原子层成长装置、使用原子层成长装置的成膜方法及原子层成长装置的清洁方法制造方法及图纸

为抑制于基板上形成的膜的膜质劣化，电浆原子层成长装置(1)具备：原料气体供给口(14)，设置于成膜容器(1)的成膜容器(1A)的第一侧壁，且还具有作为清洁气体供给口的功能；原料气体排出口(15)，设置于成膜容器(1A)的第二侧壁，且还具有作为清洁气体排出口的功能。

Atomic Layer Growth Device, Film Formation Method Using Atomic Layer Growth Device and Cleaning Method of Atomic Layer Growth Device

In order to suppress the deterioration of the film formed on the substrate, the plasma atomic layer growth device (1) has the following functions: the feed port (14), the first side wall of the film forming container (1A) of the film forming container (1), and the function of the feed port (15), the second side wall of the film forming container (1A), and the function of the clean gas discharge port. \u3002

【技术实现步骤摘要】
原子层成长装置、使用原子层成长装置的成膜方法及原子层成长装置的清洁方法
本专利技术涉及一种原子层成长装置，以及使用原子层成长装置的成膜方法，及原子层成长装置的清洁方法。
技术介绍
日本特开第2002-280376号公报(专利文献1)当中，记载具有冲洗头的化学气相沉积(ChemicalVaporDeposition,CVD)装置的清洁方法。日本特开第2014-210946号公报(专利文献2)当中，记载关于原子层沉积装置的技术。先前技术文献专利文献专利文献1：日本特开第2012-280376号公报专利文献2：日本特开第2014-210946号公报
技术实现思路
原子层成长法为借着交替地将原料气体与反应气体供给至基板上，以于基板上以原子层单位来形成膜的成膜方法。此原子层成长法由于以原子层单位来形成膜，因此具有良好的阶梯覆盖性及膜厚控制性的优点。另一方面，将原子层成长法具现化的原子层成长装置具有良好阶梯覆盖性的优点，然而此优点的反面也存有难以清除膜的地方也容易形成膜的状况。因此，原子层成长装置由于在难以清除处所形成的膜的剥离的异物产生，导致形成于基板上的膜的膜质劣化，此点使人担忧。其他的解决问题本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种原子层成长装置，其特征在于，具备：成膜容器；下部电极，配置于所述成膜容器的下侧表面；上部电极，配置于所述成膜容器的上侧表面，且用于在与所述下部电极之间产生电浆放电；气体供给口，设置于与所述上侧表面与所述下侧表面相交的所述成膜容器的第一侧壁；排气口，设置于所述成膜容器的第二侧壁，所述第二侧壁与所述上侧表面与所述下侧表面相交，且与所述第一侧壁对向；第一防附着部件，与所述成膜容器和所述下部电极两者接触；及第二防附着部件，与所述成膜容器和所述上部电极两者接触。

【技术特征摘要】
2017.08.10 JP 2017-1549421.一种原子层成长装置，其特征在于，具备：成膜容器；下部电极，配置于所述成膜容器的下侧表面；上部电极，配置于所述成膜容器的上侧表面，且用于在与所述下部电极之间产生电浆放电；气体供给口，设置于与所述上侧表面与所述下侧表面相交的所述成膜容器的第一侧壁；排气口，设置于所述成膜容器的第二侧壁，所述第二侧壁与所述上侧表面与所述下侧表面相交，且与所述第一侧壁对向；第一防附着部件，与所述成膜容器和所述下部电极两者接触；及第二防附着部件，与所述成膜容器和所述上部电极两者接触。2.根据权利要求1所述的原子层成长装置，其特征在于，所述成膜容器与所述下部电极之间存有空隙，所述第一防附着部件将所述空隙封住。3.一种原子层成长装置，其特征在于，具备：下部电极，用于保持基板；上部电极，具有与所述下部电极对向的对向面，且用于在与所述下部电极之间产生电浆放电；成膜容器，包含由所述下部电极的上方空间且所述上部电极的下方空间所构成的成膜空间；下方防附着部件，设置于所述下部电极的下方空间与所述成膜空间之间；上方防附着部件，安装于所述上部电极；原料气体供给口，设置于所述成膜容器的第一侧壁，且与所述成膜空间连通；原料气体排出口，设置于与所述成膜容器的第一侧壁对向的所述成膜容器的第二侧壁，且与所述成膜空间连通，所述成膜容器具有：下侧表面，其中配置有所述下部电极；及上侧表面，其中配置有所述上部电极；其中，所述第一侧壁与所述下侧表面及所述上侧表面相交；且所述第二侧壁与所述下侧表面及所述上侧表面相交。4.根据权利要求3所述的原子层成长装置，其特征在于，所述原料气体供给口兼作为反应气体供给口；且所述原料气体排出口兼作为反应气体排出口。5.一种原子层成长装置，其特征在于，具备：第一电极，用于保持基板；第二电极，具有与所述第一电极对向的对向面，且用于在与所述第一电极之间产生电浆放电；成膜容器，将所述第一电极及所述第二电极包于其内；清洁气体供给口，设置于所述成膜容器的第一侧壁；清洁气体排出口，设置于所述成膜容器的第二侧壁，所述第二侧壁与所述成膜容器的所述第一侧壁对向；其中，所述成膜容器具有：第一面，其中配置有所述第一电极；及第二面，其中配置有所述第二电极；其中，所述第一侧壁与所述第一面及所述第二面相交；且所述第二侧壁与所述第一面及所述第二面相交。6.根据权利要求5所述的原子层成长装置，其特征在于，所述原子层成长装置具有清洁气体供给部，所述清洁气体供给部与所述清洁气体供给口连通。7.根据权利要求6所述的原子层成长装置，其特征在于，所述清洁气体供给部使自由基产生。8.根据权利要求5所述的原子层成长装置，其特征在于，所述清洁气体供给口兼作为原料气体供给口。9.根据权利要求5所述的原子层成长装置，其特征在于，所述成膜容器的内部中设置有整流板，所述整流板控制由所述清洁气体供给口供给至所述成膜容器的内部的清洁气体的流动。10.一种原子层成长装置，其特征在于，具备：第一电极，用于保持基板；第二电极，具有与所述第一电极对向的对向面，且用于在与所述第一电极之间产生电浆放电；成膜容器，将所述第一电极及所述第二电极包于其内；原料气体供给口，设置于所述成膜容器的第一侧壁；反应气体供给口，设置于所述成膜容器的第一侧壁；及排气口，设置于与所述成膜容器的所述第一侧壁对向的所述第二侧壁，其中，所述成膜容器具有：第一面，其中配置有所述第一电极；及第二面，其中配置有所述第二电极；其中，所述第一侧壁与所述第一面及所述第二面相交；且所述第二侧壁与所述第一面及所述第二面相交。11.根据权利要求10所述的原子层成长装置，其特征在于，所述原料气体供给口的内部尺寸大于所述反应气体供给口的内部尺寸。12.根据权利要求10所述的原子层成长装置，其特征在于，所述原料气体供给口兼作为清洁气体供给口；且所述反应气体排出口兼作为清洁气体供给口。13.根据权利要求12所述的原子层成长装置，其特征在于，所述清洁气体供给口与清洁气体供给部连通；且所述清洁气体供给部使自由基产生。14.根据权利要求10所述的原子层成长装置，其特征在于，所述原料气体供给口兼作为清洁气体供给口；且所述反应气体排出口兼作为清洁气体排出口。15.根据权利要求14所述的原子层成长装置，其特征在于，所述清洁气体供给口与清洁气体供给部连通；且所述清洁气体供给部使自由基产生。16.一种原子层成长装置，包含于成膜空间配置基板的成膜容器，其特征在于，所述原子层成长装置具备：多个清洁气体用通孔，设置于所述成膜容器的内壁；配管经由路径部，与所述多个清洁气体用通孔的各个连接，且其中流通清洁气体；多个气阀，设置于所述配管经由路径部，且可开关调整，其中，所述多个气阀的各个设置为对应所述多个清洁气体用通孔的各个，且所述原子层成长装置构成为可连接至控制部，所述控制部借着控制所述多个气阀的各个的开关，以控制所述成膜空间的内部中的清洁气体的流动。17.根据权利要求16所述的原子层成长装置，其特征在于，所述配管经由路径部与清洁气体供给部连通，所述清洁气体供给部使自由基产生。18.一种使用原子层成长装置的成膜方法，其特征在于，其中所述原子层成长装置具备：下部电极，用于保持基...

【专利技术属性】
技术研发人员：寅丸雅光，鹫尾圭亮，千叶理树，中田真生，
申请(专利权)人：株式会社日本制钢所，
类型：发明
国别省市：日本,JP