The invention provides a method for preparing monoclinic copper telluride, belonging to the technical field of preparing new materials. The cubic Telluride powder with trigonal crystal structure was used as starting material and packaged in pressure generating device. Symmetrical diamond was used to pressurize anvil press. The sample was continuously pressurized to 11.28-39.10 GPa at room temperature, then the pressure was slowly relieved to normal temperature and pressure to obtain monoclinic CuTelluride. The sample prepared by the invention has monoclinic crystal structure of cuprous telluride. After pressure relief, the sample still maintains monoclinic phase structure, has good crystallinity and high temperature sensitivity. The method of the invention has the advantages of simple process, short synthesis time and room temperature operation, is convenient for large-scale quantitative production, and has important potential applications in the application field of new materials.
【技术实现步骤摘要】
一种制备单斜相碲化亚铜的方法
本专利技术属于新材料制备的
，特别涉及一种有效地制备单斜相碲化亚铜的方法。
技术介绍
材料的晶体结构会很大程度上影响材料的光学、电学、磁学、催化等物理和化学性质，因此，合成新晶体结构的材料一直是人们所关注的科学问题和致力的研究方向。碲化亚铜是一类重要的I-VI族p型半导体，在太阳能电池，热电材料，光探测器和光学数据存储等方面都有着潜在的应用。因此，人们一直在寻求一种更加有效的方法实现碲化亚铜的制备。由于具有广泛的应用潜力，新晶体结构的碲化亚铜的合成和性质研究吸引着人们广泛的研究兴趣。常温常压下，碲化亚铜为三方结构。目前为止，没有公开的文献报道合成出新的晶体结构的碲化亚铜。
技术实现思路
本专利技术要解决的技术问题是：克服
技术介绍
存在的不足，提供一种有效地制备单斜相晶体结构的碲化亚铜的方法。通过选择常压下的三方结构的碲化亚铜为起始原料，利用压力产生装置进行加压(如图1所示)，当压力完全卸下之后，得到的单斜结构的碲化亚铜能够在常温常压下稳定存在。本专利技术的技术方案如下：一种制备单斜相碲化亚铜的方法，其特征在于，以三方相晶体结构的碲化亚...
【技术保护点】
1.一种制备单斜相碲化亚铜的方法，其特征在于，以三方相晶体结构的碲化亚铜粉末为起始原料，并封装到压力产生装置中，利用对称式金刚石对顶砧压机进行加压，常温下对样品进行持续加压至11.28～39.10GPa，随后缓慢卸去压力至常温常压，得到单斜相碲化亚铜。
【技术特征摘要】
1.一种制备单斜相碲化亚铜的方法，其特征在于，以三方相晶体结构的碲化亚铜粉末为起始原料，并封装到压力产生装置中，利用对称式金刚石对顶砧压机进行加压，常温下对样品进行持续加压至11.28～39.10GPa，随后缓慢卸去压力至常温常压，得到单斜相...
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