氯化氢合成炉制造技术

本发明专利技术公开了一种氯化氢合成炉，属于化工设备领域。所述氯化氢合成炉包括石墨炉体、设置在所述石墨炉体底部的石墨层、设置在所述石墨层底部的点火灯头、固定所述点火灯头的法兰接管；所述氯化氢合成炉还包括设置在所述石墨层上的限位圈、设置在所述石墨层和所述法兰接管之间的点火灯头保护圈。本发明专利技术通过在石墨层的上端部设置一个限位圈，挡住石墨层的端部，能够有效地防止石墨层因受热而开裂；通过在石墨层与法兰接管之间设置点火灯头保护圈，克服了现有氯化氢合成炉底部点火灯头及固定点火灯头法兰接管被腐蚀的缺点，提高了设备的使用寿命。

Hydrogen chloride synthesizer

The invention discloses a hydrogen chloride synthesis furnace, which belongs to the field of chemical equipment. The hydrogen chloride synthesis furnace comprises a graphite furnace body, a graphite layer arranged at the bottom of the graphite furnace body, an ignition lamp head arranged at the bottom of the graphite layer, and a flange nozzle fixing the ignition lamp head; the hydrogen chloride synthesis furnace also comprises a limit ring arranged on the graphite layer, and an ignition lamp head protection ring arranged between the graphite layer and the flange nozzle. By setting a limit ring at the upper end of the graphite layer to block the end of the graphite layer, the invention can effectively prevent the graphite layer from cracking due to heating; by setting a protective ring for the ignition lamp head between the graphite layer and the flange nozzle, the defects of corrosion of the ignition lamp head at the bottom of the existing hydrogen chloride synthesis furnace and the flange nozzle of the fixed ignition lamp head are overcome, and the service life of the equipment is improved.

【技术实现步骤摘要】
氯化氢合成炉
本专利技术涉及化工设备领域，特别涉及一种氯化氢合成炉。
技术介绍
氯化氢是一种重要的化工原料，在三氯氢硅合成反应中是必不可少原料。传统的氯化氢合成炉是使氯气和氢气在炉体底部的灯头处燃烧，反应生成氯化氢气体。由于在合成反应中不可避免地会产生水，而氯化氢气体溶入水后便成为了盐酸。在实现本专利技术的过程中，专利技术人发现现有技术至少存在以下问题：当炉体底部的酸液聚集多了的时候，酸液将会把点火的灯头及固定点火灯头的法兰接管腐蚀掉，从而引起设备的早期损坏。
技术实现思路
为了解决现有技术的问题，本专利技术实施例提供了一种氯化氢合成炉。所述技术方案如下：本专利技术实施例提供了一种氯化氢合成炉，所述氯化氢合成炉包括石墨炉体、设置在所述石墨炉体底部的石墨层、设置在所述石墨层底部的点火灯头、固定所述点火灯头的法兰接管；所述氯化氢合成炉还包括设置在所述石墨层上的限位圈、设置在所述石墨层和所述法兰接管之间的点火灯头保护圈；所述点火灯头保护圈高于所述石墨层所在平面；所述限位圈设置在所述石墨层的上端部；所述限位圈向内部倾斜，呈开口向上的喇叭状；所述点火灯头保护圈高于所述石墨层所在平面40mm。具体地，所述石墨炉体底部设置有下集水箱、与下集水箱相邻设置的进水短节；所述石墨炉体内设置有下弧板、内盘管、挡板；所述石墨炉体顶部设置有上弧板、上集水箱、与上集水箱相邻设置的出水短节；所述下弧板、所述内盘管、所述上弧板组合在一起就形成三级缓冲弧。具体地，所述内盘管具有R=2000mm的部分弧形，所述下弧板、所述上弧板具有R=200mm的弧形。本专利技术实施例提供的技术方案带来的有益效果是：通过在石墨层的上端部设置一个限位圈，挡住石墨层的端部，能够有效地防止石墨层因受热而开裂；通过在石墨层与法兰接管之间设置点火灯头保护圈，克服了现有氯化氢合成炉底部点火灯头及固定点火灯头法兰接管被腐蚀的缺点，提高了设备的使用寿命。附图说明为了更清楚地说明本专利技术实施例中的技术方案，下面将对实施例描述中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本专利技术的一些实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图。图1是本专利技术实施例提供的氯化氢合成炉的结构示意图；图2是本专利技术实施例提供的氯化氢合成炉的另一结构示意图。具体实施方式为使本专利技术的目的、技术方案和优点更加清楚，下面将结合附图对本专利技术实施方式作进一步地详细描述。本专利技术实施例提供了一种氯化氢合成炉，所述氯化氢合成炉包括石墨炉体1、设置在石墨炉体1底部的石墨层2、设置在石墨层2上的限位圈3、设置在石墨层2底部的点火灯头、固定点火灯头的法兰接管4、设置在石墨层2和法兰接管4之间的点火灯头保护圈5。具体地，参见图1，石墨炉体1底部设置有下集水箱11、与下集水箱11相邻设置的进水短节12，石墨炉体1内设置有下弧板13、内盘管14、挡板15，石墨炉体1顶部设置有上弧板16、上集水箱17、与上集水箱17相邻设置的出水短节18。进一步地，内盘管14在制作过程中加工成R=2000mm的部分弧形，下弧板13、上弧板16在加工过程中加工成R=200mm的弧形，这三个部件组合在一起就形成了一个三级缓冲弧，因此在设备温度巨烈变化下仍能防止设备受到损坏。具体地，参见图2，限位圈3设置在石墨层2的上端部，限位圈3向内部倾斜，呈开口向上的喇叭状。斜向下的限位圈3挡住石墨层的端部，放置石墨层2因受热开裂，可有效提高设备的使用寿命。具体地，点火灯头保护圈5高于石墨层2所在平面，优选地，高于石墨层2所在平面40mm。高出底部石墨层平面的点火灯头保护圈5阻挡住酸液对点火灯头及固定点火灯头的法兰接管4的腐蚀。本专利技术实施例提供的技术方案带来的有益效果是：通过在石墨层的上端部设置一个限位圈，挡住石墨层的端部，能够有效地防止石墨层因受热而开裂；通过在石墨层与法兰接管之间设置点火灯头保护圈，克服了现有氯化氢合成炉底部点火灯头及固定点火灯头法兰接管被腐蚀的缺点，提高了设备的使用寿命。以上所述仅为本专利技术的较佳实施例，并不用以限制本专利技术，凡在本专利技术的精神和原则之内，所作的任何修改、等同替换、改进等，均应包含在本专利技术的保护范围之内。本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种氯化氢合成炉，所述氯化氢合成炉包括石墨炉体、设置在所述石墨炉体底部的石墨层、设置在所述石墨层底部的点火灯头、固定所述点火灯头的法兰接管；其特征在于，所述氯化氢合成炉还包括设置在所述石墨层上的限位圈、设置在所述石墨层和所述法兰接管之间的点火灯头保护圈；所述点火灯头保护圈高于所述石墨层所在平面；所述限位圈设置在所述石墨层的上端部；所述限位圈向内部倾斜，呈开口向上的喇叭状；所述点火灯头保护圈高于所述石墨层所在平面40mm。

【技术特征摘要】
1.一种氯化氢合成炉，所述氯化氢合成炉包括石墨炉体、设置在所述石墨炉体底部的石墨层、设置在所述石墨层底部的点火灯头、固定所述点火灯头的法兰接管；其特征在于，所述氯化氢合成炉还包括设置在所述石墨层上的限位圈、设置在所述石墨层和所述法兰接管之间的点火灯头保护圈；所述点火灯头保护圈高于所述石墨层所在平面；所述限位圈设置在所述石墨层的上端部；所述限位圈向内部倾斜，呈开口向上的喇叭状；所述点火灯头保护圈高于所述石墨层所在平面40mm...

【专利技术属性】
技术研发人员：郑辉，
申请(专利权)人：十堰思远农林科技有限公司，
类型：发明
国别省市：湖北,42