The invention discloses a GOA structure LCD TCON board elimination circuit, which belongs to the circuit for eliminating the residual film of the LCD screen shutdown. The GOA structure LCD TCON board elimination circuit includes the first resistance, the second resistance, the third resistance, the fourth resistance, the fifth resistance, the sixth resistance, the seventh resistance, the first MOS tube, the second MOS tube, the third MOS tube and the fourth MOS tube. The gate driving circuit is fabricated on an array and a substrate to replace the driving chip fabricated by an external silicon wafer. The application of this technology can be directly around the screen, reduce the production process and reduce the cost of products.
【技术实现步骤摘要】
一种GOA架构液晶屏TCON板的消影电路
本专利技术属于消除液晶屏关机残影的电路,更具体的说涉及一种GOA架构液晶屏TCON板的消影电路。
技术介绍
在主动式矩阵液晶屏中,每个像素具有一个TFT,其门极(Gate)连接至水平方向扫描线,漏极(Drain)连接至垂直方向的资料线,而源极(Source)则连接至像素电极。若在水平方向的某一条扫描线上施加足够的正电压,会使得该条线路上的所有TFT打开,此时该条线路上的像素电极会与垂直方向的资料线连接,而将资料线上的视讯信号电压写入像素中,控制不同液晶的透光度进而达到控制色彩的效果。目前该驱动电路主要是由屏外连接IC来完成,使用的是CMOS制程。而GOA技术即GateDriverOnArray(阵列基板行驱动技术),是直接将门极驱动电路(GatedriverICs)制作在阵列(Array)基板上,来替代由外接矽晶片制作的驱动晶片的一种技术。该技术的应用可直接做在屏周围,减少制作程序,且降低产品成本。GOA液晶屏会存在两个负电压VGL1和VGL2,VGL1用于面内TFT门极驱动线路,VGL2用于GOA线路。在关机时,为解决GOA液晶屏留下的画面残影,需要使这两个负电压瞬时冲到VGH,打开门极进行放电。往往用于控制GOA线路的levelshiftIC会自带一个放电功能脚XAO1,但是还缺一个放电功能脚XAO2。
技术实现思路
本专利技术专利提出的是在液晶屏TCON板上通过分离器件实现扩展XAO的放电功能。为了实现上述目的,本专利技术是通过以下技术方案实现的:所述的GOA架构液晶屏TCON板的消影电路包括第一电阻R1、第二电 ...
【技术保护点】
1.一种GOA架构液晶屏TCON板的消影电路,其特征是:所述的GOA架构液晶屏TCON板的消影电路包括第一电阻(R1)、第二电阻(R2)、第三电阻(R3)、第四电阻(R4)、第五电阻(R5)、第六电阻(R6)、第七电阻(R7)、第一MOS管(Q1)、第二MOS管(Q2)、第三MOS管(Q3)、第四MOS管(Q4)、XAO1端、XAO2端、VGH端、VGL2端;所述的XAO1端与第一电阻(R1)的一端连接,第一电阻(R1)的另一端与第二电阻(R2)的一端和第一MOS管(Q1)、第二MOS管(Q2)的栅极连接,第二电阻(R2)的另一端接地;第一MOS管(Q1)漏极与第四电阻(R4)的一端连接,第二MOS管(Q2)的漏极与第五电阻(R5)的一端和第四MOS管(Q4)的栅极连接;所述的第一MOS管(Q1)与第二MOS管(Q2)的源极接地,第四电阻(R4)的另一端与第三电阻(R3)一端和第三MOS管(Q3)的栅极连接,第三电阻(R3)的另一端与第三MOS管(Q3)的源极与VGH端连接;所述的第四MOS管(Q4)源极和第五电阻(R5)的另一端与VGL2端连接,第四MOS管(Q4)与第三MOS管(Q ...
【技术特征摘要】
1.一种GOA架构液晶屏TCON板的消影电路,其特征是:所述的GOA架构液晶屏TCON板的消影电路包括第一电阻(R1)、第二电阻(R2)、第三电阻(R3)、第四电阻(R4)、第五电阻(R5)、第六电阻(R6)、第七电阻(R7)、第一MOS管(Q1)、第二MOS管(Q2)、第三MOS管(Q3)、第四MOS管(Q4)、XAO1端、XAO2端、VGH端、VGL2端;所述的XAO1端与第一电阻(R1)的一端连接,第一电阻(R1)的另一端与第二电阻(R2)的一端和第一MOS管(Q1)、第二MOS管(Q2)的栅极连接,第二电阻(R2)的另一端接地;第一MOS管(Q1)漏极与第四电阻(R4)的一端连接,第二MOS管(Q2)的漏极与第五电阻(R5)的一端和第四MOS管(Q4)的栅极连接;所述的第一MOS管(Q1)与第二MOS管(Q2)的源极接地,第四电阻(R4)的另一端与第三电阻(R3)一端和第三MOS管(Q...
【专利技术属性】
技术研发人员:李戡,蒋吉强,
申请(专利权)人:广东长虹电子有限公司,
类型:发明
国别省市:广东,44
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