOS场效应晶体管并且具有自由振荡二极管，该第一MOS场效应晶体管连接在用于第一供给电压源的高电势的第一接头与所述负载接头之间，该自由振荡二极管连接在所述负载接头与用于第一供给电压源的低电势的第二接头之间，其中，自由振荡二极管以其阴极与所述负载接头连接。
技术介绍
这种电路装置由DE102014219048A1已知。待操控的电感式负载可以是任何种类的磁性操纵的致动器比如燃料喷射阀，或者是如在机动车中广泛使用的那样的马达。如DE102014219048A1的图4中所示，这种电路装置的运行通常如下：MOS场效应晶体管由通过对于控制电路的操控来闭合，该控制电路可以例如实现为微处理器，由此电感式负载通过由MOS场效应晶体管实现的开关从供给电压源被通电。在此，电流上升至第一预先给定的阈值，然后场效应晶体管又断开，并且蓄存在电感式负载中的磁能通过感应的流经自由振荡二极管的电流而减小，直至电流达到第二较小的阈值，然后场效应晶体管又闭合。这一点周期性地持续，从而通过该脉动式的运行而在电感式负载中产生本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种用于操控能够与负载接头（INJ_HS）连接的电感式负载（IL）的电路装置，所述电路装置具有第一MOS场效应晶体管（T1）和串联电路，所述第一MOS场效应晶体管连接在用于第一供给电压源（VSQ1）的高电势的第一接头（UV）与所述负载接头（INJ_HS）之间，所述串联电路由自由振荡二极管（FD）和第二MOS场效应晶体管（T2）构成，所述串联电路连接在所述负载接头（INJ_HS）与用于所述第一供给电压源（VSQ1）的低电势的第二接头（GND）之间，其中，所述自由振荡二极管（FD）以其阴极与所述负载接头（INJ_HS）连接，其中，在所述第一MOS场效应晶体管（T1）的漏极接头和栅极接头之间连接...

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】2016.07.19 DE 102016213200.8;2016.07.18 EP 16465511.一种用于操控能够与负载接头（INJ_HS）连接的电感式负载（IL）的电路装置，所述电路装置具有第一MOS场效应晶体管（T1）和串联电路，所述第一MOS场效应晶体管连接在用于第一供给电压源（VSQ1）的高电势的第一接头（UV）与所述负载接头（INJ_HS）之间，所述串联电路由自由振荡二极管（FD）和第二MOS场效应晶体管（T2）构成，所述串联电路连接在所述负载接头（INJ_HS）与用于所述第一供给电压源（VSQ1）的低电势的第二接头（GND）之间，其中，所述自由振荡二极管（FD）以其阴极与所述负载接头（INJ_HS）连接，其中，在所述第一MOS场效应晶体管（T1）的漏极接头和栅极接头之间连接着串联电路，所述串联电路由至少一个沿截止方向极化的第一齐纳二极管（ZD1）和沿导通方向极化的第一二极管（D1）构成，其中，第一控制信号接头（SA1）与所述第二MOS场效应晶体管（T2）的栅极接头连接，且通过与电路（UND）与所述第一MOS场效应晶体管（T1）的栅极接头连接。2.按权利要求1所述的电路装置，其特征在于，所述第二MOS场效应晶体管（T2）具有第一负载线路接头和第二负载线路接头以及栅极接头，所述第二负载线路接头与用于所述第一供给电压源（...

【专利技术属性】
技术研发人员：Z克索卡，O卢卡，
申请(专利权)人：大陆汽车有限公司，
类型：发明
国别省市：德国,DE