像素电极、薄膜晶体管阵列基板及显示面板制造技术

本申请公开一种像素电极、薄膜晶体管阵列基板及显示面板，通过使像素电极的分支电极的两端宽度与分支电极的中间宽度不同以提高像素电极各个区域的穿透率。

【技术实现步骤摘要】
像素电极、薄膜晶体管阵列基板及显示面板
本申请涉及显示
，尤其涉及一种像素电极、薄膜晶体管阵列基板及显示面板。
技术介绍
液晶显示器是具有高分辨率彩色屏幕的显示器，其已经逐渐成为各种电子设备如移动电话、个人数字助理(PDA)、数字相机、计算机屏幕以及笔记本电脑屏幕所广泛应用的显示器。目前普遍采用的液晶显示器通常由薄膜晶体管基板、彩膜基板以及位于薄膜晶体管基板和彩膜基板之间的液晶层组成，薄膜晶体管基板和彩膜基板上均由玻璃基板和电极等组成。在薄膜晶体管基板和彩膜基板上均有电极时，可以形成纵向电场模式的显示器，如扭曲向列式(TwistNematic，TN)模式，垂直配向(VerticalAlignment，VA)模式，以及为了解决视角过窄开发的多象限垂直配向技术(Multi-domainVerticalAlignment，MVA)；另一类显示器是形成横向电场模式，电极只位于薄膜晶体管基板或彩膜基板的一侧，如平面转换(In-planeswitching，IPS)模式、边缘场开关(FringeFieldSwitching，FFS)模式等。VA模式显示器以其高开口、高分辨率、广视角等特点为本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种像素电极，其特征在于，所述像素电极包括：主干部，所述主干部包括水平主干电极和垂直主干电极，所述水平主干电极和所述垂直主干电极相互垂直且将所述像素电极均分为四个分支部区；分支部，所述分支部位于四个所述分支部区中，每个所述分支部区中的所述分支部包括多条平行且沿预设方向排列的分支电极，相邻所述分支电极之间设置有狭缝，所述分支电极两端的宽度与所述分支电极中间的宽度不同。

【技术特征摘要】
1.一种像素电极，其特征在于，所述像素电极包括：主干部，所述主干部包括水平主干电极和垂直主干电极，所述水平主干电极和所述垂直主干电极相互垂直且将所述像素电极均分为四个分支部区；分支部，所述分支部位于四个所述分支部区中，每个所述分支部区中的所述分支部包括多条平行且沿预设方向排列的分支电极，相邻所述分支电极之间设置有狭缝，所述分支电极两端的宽度与所述分支电极中间的宽度不同。2.根据权利要求1所述的像素电极，其特征在于，所述分支电极两端的宽度小于所述分支电极中间的宽度。3.根据权利要求2所述的像素电极，其特征在于，所述分支电极的宽度由中间向两端逐渐减小。4.根据权利要求1所述的像素电极，其特征在于，所述分支电极两端的宽度大于所述分支电极中间的宽度。5.根据权利要求...

【专利技术属性】
技术研发人员：郝思坤，
申请(专利权)人：深圳市华星光电半导体显示技术有限公司，
类型：发明
国别省市：广东,44