一种自动同步并网全桥逆变驱动芯片制造技术

本发明专利技术公开了一种自动同步并网全桥逆变驱动芯片，包括自动同步并网全桥逆变驱动电路；该电路包括AC平衡采样子电路、供电子电路、桥式隔离驱动子电路、波形整形驱动子电路和隔离控制子电路；AC平衡采样子电路、桥式隔离驱动子电路和波形整形驱动子电路依次连接，供电子电路分别与桥式隔离驱动子电路、波形整形驱动子电路和隔离控制子电路连接，桥式隔离驱动子电路还与隔离控制子电路连接。本发明专利技术提供的自动同步并网全桥逆变驱动芯片，利用光耦的特性实现用市电作为同步采样和隔离驱动信号，也可以用MCU驱动；本发明专利技术电路结构简单，安全可靠，成本低，支持热插拔(即插即用)，无高频干扰问题。

【技术实现步骤摘要】
一种自动同步并网全桥逆变驱动芯片
本专利技术属于并网逆变系统
，具体涉及一种自动同步并网全桥逆变驱动芯片。
技术介绍
随着社会的快速发展，能用紧张和各种污染成了人类亟待解决的问题，为解决能用紧张的问题，人们开发出了太阳能、风能、水能等能源。电力电子技术的快速发展，并网逆变系统的出现，解决了能用的采集和并网输送问题，同时也带来了一些其他问题：如并网逆变系统的高频污染电网的问题、孤岛效应引起的系统稳定问题和控制系统复杂、成本高，不支持热插拔(即插即用)、不适合小型的、分散的能源采集与并网。
技术实现思路
针对现有技术中的上述不足，本专利技术提供的自动同步并网全桥逆变驱动芯片解决了现有的并网逆变系统复杂、成本高，不支持热插拔(即插即用)的问题。为了达到上述专利技术目的，本专利技术采用的技术方案为：一种自动同步并网全桥逆变驱动芯片，包括自动同步并网全桥逆变驱动电路；所述自动同步并网全桥逆变驱动电路包括AC平衡采样子电路、供电子电路、桥式隔离驱动子电路、波形整形驱动子电路和隔离控制子电路；所述AC平衡采样子电路、桥式隔离驱动子电路和波形整形驱动子电路依次连接，所述供电子电路分别与桥式隔离驱动子电路、波形整形驱动子电路和隔离控制子电路连接，所述桥式隔离驱动子电路还与隔离控制子电路连接。进一步地，所述AC平衡采样子电路包括电阻R30、电阻R32和电阻R33；其中，电阻R30的一端通过电阻R32与电阻R33的一端连接；电阻R33的另一端与市电电网连接。进一步地，所述桥式隔离驱动子电路包括光耦U1、光耦U2、光耦U3和光耦U4；所述光耦U1的发光二极管、光耦U2的发光二极管、光耦U3的发光二极管和光耦U4的发光二极管通过桥式连接法连接；所述光耦U1的发光二极管的正极、光耦U3的发光二极管的正极、光耦U2的发光二极管的负极和光耦U4的发光二极管的负极均与隔离控制子电路连接；所述光耦U1的发光二极管的负极和光耦U2的发光二极管的正极均与电阻R30的一端连接；所述光耦U3的发光二极管的负极和光耦U4的发光二极管的正极均与电阻R33的另一端连接；所述电阻R30的一端作为自动同步并网全桥逆变驱动芯片的IN+端口；所述电阻R33的一端作为自动同步并网全桥逆变驱动芯片的IN-端口。进一步地，所述隔离控制子电路包括光耦U5；所述光耦U5的三极管的集电极分别与光耦U2的发光二极管的负极和光耦U4的发光二极管的负极连接，光耦U5的三极管的发射极分别与光耦U1的发光二极管的正极和光耦U3的发光二极管的正极连接；所述光耦U5的发光二极管的负极接地，光耦U5的发光二极管的正极分别与电阻R72的一端和二极管D16的正极连接，所述电阻R72的另一端分别与运算放大器IC11的输出端和电阻R73的一端连接，所述电阻R73的另一端接地；所述运算放大器IC11的电源输入端与电阻R64的一端连接，所述电阻R64的另一端分别与电阻R70一端和精密稳压芯片IC10的负极连接，所述电阻R70的另一端分别于电阻R71和运算放大器IC11的同相输入端连接，所述电阻R71的另一端分别与运算放大器IC11的接地端和精密稳压芯片IC10的正极连接并接地，所述精密稳压芯片IC10的负极与其控制端连接；运算放大器IC11的反相输入端分别与供电子电路和电阻R73的另一端和电阻R74的一端连接，电阻R74的另一端与供电子电路连接；所述运算放大器的IC11的电源输入端还与供电子电路连接。所述光耦U5的发光二极管的正极作为自动同步全桥逆变驱动芯片的衡隔离控制端IR端口；所述二极管D16的正极作为自动同步全桥逆变驱动芯片的使能控制端EN端口。进一步地，所述波形整形驱动子电路包括三极管Q8、三极管Q9、三极管Q10和三极管Q11；所述三极管Q8的集电极与光耦U1的三极管的集电极连接，所述三极管Q8的基极与二极管D12的正极连接，所述二极管D12的负极与光耦U1的三极管的发射极连接，三极管Q8的发射极还通过电阻R28与其基极连接；所述三极管Q9的集电极与光耦U2的三极管的集电极连接，所述三极管Q9的基极与二极管D13的正极连接，所述二极管D13的负极与光耦U2的三极管的发射极连接，三极管Q9的发射极还通过电阻R31与其基极连接；所述三极管Q10的集电极与光耦U3的三极管的集电极连接，所述三极管Q10的基极与二极管D14的正极连接，所述二极管D14的负极与光耦U3的三极管的发射极连接，三极管Q10的发射极还通过电阻R36与其基极连接；所述三极管Q11的集电极与光耦U4的三极管的集电极连接，所述三极管Q11的基极与二极管D15的正极连接，所述二极管D15的负极与光耦U4的三极管的发射极连接，三极管Q11的还发射极通过电阻R60与其基极连接；所述三极管Q8的集电极、三极管Q9的集电极、三极管Q10的集电极和三极管Q11的集电极均与供电子电路连接；所述电阻R28与三极管Q8连接的一端作为自动同步并网全桥逆变驱动芯片的左桥臂上管驱动门极输出端口Ho1端口；所述电阻R36与三极管Q10连接的一端作为自动同步并网全桥逆变驱动芯片的右桥臂上管驱动门极输出端口Ho2端口；所述电阻R31与三级管Q9连接的一端作为自动同步并网全桥逆变驱动芯片左桥臂下管驱动门极输出端口L1端口；所述电阻R60与三级管Q11连接的一端作为自动同步并网全桥逆变驱动芯片右桥臂下管驱动门极输出端口L2端口。进一步地，所述供电子电路包括主供电网络和自举供电网络；所述主供电网络包括电容C17，所述电容C17的正极外接18V电源，且与自举供电网络和电阻R74的另一端连接，所述电容C17的与电阻R26的一端连接并接地，所述电阻R26的另一端与电阻R27的一端连接并接地，所述电阻R27的另一端与运算放大器的反相输入端连接；所述自举供电网络包括二极管D1和二极管D2，所述二极管D1的正极分别与电容C17的正极和二极管D2的正极连接，二极管D1的负极与电容C15的正极连接，二极管D2的负极与电容C25的正极连接；所述电容C15的负极作为自动同步并网全桥逆变驱动芯片的左桥臂MOS管中心点输出端O1端口；所述电容C25的负极作为自动同步并网全桥逆变驱动芯片的右桥臂MOS管中心点输出端O2端口；所述电容C17的正极作为自动同步并网全桥逆变驱动芯片的VCC端口；所述电容C17的负极作为自动同步并网全桥逆变驱动芯片的GND端口；所述二极管D1的负极作为自动同步并网全桥逆变驱动芯片的VCC1端口；所述二极管D2的负极作为自动同步并网全桥逆变驱动芯片的VCC2端口。进一步地，所述电容C17的正极还分别与三极管Q9的集电极、三极管Q11的集电极和运算放大器IC11的电源输入端连接；所述二极管D1的负极还与三极管Q8的集电极连接；所述二极管D2的负极还与三极管Q10的集电极连接。进一步地，所述光耦U3的发光二极管的正极和光耦U5的三极管的正极之间还连接有死区控制电阻R37；所述电阻R37与光耦U3的发光二极管连接的一端作为自动同步并网全桥逆变驱动芯片的S1端口；所述电阻R37与光耦U5的发光二极管连接的一端作为自动同步并网全桥逆变驱动芯片的S2端口。进一步地，所述运算放大器IC11的型号为LM321或LM317。本专利技术的有益效果为：本专利技术提供的自动同步并网全桥逆变驱动芯本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种自动同步并网全桥逆变驱动芯片，其特征在于，包括自动同步并网全桥逆变驱动电路；所述自动同步并网全桥逆变驱动电路包括AC平衡采样子电路、供电子电路、桥式隔离驱动子电路、波形整形驱动子电路和隔离控制子电路；所述AC平衡采样子电路、桥式隔离驱动子电路和波形整形驱动子电路依次连接，所述供电子电路分别与桥式隔离驱动子电路、波形整形驱动子电路和隔离控制子电路连接，所述桥式隔离驱动子电路还与隔离控制子电路连接。

【技术特征摘要】
1.一种自动同步并网全桥逆变驱动芯片，其特征在于，包括自动同步并网全桥逆变驱动电路；所述自动同步并网全桥逆变驱动电路包括AC平衡采样子电路、供电子电路、桥式隔离驱动子电路、波形整形驱动子电路和隔离控制子电路；所述AC平衡采样子电路、桥式隔离驱动子电路和波形整形驱动子电路依次连接，所述供电子电路分别与桥式隔离驱动子电路、波形整形驱动子电路和隔离控制子电路连接，所述桥式隔离驱动子电路还与隔离控制子电路连接。2.根据权利要求1所述的自动同步并网全桥逆变驱动芯片，其特征在于，所述AC平衡采样子电路包括电阻R30、电阻R32和电阻R33；其中，电阻R30的一端通过电阻R32与电阻R33的一端连接；电阻R33的另一端与市电电网连接。3.根据权利要求2所述的自动同步并网全桥逆变驱动芯片，其特征在于，所述桥式隔离驱动子电路包括光耦U1、光耦U2、光耦U3和光耦U4；所述光耦U1的发光二极管、光耦U2的发光二极管、光耦U3的发光二极管和光耦U4的发光二极管通过桥式连接法连接；所述光耦U1的发光二极管的正极、光耦U3的发光二极管的正极、光耦U2的发光二极管的负极和光耦U4的发光二极管的负极均与隔离控制子电路连接；所述光耦U1的发光二极管的负极和光耦U2的发光二极管的正极均与电阻R30的一端连接；所述光耦U3的发光二极管的负极和光耦U4的发光二极管的正极均与电阻R33的另一端连接；所述电阻R30的一端作为自动同步并网全桥逆变驱动芯片的IN+端口；所述电阻R33的一端作为自动同步并网全桥逆变驱动芯片的IN-端口。4.根据权利要求3所述的自动同步并网全桥逆变驱动芯片，其特征在于，所述隔离控制子电路包括光耦U5；所述光耦U5的三极管的集电极分别与光耦U2的发光二极管的负极和光耦U4的发光二极管的负极连接，光耦U5的三极管的发射极分别与光耦U1的发光二极管的正极和光耦U3的发光二极管的正极连接；所述光耦U5的发光二极管的负极接地，光耦U5的发光二极管的正极分别与电阻R72的一端和二极管D16的正极连接，所述电阻R72的另一端分别与运算放大器IC11的输出端和电阻R73的一端连接，所述电阻R73的另一端接地；所述运算放大器IC11的电源输入端与电阻R64的一端连接，所述电阻R64的另一端分别与电阻R70一端和精密稳压芯片IC10的负极连接，所述电阻R70的另一端分别于电阻R71和运算放大器IC11的同相输入端连接，所述电阻R71的另一端分别与运算放大器IC11的接地端和精密稳压芯片IC10的正极连接并接地，所述精密稳压芯片IC10的负极与其控制端连接；运算放大器IC11的反相输入端分别与供电子电路和电阻R73的另一端和电阻R74的一端连接，电阻R74的另一端与供电子电路连接；所述运算放大器的IC11的电源输入端还与供电子电路连接；所述光耦U5的发光二极管的正极作为自动同步全桥逆变驱动芯片的衡隔离控制端IR端口；所述二极管D16的正极作为自动同步全桥逆变驱动芯片的使能控制端EN端口。5.根据权利要求4所述的自动同步并网全桥逆变驱动芯片，其特征在于，所述波形整形驱动子电路包括三极管Q8、三极管Q9、三极管Q10和三极管Q11；所述三极管Q8的集电极与光耦U1的三极管的集电极连接，所述三极管Q8的基极与二极管D12的正极连接，所述二极管D12的负极与光耦U1的三极管的发射极连接，三极管Q8的发射极还通过电阻R28与其基极连接；所述三极管Q9的集电...

【专利技术属性】
技术研发人员：陈开荣，陈开新，陈宗映，
申请(专利权)人：四川太牛电子科技有限公司，
类型：发明
国别省市：四川,51