曝光装置、曝光方法及光刻方法制造方法及图纸

一种曝光装置、曝光方法及光刻方法。该曝光装置包括：曝光光源和光路组件，其中，所述光路组件配置为将所述曝光光源发出的光引导至曝光位置，所述光路组件包括光阀阵列，所述曝光光源发出的光可以被引导至所述光阀阵列，且经所述光阀阵列透射或反射之后被引导至所述曝光位置，所述光阀阵列包括多个光阀单元，所述光阀单元的光透射率或反射率能够被调节。该曝光方法利用上述曝光装置，可使最终获得的曝光图案更加接近于目标图案。

Exposure Device, Exposure Method and Lithography Method

An exposure device, an exposure method and a photolithography method are provided. The exposure device includes an exposure light source and a light path assembly, wherein the light path assembly is configured to guide the light emitted by the exposure light source to the exposure position, the light path assembly includes a light valve array, the light emitted by the exposure light source can be guided to the light valve array, and is guided to the exposure position after transmission or reflection by the light valve array. The column includes a plurality of light valve units whose light transmittance or reflectivity can be adjusted. The exposure method can make the final exposure pattern closer to the target pattern by using the above exposure device.

【技术实现步骤摘要】
曝光装置、曝光方法及光刻方法
本公开的实施例涉及一种曝光装置、曝光方法及光刻方法。
技术介绍
在半导体器件或显示基板的制备工艺中，通常采用光刻工艺对各个功能层进行构图。光刻工艺的临界尺寸(CriticalDimension，CD)是指光刻工艺所能形成的线条的最小尺寸，利用光刻工艺所形成的图案的临界尺寸的均匀性往往会影响产品的特性，因此是影响产品质量的重要因素。在光刻工艺中，影响光刻图案均匀性例如临界尺寸均匀性的因素有很多，这些因素大体可分为三大类。第一，光掩膜板上形成的图案的临界尺寸的均匀性，它直接影响目标产品上形成的临界尺寸的均匀性。第二，曝光机本身的均匀性，例如曝光光源、镜头等的均匀性对目标产品上形成的临界尺寸的均匀性有直接的影响。第三，光刻胶的涂覆、显影、刻蚀等工序也对临界尺寸的均匀性有较大的影响。改善光刻图案均匀性例如临界尺寸均匀性的方法往往只针对上述某一种因素，因此这些方法所能达到的效果有限。
技术实现思路
本公开至少一实施例提供一种曝光装置，包括：曝光光源和光路组件，其中，所述光路组件配置为将所述曝光光源发出的光引导至曝光位置，所述光路组件包括光阀阵列，所述曝光光源发出的光可以被引导至所述光阀阵列，且经所述光阀阵列透射或反射之后被引导至所述曝光位置，所述光阀阵列包括多个光阀单元，所述光阀单元的光透射率或反射率能够被调节。例如，本公开至少一实施例提供的一种曝光装置中，所述光路组件包括两条光路：不包括所述光阀阵列的第一曝光光路以及包括所述光阀阵列的第二曝光光路。例如，本公开至少一实施例提供的一种曝光装置中，所述光路组件还包括第一反射镜和第二反射镜，所述第一反射镜将所述曝光光源发出的光引导至所述光阀阵列，所述第二反射镜将经所述光阀阵列透射或反射之后的光引导至所述曝光位置。例如，本公开至少一实施例提供的一种曝光装置中，所述光阀阵列为反射型光阀阵列或透射型光阀阵列。例如，本公开至少一实施例提供的一种曝光装置中，所述反射型光阀阵列包括微镜阵列；所述透射型光阀阵列包括电致变色光阀阵列或液晶光阀阵列。例如，本公开至少一实施例提供的一种曝光装置，还包括：控制装置，配置为调节所述光阀单元的光透射率或反射率。例如，本公开至少一实施例提供的一种曝光装置中，所述电致变色光阀阵列采用的电致变色材料为WO3、MoO、Nb2O5、V2O5、NiO、IrO或MnO。例如，本公开至少一实施例提供的一种曝光装置中，所述控制装置配置为通过调节施加在所述光阀阵列的各个光阀单元的电压来调节所述光阀单元的光透射率或反射率。例如，本公开至少一实施例提供的一种曝光装置，还包括：存储装置，配置为存储施加在所述光阀单元的电压与所述光阀单元的光透射率与反射率之间的关系。本公开至少一实施例提供的一种利用上述任一曝光装置进行曝光的曝光方法，包括：获取曝光补偿参数；根据所述曝光补偿参数，调整所述光阀阵列的反射率或透射率；使用从所述曝光光源发射且经所述光阀阵列调整后的光进行曝光。例如，本公开至少一实施例提供的一种曝光方法，还包括：在获取所述曝光补偿参数之前，先判断不采用所述光阀阵列进行曝光的情况下的曝光图案是否符合预定要求，如果不符合，则再获取所述曝光补偿参数。例如，本公开至少一实施例提供的一种曝光方法中，获取曝光补偿参数包括：获得临界尺寸测试图案；根据所述测试图案得出所述临界尺寸的分布矩阵Aij；由所述目标临界尺寸矩阵atarget与所述临界尺寸的分布矩阵Aij计算得到补偿因子矩阵Cij作为补偿参数。例如，本公开至少一实施例提供的一种曝光方法中，由所述目标临界尺寸矩阵atarget与所述临界尺寸的分布矩阵Aij通过以下公式计算得到所述补偿因子矩阵Cij：例如，本公开至少一实施例提供的一种曝光方法中，根据所述补偿因子矩阵Cij调节曝光装置的多个光阀单元的光透射率或反射率，并包括：由所述补偿因子矩阵Cij换算成光阀阵列的光透射率或反射率矩阵Tij，利用所述光透射率或反射率Tij调节曝光装置的多个光阀单元的光透射率或反射率。例如，本公开至少一实施例提供的一种曝光方法中，当所述光阀阵列为透射型光阀阵列时，通过以下公式将所述补偿因子矩阵Cij换算成所述光阀阵列的透射率矩阵Tij：其中，Tmax为制备所述光阀阵列的光阀单元的最大透射率，max(Cij)为各补偿因子中的最大值；ttrans为透射率因子。例如，本公开至少一实施例提供的一种曝光方法中，利用所述光透射率或反射率矩阵Tij调节曝光装置的多个光阀单元的光透射率或反射率包括：将所述光透射率或反射率矩阵Tij与多个光阀单元相对应，得出每个所述光阀单元的光透射率或反射率偏差，并根据所述偏差调节每个所述光阀单元的光透射率或反射率。例如，本公开至少一实施例提供的一种曝光方法中，曝光装置的控制装置根据施加在所述光阀单元的电压与所述光阀单元的光透射率或反射率之间的关系调节曝光装置的每个所述光阀单元的电压以调节每个所述光阀单元的光透射率或反射率。例如，本公开至少一实施例提供的一种曝光方法中，将所述临界尺寸的分布矩阵Aij输入到曝光装置的控制装置，由所述控制装置执行所述计算/换算过程，并调节施加在曝光装置的多个所述光阀单元的电压以调节所述光阀单元的光透射率或反射率。例如，本公开至少一实施例提供的一种曝光方法中，所述临界尺寸测试图案为显影工艺后得到的图案；或者所述临界尺寸测试图案为刻蚀工艺后得到的图案。本公开至少一实施例提供的一种光刻方法，包括上述任一一种曝光方法。附图说明为了更清楚地说明本公开实施例的技术方案，下面将对实施例的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅涉及本公开的一些实施例，而非对本公开的限制。图1为本公开一实施例提供的曝光装置的示意图一；图2为本公开一实施例提供的曝光装置的示意图二；图3为本公开一实施例提供的曝光装置的示意图三；图4为本公开一实施例提供的曝光装置的示意图四；图5为本公开一实施例提供的曝光方法的流程图一；图6为本公开一实施例提供的曝光方法的流程图二；图7A为本公开一实施例提供的光刻方法的流程图；图7B为本公开一实施例提供的光刻方法中获取曝光补偿参数的流程图一；图7C为本公开一实施例提供的光刻方法中获取曝光补偿参数的流程图二；图8为本公开一实施例提供的曝光补偿参数的计算过程示意图；图9为本公开一实施例提供的经过曝光补偿获得的图案的均匀性示意图。附图标记：100-待加工工件；201-曝光光源；202-光阀阵列；203-掩膜板；204-第一反射镜；205-第二反射镜；206-控制装置；207-存储装置。具体实施方式为使本公开实施例的目的、技术方案和优点更加清楚，下面将结合本公开实施例的附图，对本公开实施例的技术方案进行清楚、完整地描述。显然，所描述的实施例是本公开的一部分实施例，而不是全部的实施例。基于所描述的本公开的实施例，本领域普通技术人员在无需创造性劳动的前提下所获得的所有其他实施例，都属于本公开保护的范围。除非另外定义，本公开使用的技术术语或者科学术语应当为本公开所属领域内具有一般技能的人士所理解的通常意义。本公开中使用的“第一”、“第二”以及类似的词语并不表示任何顺序、数量或者重要性，而只是用来区分不同的组成部分。“包括”或者“包含”等类似的词语意指出现该词前面的元件或者本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种曝光装置，包括：曝光光源和光路组件，其中，所述光路组件配置为将所述曝光光源发出的光引导至曝光位置，所述光路组件包括光阀阵列，所述曝光光源发出的光可以被引导至所述光阀阵列，且经所述光阀阵列透射或反射之后被引导至所述曝光位置，所述光阀阵列包括多个光阀单元，所述光阀单元的光透射率或反射率能够被调节。

【技术特征摘要】
1.一种曝光装置，包括：曝光光源和光路组件，其中，所述光路组件配置为将所述曝光光源发出的光引导至曝光位置，所述光路组件包括光阀阵列，所述曝光光源发出的光可以被引导至所述光阀阵列，且经所述光阀阵列透射或反射之后被引导至所述曝光位置，所述光阀阵列包括多个光阀单元，所述光阀单元的光透射率或反射率能够被调节。2.根据权利要求1所述的曝光装置，其中，所述光路组件包括两条光路：不包括所述光阀阵列的第一曝光光路，以及包括所述光阀阵列的第二曝光光路。3.根据权利要求1所述的曝光装置，其中，所述光路组件还包括第一反射镜和第二反射镜，所述第一反射镜将所述曝光光源发出的光引导至所述光阀阵列，所述第二反射镜将经所述光阀阵列透射或反射之后的光引导至所述曝光位置。4.根据权利要求1所述的曝光装置，其中，所述光阀阵列为反射型光阀阵列或透射型光阀阵列。5.根据权利要求1所述的曝光装置，其中，所述反射型光阀阵列包括微镜阵列；所述透射型光阀阵列包括电致变色光阀阵列或液晶光阀阵列。6.根据权利要求1所述的曝光装置，还包括：控制装置，配置为调节所述光阀单元的光透射率或反射率。7.根据权利要求5所述的曝光装置，其中，所述电致变色光阀阵列采用的电致变色材料为WO3、MoO、Nb2O5、V2O5、NiO、IrO或MnO。8.根据权利要求6所述的曝光装置，其中，所述控制装置配置为通过调节施加在所述光阀阵列的各个光阀单元的电压来调节所述光阀单元的光透射率或反射率。9.根据权利要求8所述的曝光装置，还包括：存储装置，配置为存储施加在所述光阀单元的电压与所述光阀单元的光透射率或反射率之间的关系。10.一种利用权利要求1-9任一所述的曝光装置的曝光方法，包括：获取曝光补偿参数；根据所述曝光补偿参数，调整所述光阀阵列的反射率或透射率；使用从所述曝光光源发射且经所述光阀阵列调整后的光进行曝光。11.根据权利要求10所述的曝光方法，还包括：在获取所述曝光补偿参数之前，先判断不采用所述光阀阵列进行曝光的情况下的曝光图案是否符合预定要求，如果不符合，则再获取所述曝光补偿参数。12.根据权利要求10所述的曝光方法，其中，获取所述曝光补偿参数包括：获...

【专利技术属性】
技术研发人员：成纹圭，
申请(专利权)人：京东方科技集团股份有限公司，成都京东方光电科技有限公司，
类型：发明
国别省市：北京,11