【技术实现步骤摘要】
一种信号放大电路及毫米波信号放大电路
本专利技术涉及毫米波信号处理
更具体地，涉及一种信号放大电路及毫米波信号放大电路。
技术介绍
在雷达、通信等系统中，低噪声放大器位处接收模块的最前端，在保证低噪声系数的同时要提供足够高的增益来压制后级电路的噪声，以此来获得更高的输出信噪比。随着雷达及通信等系统的发展，电路系统的抗干扰能力、穿透能力、分辨力要求越来越高，因此超宽带电路系统应用而生。不论是军用领域，还是民用方面，传统的窄带低噪声放大器已经无法满足超宽带、低噪声和高集成度的要求。
技术实现思路
本专利技术的一个目的在于提供一种信号放大电路，降低信号放大电路的噪声，提升信噪比，本专利技术的另一个目的在于提供一种毫米波信号放大电路。为达到上述目的，本专利技术采用下述技术方案：本专利技术一方面公开了一种信号放大电路，包括信号放大模块和直流偏置生成模块；其中，所述直流偏置生成模块用于提供第一偏置电压V1和第二偏置电压V2；所述信号放大模块包括射频信号输入端RFin、射频信号输出端RFout、第一电压输入端VDD1、第一偏置电压输入端V1in和第二偏置电压输入端V2in，...
【技术保护点】
1.一种信号放大电路，其特征在于，包括信号放大模块和直流偏置生成模块；其中，所述直流偏置生成模块用于提供第一偏置电压V1和第二偏置电压V2；所述信号放大模块包括射频信号输入端RFin、射频信号输出端RFout、第一电压输入端VDD1、第一偏置电压输入端V1in和第二偏置电压输入端V2in，用于基于第一偏置电压输入端V1in输入的第一偏置电压V1和第二偏置电压输入端V2in输入的第二偏置电压V2对所述射频信号输入端RFin输入的射频信号进行低噪声放大。
【技术特征摘要】
1.一种信号放大电路，其特征在于，包括信号放大模块和直流偏置生成模块；其中，所述直流偏置生成模块用于提供第一偏置电压V1和第二偏置电压V2；所述信号放大模块包括射频信号输入端RFin、射频信号输出端RFout、第一电压输入端VDD1、第一偏置电压输入端V1in和第二偏置电压输入端V2in，用于基于第一偏置电压输入端V1in输入的第一偏置电压V1和第二偏置电压输入端V2in输入的第二偏置电压V2对所述射频信号输入端RFin输入的射频信号进行低噪声放大。2.根据权利要求1所述的信号放大电路，其特征在于，所述信号放大模块包括第一晶体管元件M1、第二晶体管元件M2、信号放大单元和反馈单元；所述第一晶体管元件M1的栅极与所述射频信号输入端RFin连接，其第一端与所述第二晶体管元件M2的第二端连接，其第二端接地Vcom；所述第二晶体管元件M2的栅极与所述第二偏置电压输入端V2in连接，其第一端与所述信号放大单元和所述第一偏置电压输入端V1in分别连接；所述信号放大单元与所述第一压电输入端和所述射频信号输出端RFout连接。3.根据权利要求2所述的信号放大电路，其特征在于，所述信号放大单元包括第一电感器L1、第二电感器L2、第三电感器L3、第一电容器C1、第二电容器C2和第三电容器C3；其中，所述第一电容器C1的第一端与所述第一电压输入端VDD1连接，第二端接地Vcom；所述第一电感器L1的第一端与所述第一电压输入端VDD1连接，第二端与所述第二电感器L2的第一端和所述第二电容器C2的第一端分别连接；所述第二电感器L2的第二端与所述反馈单元和所述第二晶体管元件M2的第一端分别连接；所述第二电容器C2的第二端与所述第三电感器L3的第一端连接；所述第三电感器L3的第二端与所述第四电感器L4的第一端和所述第三电容器C3的第一端连接；所述第三电容器C3的第二端接地Vcom；所述第四电感器L4的第二端与所述射频信号输出端RFout连接。4.根据权利要求2所述的信号放大电路，其特征在于，所述反馈单元包括第一电阻器R1和第四电容器C4；所述第一电阻器R1的第一端与所述第一偏置电压输入端V1in连接，第二端与所述第一晶体管元件M1的栅极连接；所述第四电容器C4的第一端与所述第一偏置电压输入端V1in连接，第二端与所述信号放大单元和所述第二晶体管元件M2的第一端连接。5.根据权利要求1所述的信号放大电路，其特征在于，所述射频信号输入端RFin与所述第一晶体...
【专利技术属性】
技术研发人员：郝迦琛，曹佳，刘浩，
申请(专利权)人：北京无线电测量研究所，
类型：发明
国别省市：北京,11
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