The invention discloses a method for detecting normal welding between bypass capacitors and chips, including: welding the bypass capacitors and the chips to the circuit board; discharging the bypass capacitors; setting reference electrical parameters and charging the bypass capacitors, while the chip starts counting, and the core when the charging voltage reaches the reference voltage. When the chip counting stops, the value N is obtained; the measured capacitance of the bypass capacitance is obtained according to the reference electrical parameters and the value N; and whether the measured capacitance of the bypass capacitance is consistent with the actual capacitance is compared. The invention does not need special testing equipment for injection detection, and has simple method, low cost, intuitive and clear results, and is convenient to find problems.
【技术实现步骤摘要】
一种检测旁路电容至芯片之间是否正常焊接的方法
本专利技术属于触摸屏
,更具体地说,涉及一种检测旁路电容至芯片之间是否正常焊接的方法。
技术介绍
目前电容式触摸屏技术在人机交互类消费电子产品领域应用越来越广泛。根据测量方法和实现方式的不同,可以将电容式触摸屏分为互电容触摸屏和自电容触摸屏,互电容触摸屏主要应用于可支持多指操作的情况,自电容触摸屏则主要应用于单指或者两指操作的情况。由于自电容触摸屏具有比互电容触摸屏结构简单,制作成本相对较低等优势,因而其在触控领域也得到了广泛应用。自电容触摸屏的稳定性相对互电容来说比较差,需要通过滤波来提高自电容触摸屏的稳定性,因此自电容触摸屏对旁路电容的要求比较高。在制作自电容的过程中难免会有旁路电容没有焊好的情况,就会影响整个系统的性能,最终影响用户的使用效果。
技术实现思路
为了在不增加硬件成本的情况下更有效率的检测硬件方面的问题,本专利技术提出一种检测旁路电容至芯片之间是否正常焊接的方法。本专利技术的一种检测旁路电容至芯片之间是否正常焊接的方法,包括:将所述旁路电容与所述芯片焊接至电路板上;对所述旁路电容进行放电;设置基准电学参数,并对所述旁路电容进行充电,同时所述芯片开始计数,当充电至电容电压达到基准电压时,所述芯片计数停止,得到数值N;依据所述基准电学参数和所述数值N获得所述旁路电容的测量容值;以及比较所述旁路电容的测量容值与实际容值是否一致。可选的,对于所述的检测旁路电容至芯片之间是否正常焊接的方法,进行多次放电和充电的循环过程,以获得所述旁路电容的多个采样容值,并对所述多个采样容值进行滤波,得到所述旁路电容的 ...
【技术保护点】
1.一种检测旁路电容至芯片之间是否正常焊接的方法,其特征在于,包括:将所述旁路电容与所述芯片焊接至电路板上;对所述旁路电容进行放电;设置基准电学参数,并对所述旁路电容进行充电,同时所述芯片开始计数,当充电至电容电压达到基准电压时,所述芯片计数停止,得到数值N;依据所述基准电学参数和所述数值N获得所述旁路电容的测量容值;以及比较所述旁路电容的测量容值与实际容值是否一致。
【技术特征摘要】
1.一种检测旁路电容至芯片之间是否正常焊接的方法,其特征在于,包括:将所述旁路电容与所述芯片焊接至电路板上;对所述旁路电容进行放电;设置基准电学参数,并对所述旁路电容进行充电,同时所述芯片开始计数,当充电至电容电压达到基准电压时,所述芯片计数停止,得到数值N;依据所述基准电学参数和所述数值N获得所述旁路电容的测量容值;以及比较所述旁路电容的测量容值与实际容值是否一致。2.根据权利要求1所述的检测旁路电容至芯片之间是否正常焊接的方法,其特征在于,进行多次放电和充电的循环过程,以获得所述旁路电容的多个采样容值,并对所述多个采样容值进行滤波,得到所述旁路电容的测量容值。3.根据权利要求1或2所述的检测旁路电容至芯片之间是否正常焊接的方法,其特征在于,所述基准电学参数包括所述基准电压U、电流I、频率F,其中F为电容驱动平均频率。4.根据权利要求3所述的检测旁路电容至芯片之间是否正常焊接的方法,其特征在于,所述旁路电容的采样容值T为时间。...
【专利技术属性】
技术研发人员:杨忠牛,度微,
申请(专利权)人:上海海栎创微电子有限公司,
类型:发明
国别省市:上海,31
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