In-Cu合金粉末及其制法、In-Cu合金溅射靶及其制法制造技术

本申请涉及In‑Cu合金粉末及其制法、In‑Cu合金溅射靶及其制法。该In‑Cu合金粉末包含In及Cu且含氧量为1000质量ppm以下。该In‑Cu合金粉末的制造方法具备：抽真空工序，使投入了包含In及Cu的原料金属的耐热容器达到10Pa以下的真空度；熔融工序，向所述耐热容器导入氧浓度为50体积ppm以下的惰性气体，使所述耐热容器的内部充满所述惰性气体，接着加热为1100℃以上来熔融所述原料金属以制成熔融原料；及雾化工序，在700℃以上的温度下以氧浓度为50体积ppm以下的惰性气体将所述熔融原料进行雾化。该In‑Cu合金溅射靶由包含In及Cu且含氧量为1000质量ppm以下的烧结体构成。In‑Cu合金溅射靶的制造方法中，将包含所述In‑Cu合金粉末的原料粉末进行烧结。

In-Cu Alloy Powder and Its Manufacturing Method, In-Cu Alloy Sputtering Target and Its Manufacturing Method

This application relates to In_Cu alloy powder and its preparation method, in_Cu alloy sputtering target and its preparation method. The In_Cu alloy powder contains in and Cu and the oxygen content is less than 1000 ppm. The manufacturing method of the In_Cu alloy powder has the following steps: vacuum extraction process, which makes the heat-resistant container containing the raw metal of In and Cu up to 10 Pa vacuum degree; melting process, which leads the inert gas with oxygen concentration below 50 volume ppm into the heat-resistant container, fills the inner part of the heat-resistant container with the inert gas, and then heats it above 1100 degrees Celsius to melt the raw metal. It belongs to the process of making molten raw materials and atomizing the molten raw materials with inert gas below 50 ppm in oxygen concentration at temperatures above 700 C. The sputtering target of In_Cu alloy consists of sintered bodies containing In and Cu with oxygen content less than 1000 ppm. In the manufacturing method of sputtering target of In_Cu alloy, raw material powder containing the In_Cu alloy powder is sintered.

【技术实现步骤摘要】
In-Cu合金粉末及其制法、In-Cu合金溅射靶及其制法
本专利技术涉及一种在形成In-Cu合金的薄膜时使用的In-Cu合金溅射靶及其制造方法。并且，本专利技术涉及一种能够在制造该In-Cu合金溅射靶时有利地使用的In-Cu合金粉末及其制造方法。
技术介绍
以往，作为化合物半导体的薄膜太阳能电池，广泛提供一种具备Cu-In-Ga-Se系合金的光吸收层的CIGS系太阳能电池。而且，已知有一种通过蒸镀法来形成该光吸收层的方法。具备通过蒸镀法成膜的光吸收层的太阳能电池的能量转换效率高。但是，利用蒸镀法不易在大面积基板上均匀地成膜，从不易使用大面积基板来制造这一点考虑，生产效率低。因此，作为在大面积基板也均匀地形成光吸收层的方法，提供一种形成包含In、Cu及Ga的薄膜或包含这些元素的薄膜的层叠膜，并在Se气氛中对该薄膜或层叠膜进行热处理以硒化的方法。在此，形成薄膜时，采用使用了含有各元素的溅射靶的溅射法。用于形成包含In及Cu的薄膜的溅射靶记载于以下文献。专利文献1中记载有一种含有0.5～7.5at％的Cu且剩余部分由In及不可避免的杂质构成的溅射靶。专利文献2中记载有一种含有30～80原子本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种In‑Cu合金粉末，其特征在于，包含In及Cu且含氧量为1000质量ppm以下。

【技术特征摘要】
2017.08.31 JP 2017-1674521.一种In-Cu合金粉末，其特征在于，包含In及Cu且含氧量为1000质量ppm以下。2.根据权利要求1所述的In-Cu合金粉末，其特征在于，中值粒径D50为5μm以上且150μm以下。3.根据权利要求1或2所述的In-Cu合金粉末，其特征在于，D10与中值粒径D50之比D10/D50为1/2以下，或D90与中值粒径D50之比D90/D50为2以上，或者同时满足这两个条件。4.根据权利要求1至3中任一项所述的In-Cu合金粉末，其特征在于，具有含有45原子％以上且90原子％以下的In且剩余部分由Cu及不可避免的杂质构成的组成。5.根据权利要求1至4中任一项所述的In-Cu合金粉末，其特征在于，具有In单体相及Cu11In9化合物相，且所述In单体相的X射线衍射强度IIn与所述Cu11In9化合物相的X射线衍射强度ICu11In9的强度比IIn/ICu11In9为0.01以上且3以下。6.一种In-Cu合金粉末的制造方法，其特征在于，具备：抽真空工序，使投入了包含In及Cu的原料金属的耐热容器达到10Pa以下的真空度；熔融工序，向所述耐热容器导入...

【专利技术属性】
技术研发人员：梅本启太，浦山恒太郎，桥本周，盐野一郎，
申请(专利权)人：三菱综合材料株式会社，
类型：发明
国别省市：日本,JP