The invention discloses a 5G standard source high frequency crystal oscillator circuit, which belongs to the field of standard source crystal oscillator. The crystal oscillator control circuit includes low frequency crystal oscillator unit, high frequency crystal oscillator unit and coordinated control unit, low frequency crystal oscillator unit outputs clock frequency Vout1 to coordinated control unit, high frequency crystal oscillator unit outputs clock frequency Vout2 to coordinated control unit, and coordinated control single unit. According to the clock frequency Vout1 and the clock frequency Vout2, the control signal PWM is generated and transmitted to the high frequency crystal oscillator unit. The high frequency crystal oscillator unit adjusts the clock frequency Vout2 according to the received control signal PWM and outputs the clock frequency Vout2 to the outside world. The invention has the effect of ensuring the clock frequency stability for a long time when the high frequency clock frequency is output.
【技术实现步骤摘要】
5G标准源高频晶振电路
本专利技术涉及标准源晶振的
,尤其是涉及一种5G标准源高频晶振电路。
技术介绍
目前单片机等中央处理器或集成芯片在工作时都需要时钟电路为其提供稳定的时钟振荡频率,即时间信号,时钟电路的时钟振荡频率越快中央处理器或集成芯片所能够控制的时间越精确。而时钟电路中主要是依靠晶振电路来产生振荡频率,在5G等需要高时钟频率的技术中,需要晶振电路产生极高并且稳定的振荡频率。通常的高频晶振电路非常容易受到外界温度、振动等条件的影响,并且难以长时间使用,所以在使用高频晶振电路时,大部分厂家都会给高频晶振电路加入各种补偿电路,或直接采用低频晶振电路放大频率。现有技术可参考授权公告号为CN207504824U的中国技术专利,其公开了一种高频晶体振荡器,包括产生振荡信号的晶体振荡器,还包括至少两级倍频放大电路和整形匹配电路;所述的倍频放大电路包括将振荡信号进行倍频的倍频电路、对倍频电路输出信号进行滤波的第一带通滤波电路,对带通滤波电路输出的倍频振荡信号进行放大的放大电路;最后一级倍频放大电路中的放大电路输出信号经过整流匹配电路整流匹配以后输出。上述中的现有技术方案存在以下缺陷:5G等高精尖技术通常需要的振荡频率非常高,通常为100MHz。在这种晶振电路的振荡频率极高的前提下,补偿电路难以解决高频晶振电路在长时间使用后产生的频率不稳定的问题,而采用上述低频晶体振荡器加上放大电路提高震荡频率的方式,难以将低频的振荡频率放大成稳定的高频振荡频率。
技术实现思路
本专利技术的目的是提供一种5G标准源高频晶振电路,在输出较高频的时钟频率时,也能够长时间保证时钟频率 ...
【技术保护点】
1.一种5G标准源高频晶振电路,包括晶振控制电路(1),其特征在于,晶振控制电路(1)包括:低频晶振单元(11),所述低频晶振单元(11)包括低频压控温补晶体振荡器(111),低频压控温补晶体振荡器(111)能够接收外界输入的时钟脉冲并输出低频的时钟频率Vout1;高频晶振单元(13),所述高频晶振单元(13)包括高频压控晶体振荡器(131),高频压控晶体振荡器(131)能够输出高频的时钟频率Vout2并将时钟频率Vout2传输给外界;协调控制单元(12),所述协调控制单元(12)连接低频晶振单元(11)和高频晶振单元(13),协调控制单元(12)包括连接低频压控温补晶体振荡器(111)和高频压控晶体振荡器(131)的控制芯片(121),控制芯片(121)接收低频压控温补晶体振荡器(111)输出的时钟频率Vout1和高频压控晶体振荡器(131)输出的时钟频率Vout2,控制芯片(121)根据时钟频率Vout1与时钟频率Vout2生成控制信号PWM,并将控制信号PWM传输给高频压控晶体振荡器(131),高频压控晶体振荡器(131)根据接收到的控制信号PWM调整并输出时钟频率Vout2。
【技术特征摘要】
1.一种5G标准源高频晶振电路,包括晶振控制电路(1),其特征在于,晶振控制电路(1)包括:低频晶振单元(11),所述低频晶振单元(11)包括低频压控温补晶体振荡器(111),低频压控温补晶体振荡器(111)能够接收外界输入的时钟脉冲并输出低频的时钟频率Vout1;高频晶振单元(13),所述高频晶振单元(13)包括高频压控晶体振荡器(131),高频压控晶体振荡器(131)能够输出高频的时钟频率Vout2并将时钟频率Vout2传输给外界;协调控制单元(12),所述协调控制单元(12)连接低频晶振单元(11)和高频晶振单元(13),协调控制单元(12)包括连接低频压控温补晶体振荡器(111)和高频压控晶体振荡器(131)的控制芯片(121),控制芯片(121)接收低频压控温补晶体振荡器(111)输出的时钟频率Vout1和高频压控晶体振荡器(131)输出的时钟频率Vout2,控制芯片(121)根据时钟频率Vout1与时钟频率Vout2生成控制信号PWM,并将控制信号PWM传输给高频压控晶体振荡器(131),高频压控晶体振荡器(131)根据接收到的控制信号PWM调整并输出时钟频率Vout2。2.根据权利要求1所述的5G标准源高频晶振电路,其特征在于:低频压控温补晶体振荡器(111)的OUT口电连接有电容C2,控制芯片(121)的REFIN口电连接于电容C2的另一端。3.根据权利要求1所述的5G标准源高频晶振电路,其特征在于:控制芯片(121)的CP口电连接有电阻R1,高频压控晶体振荡器(131)的VC口电连接于电阻R1的另一端,高频压控晶体振荡器(131)的GND口接地,并且高频压控晶体振荡器(131)的GND口与VC口之间并联有电容C1。4.根据权利要求1所述的5G标准源高频晶振电路,其特征在于:高频压控晶体振荡器(131)的VCC口电连接有标准源VCC,高频压控晶体振荡器(131)的VCC口与标准源VCC之间并联有电容C5和电容C6,电容C5和电容C6之间电连接有接地端。5.根据权利要求1所述的5G标准源高频晶振电路,其特征在于:晶振控制电路(1...
【专利技术属性】
技术研发人员:陈功,
申请(专利权)人:深圳市金科泰通信设备有限公司,
类型:发明
国别省市:广东,44
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