一种量子点液晶面板及其制备方法技术

技术编号:20544896 阅读:47 留言:0更新日期:2019-03-09 17:53
本申请提供一种量子点液晶面板及其制备方法,该方法包括:提供一阵列基板和包含有阵列分布的红光量子点色阻块、绿光量子点色阻块以及蓝光量子点色阻块的彩膜基板;然后将阵列基板与彩膜基板对向贴合,在阵列基板与彩膜基板之间注入自配向液晶材料,自配向液晶材料包括液晶分子与自配向材料;再对自配向液晶材料进行加热处理,温度保持在第一阈值到第二阈值之间,使得自配向材料移动至阵列基板以及彩膜基板表面,以分别形成第一自配向膜与第二自配向膜,以解决当前量子点液晶面板采用配向液进行配向时,无法实现低温配向的现状。

A Quantum Dot Liquid Crystal Panel and Its Preparation Method

The present application provides a quantum dot liquid crystal panel and a preparation method thereof. The method includes: providing an array substrate and a color film substrate comprising a red light quantum dot color block with an array distribution, a green light quantum dot color block and a blue light quantum dot color block; then the array substrate and the color film substrate are joined in opposite directions, and self-aligning liquid crystal material is injected between the array substrate and the color film substrate. The aligned liquid crystal material includes liquid crystal molecule and self-aligned material; then the aligned liquid crystal material is heated, and the temperature is kept between the first and the second threshold, so that the self-aligned material moves to the surface of the array substrate and the color film substrate to form the first self-aligned film and the second self-aligned film respectively, so as to solve the problem of the alignment of the current quantum dot liquid crystal panel using the aligned liquid. It is impossible to realize the current situation of low temperature alignment.

【技术实现步骤摘要】
一种量子点液晶面板及其制备方法
本申请涉及液晶面板
,尤其涉及一种量子点液晶面板及其制备方法。
技术介绍
量子点(QD)材料拥有较宽的吸收峰,和较窄的发射峰,使其在颜色显示上可以表现更高的纯度,从而提升LCD色域,增加LCD面板的竞争力。现有QD-LCD沿用LCD的工艺路线,液晶配向是其中的的一个关键步骤,传统LCD配向液(PI)需要在220~240℃才能固化,然而由于QD对热的敏感性极高,高温破坏QD材料的稳定性,使其发光表现降低。同时由于采用PI配向,PI液需要涂布在InCellPOL上(WGP),存在WGP被破坏以及PI液与WGP的不沾的风险。因此,现有技术存在缺陷,急需改进。
技术实现思路
本申请提供一种量子点液晶面板及其制备方法,能够解决当前QD-LCD采用PI进行配向时,无法实现低温配向的现状,同时解决PI与纳米压印偏光片表面存在的PI不沾隐患。为解决上述问题,本申请提供的技术方案如下:本申请提供一种量子点液晶面板的制备方法,所述方法包括以下步骤:步骤S10,提供一阵列基板和一彩膜基板,所述彩膜基板包括阵列分布的红光量子点色阻块、绿光量子点色阻块以及蓝光量子点色阻块;步本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种量子点液晶面板的制备方法,其特征在于,所述方法包括以下步骤:步骤S10,提供一阵列基板和一彩膜基板,所述彩膜基板包括阵列分布的红光量子点色阻块、绿光量子点色阻块以及蓝光量子点色阻块;步骤S20,将所述阵列基板与所述彩膜基板对向贴合,在所述阵列基板与所述彩膜基板之间注入自配向液晶材料,所述自配向液晶材料包括液晶分子与自配向材料;步骤S30,对所述自配向液晶材料进行加热处理,温度保持在第一阈值到第二阈值之间,使得所述自配向材料移动至所述阵列基板以及所述彩膜基板表面,以分别形成第一自配向膜与第二自配向膜。

【技术特征摘要】
1.一种量子点液晶面板的制备方法,其特征在于,所述方法包括以下步骤:步骤S10,提供一阵列基板和一彩膜基板,所述彩膜基板包括阵列分布的红光量子点色阻块、绿光量子点色阻块以及蓝光量子点色阻块;步骤S20,将所述阵列基板与所述彩膜基板对向贴合,在所述阵列基板与所述彩膜基板之间注入自配向液晶材料,所述自配向液晶材料包括液晶分子与自配向材料;步骤S30,对所述自配向液晶材料进行加热处理,温度保持在第一阈值到第二阈值之间,使得所述自配向材料移动至所述阵列基板以及所述彩膜基板表面,以分别形成第一自配向膜与第二自配向膜。2.根据权利要求1所述的制备方法,其特征在于,所述第一阈值为所述液晶分子到达液晶清亮点所对应的温度值,所述第二阈值为150℃。3.根据权利要求1所述的制备方法,其特征在于,所述方法还包括以下步骤:步骤S40,采用紫外光照射以对所述液晶分子进行配向。4.一种量子点液晶面板,其特征在于,包括:彩膜基板,所述彩膜基板包括衬底基板及间隔设置于所述衬底基板上的红光量子点色阻块、绿光量子点色阻块以及蓝光量子点色阻块;阵列基板,所述阵列基板与所述彩膜基板相对设置;蓝光背光源,所述蓝光背光源设于所述阵列基板远离所述彩膜基板的一侧;以及液晶层,设置于所述彩膜基板与所述阵列基板之间...

【专利技术属性】
技术研发人员:杨超群黄长治
申请(专利权)人:武汉华星光电技术有限公司
类型:发明
国别省市:湖北,42

网友询问留言 已有0条评论
  • 还没有人留言评论。发表了对其他浏览者有用的留言会获得科技券。

1