全铝背场晶体硅太阳能电池用耐老化低温固化型背面银浆制造技术

技术编号:20450159 阅读:43 留言:0更新日期:2019-02-27 03:41
本发明专利技术全铝背场晶体硅太阳能电池用耐老化低温固化型背面银浆,由以下重量份数的各组分组成:球形银粉5‑15份;球形锡粉0‑5份;片状银粉50‑60份;双酚A型环氧树脂0‑5份;氢化双酚A型环氧树脂5‑8份;脂环族环氧树脂3‑10份;液体酸酐固化剂11.6‑20.5份;固化促进剂0.02‑0.1份;加工助剂0‑0.08份;触变助剂0.2‑0.5份。用该背面银浆制备的晶体硅太阳能电池片的平均初始转换效率达到了20.60%以上,初始焊接附着力达到了5.7N/mm以上。电池片的光电转换效率和焊接附着力较初始态下降值均低于5%,具有极可靠的耐老化稳定性,能够满足光伏电站的长期运营需求。

【技术实现步骤摘要】
全铝背场晶体硅太阳能电池用耐老化低温固化型背面银浆
本专利技术涉及太阳能电池用导电银浆领域,具体涉及全铝背场晶体硅太阳能电池用耐老化低温固化型背面银浆、制备方法及其应用。
技术介绍
随着人类社会的迅猛发展,石油、煤炭、天然气等不可再生化石能源日益枯竭,温室效应和环境污染日益严重,迫使人类寻求可再生的新型清洁能源。太阳能发电直接将太阳能辐射转换为电能,是所有清洁能源中对太阳能转换环节最少、利用最直接的方式,备受人们关注,近几十年来发展迅速。晶体硅太阳能电池就是一种利用光生伏特效应的半导体器件,从技术成熟度、光电转换效率和原材料来源考虑,今后很长一段时间内光伏太阳能电池的重点发展对象仍将是硅系太阳能电池。晶体硅太阳能电池的制造成本和转换效率已成为制约其进一步发展的主要因素。目前传统晶体硅太阳能电池片的制备工艺流程是将原料裸硅片经前清洗制绒后,进行扩散制备PN结,再刻蚀去除PSG磷硅玻璃层,经PECVD镀减反膜制成蓝膜片后,先用丝网印刷工艺印刷背面银浆制备背面银电极,经烘干后印刷背面铝浆制备铝背场,烘干后再印刷正面银浆制备正面银电极,然后经烘干和短时高温共烧结形成电池片。铝背场(BSF)是本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.全铝背场晶体硅太阳能电池用耐老化低温固化型背面银浆,其特征在于,由以下重量份数的各组分组成:球形银粉                  5‑15份;球形锡粉                  0‑5份;片状银粉                  50‑60份;双酚A型环氧树脂           0‑5份;氢化双酚A型环氧树脂       5‑8份;脂环族环氧树脂            3‑10份;液体酸酐固化剂            11.6‑20.5份;固化促进剂                0.02‑0.1份;加工助剂                  0‑0.08份;触变助剂  ...

【技术特征摘要】
1.全铝背场晶体硅太阳能电池用耐老化低温固化型背面银浆,其特征在于,由以下重量份数的各组分组成:球形银粉5-15份;球形锡粉0-5份;片状银粉50-60份;双酚A型环氧树脂0-5份;氢化双酚A型环氧树脂5-8份;脂环族环氧树脂3-10份;液体酸酐固化剂11.6-20.5份;固化促进剂0.02-0.1份;加工助剂0-0.08份;触变助剂0.2-0.5份。2.根据权利要求1所述的全铝背场晶体硅太阳能电池用耐老化低温固化型背面银浆,其特征在于:所述的球形银粉的D50为0.6-1.0μm;所述球形锡粉的D50为0.8-1.6μm;所述片状银粉的纯度大于99.90%,所述片状银粉的D50为2.0-4.0μm。3.根据权利要求1所述的全铝背场晶体硅太阳能电池用耐老化低温固化型背面银浆,其特征在于:所述双酚A环氧树脂为E51型双酚A环氧树脂。4.根据权利要求1所述的全铝背场晶体硅太阳能电池用耐老化低温固化型背面银浆,其特征在于:所述脂环族环氧树脂选自二氧化乙烯基环己烯、二甲基代二氧化乙烯基环己烯、3,4-环氧基环己烷甲酸-3’,4’-环氧基环己烷甲酯、3,4-环氧基-6-甲基环己烷甲酯-3’,4’-环氧基-6-甲基环己烷甲酯中的一种或几种混合物。5.根据权利要求1所述的全铝背场晶体硅太阳能电池用耐老化低温固化型背面银浆,其特征在于:所述液体酸酐固化剂为甲基四氢邻苯二甲酸酐、甲基六氢邻苯二甲酸酐、甲基纳迪克酸酐、十二烷基琥珀酸酐中的一种或几种混合物。6.根据权利要求1所述的全铝背场晶体硅太阳能电池用耐老化低温固化型背面银浆,其特征在于:所述固化促进...

【专利技术属性】
技术研发人员:闵玉勤张群冷青松耿心彤杨全荣
申请(专利权)人:江苏正能电子科技有限公司
类型:发明
国别省市:江苏,32

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