发光元件的制造方法技术

本发明专利技术提供一种能够提升生产性的发光元件的制造方法。根据实施方式，发光元件的制造方法包括激光照射工序和分离工序。激光照射工序对具有第一面的衬底照射激光。激光照射工序包括沿多个第一线以激光进行扫描的第一照射工序和沿多个第二线以激光进行扫描的第二照射工序。多个第一线沿第一方向延伸且沿第二方向排列。多个第二线沿第二方向延伸且沿第一方向排列。多个第一线的第一间距大于多个第二线的第二间距。第一照射工序中的激光的照射的间距为2.0μm以下。分离工序沿多个第二线将晶片分离成多个条后，沿多个第一线将条分离成多个发光元件。

Manufacturing Method of Light Emitting Elements

The invention provides a manufacturing method of light-emitting elements capable of improving productivity. According to the embodiment, the manufacturing method of the light emitting element includes a laser irradiation process and a separation process. The laser irradiation process irradiates the substrate with the first surface. The laser irradiation process includes the first irradiation process of scanning with laser along a plurality of first lines and the second irradiation process of scanning with laser along a plurality of second lines. Multiple first lines extend in the first direction and are arranged in the second direction. Multiple second lines extend in the second direction and are arranged in the first direction. The first spacing of multiple first lines is larger than the second spacing of multiple second lines. The spacing of laser irradiation in the first irradiation procedure is less than 2.0 um. The separation process separates the wafer into several strips along a number of second lines, and then separates the strip into several light-emitting elements along a number of first lines.

【技术实现步骤摘要】
发光元件的制造方法
本专利技术涉及发光元件的制造方法。
技术介绍
在衬底上层积构成发光层的化合物半导体而成的发光元件的制造方法中，提出有如下方法：通过进行激光照射来形成元件分离线。就发光元件的制造方法而言，期望提升生产性。现有技术文献专利文献专利文献1：(日本)特许5119463号公报
技术实现思路
本专利技术提供能够提升生产性的发光元件的制造方法。根据本专利技术的一方面，发光元件的制造方法包括激光照射工序和分离工序。上述激光照射工序对包括衬底和半导体构造的晶片的上述衬底照射激光，在上述衬底的内部形成多个改性区域，上述衬底具有第一面及第二面，上述半导体构造设于上述第二面。上述分离工序在上述激光照射工序之后将上述晶片分离成多个发光元件。上述激光照射工序包括沿多个第一线以上述激光进行扫描的第一照射工序、和沿多个第二线以上述激光进行扫描的第二照射工序。上述多个第一线沿第一方向延伸且沿第二方向排列，上述第一方向平行于上述第一面，上述第二方向平行于上述第一面且与上述第一方向交叉。上述多个第二线沿上述第二方向延伸且沿上述第一方向排列。上述多个第一线在上述第二方向上的第一间距大于上述多个第二线在上述第一方向上的第二间距。上述第一照射工序中上述激光沿着多个第一线之一进行照射时，上述激光对沿着上述第一方向的多个第一位置进行照射，沿着上述第一方向的上述多个第一位置的第一照射间距为2.0μm以下。上述分离工序包括第一分离工序和第二分离工序，上述第一分离工序沿上述多个第二线将上述晶片分离成多个条，上述第二分离工序在上述第一分离工序之后沿上述多个第一线将上述条分离成上述多个发光元件。根据本专利技术的一方面，可提供一种能够提升生产性的发光元件的制造方法。附图说明图1是例示实施方式的发光元件的制造方法的流程图；图2是例示实施方式的发光元件的制造方法中使用的晶片的示意图；图3是例示实施方式的发光元件的制造方法中使用的晶片的示意图；图4是例示实施方式的发光元件的制造方法的一部分的示意图；图5是例示实施方式的发光元件的制造方法的一部分的示意性平面图；图6是例示实施方式的发光元件的制造方法的一部分的示意性平面图；图7是例示实施方式的发光元件的制造方法的一部分的示意性平面图；图8是例示实施方式的发光元件的制造方法的一部分的示意性平面图；图9是例示与发光元件的分离相关的实验结果的图。附图标记说明50…衬底；50W…晶片；50a…第一面；50b…第二面；51…半导体构造；51e…发光元件；51r…区域；52…条；53…改性区域；55…取向参考面；61…激光；61a、61b…第一、第二位置；AR…箭头；D1、D2…第一、第二方向；F1…破断强度；L1、L2…第一、第二线；Lp…激光照射间距；Lp1、Lp2…第一、第二照射间距；P1、P2…第一、第二间距。具体实施方式以下，参照附图对本专利技术的各实施方式进行说明。需要说明的是，附图是示意性或概念性的图，各部分的厚度与宽度的关系、部分间的大小的比率等未必与实物相同。另外，即使在表示相同部分的情况下，有时也会根据附图的不同而以相异的方式表示彼此的尺寸或比例。此外，本申请说明书中，关于既述的附图，对于与前述相同的要素标注同一标记并适当省略详细的说明。图1是例示实施方式的发光元件的制造方法的流程图。图2及图3是例示实施方式的发光元件的制造方法中使用的晶片的示意图。图2是图3的II－II线剖面图。图3是从图2的箭头AR观察的平面图。如图1所示，实施方式的发光元件的制造方法包括激光照射工序(步骤S110)及分离工序(步骤S120)。激光照射工序包括第一照射工序(步骤S111)及第二照射工序(步骤S112)。分离工序包括第一分离工序(步骤S121)及第二分离工序(步骤S122)。在激光照射工序中，对晶片照射激光。以下，对晶片的例子进行说明。如图2及图3所示，晶片50W包括衬底50及半导体构造51。衬底50具有第一面50a及第二面50b。第二面50b是与第一面50a相反侧的面。半导体构造51例如设于第二面50b。半导体构造51例如包括n型半导体层、活性层及p型半导体层。n型半导体层位于p型半导体层与衬底50之间。活性层位于p型半导体层与n型半导体层之间。半导体构造51例如包含InxAlyGa1－x－yN(0≤x，0≤y，x+y＜1)等氮化物半导体。活性层发出的光的峰值波长例如为360nm以上且650nm以下。将从第二面50b朝向第一面50a的方向设为Z轴方向。将与Z轴方向垂直的一个方向设为X轴方向。将与Z轴方向及X轴方向垂直的方向设为Y轴方向。第一面50a及第二面50b沿X－Y平面扩展。Z轴方向对应于衬底50的厚度方向(例如，深度方向)。如图3所示，半导体构造51例如包含多个区域51r。多个区域51r各自对应于一个发光元件。多个区域51r沿第一方向D1及第二方向D2排列。第一方向D1是与第一面50a平行的一个方向。第二方向D2与第一面50a平行且与第一方向D1交叉。第二方向D2例如与第一方向D1垂直。该例中，第一方向D1沿着Y轴方向。第二方向D2沿着X轴方向。例如，衬底50例如由蓝宝石组成。衬底50例如是蓝宝石衬底(例如，c面蓝宝石衬底)。就衬底50而言，第一面50a也可以相对于c面倾斜。在衬底50是蓝宝石衬底的情况下，在一个例子中，第一方向D1沿着蓝宝石衬底的a轴。此时，第二方向D2沿着蓝宝石衬底的m轴。衬底50具有取向参考面55。该例中，取向参考面55的延伸方向沿着晶片50W的第二方向D2。在实施方式中，第一方向D1与取向参考面55的延伸方向之间的关系是任意的。第二方向D2与取向参考面55的延伸方向之间的关系是任意的。对这种晶片50W照射激光。将晶片50W沿着多个区域51r的边界分离。可从多个区域51r得到多个发光元件。图4是例示实施方式的发光元件的制造方法的一部分的示意图。图4例示激光的照射。如图4所示，对晶片50W的衬底50照射激光61。该例中，激光61从第一面50a向衬底50入射。激光61呈脉冲状射出。作为激光源，例如可使用Nd：YAG激光、钛蓝宝石激光、Nd：YVO4激光、或Nd：YLF激光等。激光61的波长是透过衬底50的光的波长。激光61例如是在800nm以上且1200nm以下的范围具有峰值波长的激光。激光61沿着与X－Y平面平行的方向扫描。例如，激光61和衬底50的相对位置沿着与X－Y平面平行的方向改变。也可以是，激光61的聚光点沿Z轴方向的位置(以衬底50为基准时的位置)可变。例如，沿着沿衬底50的第一面50a的一个方向，离散地照射激光61。激光61照射到的多个位置沿着该一个方向相互分离。激光61照射到的多个位置以一个间距(激光照射间距Lp)排列。激光照射间距Lp对应于激光61的发射间间距。通过激光61的照射，在衬底50的内部形成有多个改性区域53。激光61在衬底50的内部聚光。激光61产生的能量集中于衬底50内部的特定深度的位置。由此，形成有多个改性区域53。形成多个改性区域53时的激光61的聚光点的间距对应于激光照射间距Lp。改性区域53例如是在衬底50的内部因激光照射而脆化的区域。例如从多个改性区域53开始出现龟裂并进一步发展。龟裂沿衬底50的Z轴方向扩展。龟裂成为衬底50的分离的开始位置。例如，本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种发光元件的制造方法，其特征在于，具备：激光照射工序，对包括衬底和半导体构造的晶片的所述衬底照射激光，在所述衬底的内部形成多个改性区域，所述衬底具有第一面及第二面，所述半导体构造设于所述第二面；分离工序，在所述激光照射工序之后将所述晶片分离成多个发光元件；所述激光照射工序包括第一照射工序和第二照射工序，所述第一照射工序沿多个第一线以所述激光进行扫描，其中，所述多个第一线沿第一方向延伸且沿第二方向排列，所述第一方向平行于所述第一面，所述第二方向平行于所述第一面且与所述第一方向交叉，所述第二照射工序沿多个第二线以所述激光进行扫描，其中，所述多个第二线沿所述第二方向延伸且沿所述第一方向排列，所述多个第一线在所述第二方向上的第一间距大于所述多个第二线在所述第一方向上的第二间距，所述第一照射工序中所述激光沿着多个第一线之一进行照射时，所述激光对沿着所述第一方向的多个第一位置进行照射，沿着所述第一方向的所述多个第一位置的第一照射间距为2.0μm以下，所述分离工序包括第一分离工序和第二分离工序，所述第一分离工序沿所述多个第二线将所述晶片分离成多个条，所述第二分离工序在所述第一分离工序之后沿所述多个第一线将所述条分离成所述多个发光元件。...

【技术特征摘要】
2017.08.30 JP 2017-1655841.一种发光元件的制造方法，其特征在于，具备：激光照射工序，对包括衬底和半导体构造的晶片的所述衬底照射激光，在所述衬底的内部形成多个改性区域，所述衬底具有第一面及第二面，所述半导体构造设于所述第二面；分离工序，在所述激光照射工序之后将所述晶片分离成多个发光元件；所述激光照射工序包括第一照射工序和第二照射工序，所述第一照射工序沿多个第一线以所述激光进行扫描，其中，所述多个第一线沿第一方向延伸且沿第二方向排列，所述第一方向平行于所述第一面，所述第二方向平行于所述第一面且与所述第一方向交叉，所述第二照射工序沿多个第二线以所述激光进行扫描，其中，所述多个第二线沿所述第二方向延伸且沿所述第一方向排列，所述多个第一线在所述第二方向上的第一间距大于所述多个第二线在所述第一方向上的第二间距，所述第一照射工序中所述激光沿着多个第一线之一进行照射时，所述激光对沿着所述第一方向的多个第一位置进行照射，沿着所述第一方向的所述多个第一位置的第一照射间距为2.0μm以下，所...

【专利技术属性】
技术研发人员：山口一树，竹田阳树，住友新隆，
申请(专利权)人：日亚化学工业株式会社，
类型：发明
国别省市：日本,JP