电流检测电路制造技术

本发明专利技术公开了一种电流检测电路。电流检测电路包括第一电阻R1、第一运算放大器、第二运算放大器、第一NMOS管、第二电阻R2、第一PMOS管、第二PMOS管和第三电阻R3。利用本发明专利技术的电流检测电路可以间接检测到不易检测的电流。

【技术实现步骤摘要】
电流检测电路
本专利技术涉及电子
，尤其涉及到电流检测电路。
技术介绍
在有些场合线路上的电流不容易直接测出来，就要通过间接的方式把电流检测出来，为此设计了电流检测电路。
技术实现思路
本专利技术旨在解决现有技术的不足，提供一种电流检测电路。电流检测电路，包括第一电阻R1、第一运算放大器、第二运算放大器、第一NMOS管、第二电阻R2、第一PMOS管、第二PMOS管和第三电阻R3：所述第一电阻R1的一端接输入Vin和所述第一运算放大器的正输入端，另一端接第二运算放大器的正输入端；所述第一运算放大器的正输入端接所述第一电阻R1的一端，负输入端接所述第一NMOS管的源极和所述第二电阻R2的一端，输出端接所述第一NMOS管的栅极；所述第二运算放大器的正输入端接所述第一电阻R1的一端，负输入端和输出端接在一起再接所述第二电阻R2的一端；所述第一NMOS管的栅极接所述第一运算放大器的输出端，漏极接所述第一PMOS管的栅极和漏极和所述第二PMOS管的栅极，源极接所述第一运算放大器的负输入端和所述第二电阻R2的一端；所述第二电阻R2的一端接所述第一运算放大器的负输入端和所述第一NMOS管的源极，另一端接所述第二运算放大器的负输入端和输出端；所述第一PMOS管的栅极和漏极接在一起再接所述第一NMOS管的漏极和所述第二PMOS管的栅极，源极接电源电压VCC；所述第二PMOS管的栅极接所述第一NMOS管的漏极和所述第一PMOS管的栅极和漏极，漏极接所述第三电阻R3的一端，源极接电源电压VCC；所述第三电阻R3的一端接所述第二PMOS管的漏极，另一端接地。所述第一电阻R1两端的电压通过由所述第一运算放大器和所述第一NMOS管构成的跟随器和所述第二运算放大器构成的跟随器检测出来，检测出来后加在所述第二电阻R2上产生电流I2，再通过所述第一PMOS管镜像给所述第二PMOS管流出在所送第三电阻R3上产生电压，所述第一电阻R1、所述第二电阻R2和所述第三电阻R3的电阻值是已知的，所述第三电阻R3上的电压VC可以测试出来，反推回去就可以间接把所述第一电阻R1上的电流测试出来。附图说明图1为本专利技术的电流检测电路的电路图。具体实施方式以下结合附图对本
技术实现思路
进一步说明。电流检测电路，如图1所示，包括第一电阻R1、第一运算放大器10、第二运算放大器20、第一NMOS管30、第二电阻R2、第一PMOS管40、第二PMOS管50和第三电阻R3：所述第一电阻R1的一端接输入Vin和所述第一运算放大器10的正输入端，另一端接第二运算放大器20的正输入端；所述第一运算放大器10的正输入端接所述第一电阻R1的一端，负输入端接所述第一NMOS管30的源极和所述第二电阻R2的一端，输出端接所述第一NMOS管30的栅极；所述第二运算放大器20的正输入端接所述第一电阻R1的一端，负输入端和输出端接在一起再接所述第二电阻R2的一端；所述第一NMOS管30的栅极接所述第一运算放大器10的输出端，漏极接所述第一PMOS管40的栅极和漏极和所述第二PMOS管50的栅极，源极接所述第一运算放大器10的负输入端和所述第二电阻R2的一端；所述第二电阻R2的一端接所述第一运算放大器10的负输入端和所述第一NMOS管30的源极，另一端接所述第二运算放大器20的负输入端和输出端；所述第一PMOS管40的栅极和漏极接在一起再接所述第一NMOS管30的漏极和所述第二PMOS管50的栅极，源极接电源电压VCC；所述第二PMOS管50的栅极接所述第一NMOS管30的漏极和所述第一PMOS管40的栅极和漏极，漏极接所述第三电阻R3的一端，源极接电源电压VCC；所述第三电阻R3的一端接所述第二PMOS管50的漏极，另一端接地。所述第一电阻R1两端的电压通过由所述第一运算放大器10和所述第一NMOS管30构成的跟随器和所述第二运算放大器20构成的跟随器检测出来，检测出来后加在所述第二电阻R2上产生电流I2，再通过所述第一PMOS管40镜像给所述第二PMOS管50流出在所送第三电阻R3上产生电压，所述第一电阻R1、所述第二电阻R2和所述第三电阻R3的电阻值是已知的，所述第三电阻R3上的电压VC可以测试出来，反推回去就可以间接把所述第一电阻R1上的电流测试出来。对上述所提供的实施方式的说明，仅是本专利技术的优选实施方式的说明，对本
的技术人员来说能够根据以上说明进行实现或使用本专利技术。应当指出，对于本
的技术人员来说，在不脱离本专利技术技术原理的前提下，还可以做出若干改进和变形，任何不超出本专利技术实质精神范围内的专利技术创造，应视为本专利技术的保护范围。本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.电流检测电路，其特征在于：包括第一电阻R1、第一运算放大器、第二运算放大器、第一NMOS管、第二电阻R2、第一PMOS管、第二PMOS管和第三电阻R3；所述第一电阻R1的一端接输入Vin和所述第一运算放大器的正输入端，另一端接第二运算放大器的正输入端；所述第一运算放大器的正输入端接所述第一电阻R1的一端，负输入端接所述第一NMOS管的源极和所述第二电阻R2的一端，输出端接所述第一NMOS管的栅极；所述第二运算放大器的正输入端接所述第一电阻R1的一端，负输入端和输出端接在一起再接所述第二电阻R2的一端；所述第一NMOS管的栅极接所述第一运算放大器的输出端，漏极接所述第一PMOS管的栅极和漏极和所述第二PMOS管的栅极，源极接所述第一运算放大器的负输入端和所述第二电阻R2的一端；所述第二电阻R2的一端接所述第一运算放大器的负输入端和所述第一NMOS管的源极，另一端接所述第二运算放大器的负输入端和输出端；所述第一PMOS管的栅极和漏极接在一起再接所述第一NMOS管的漏极和所述第二PMOS管的栅极，源极接电源电压VCC； 所述第二PMOS管的栅极接所述第一NMOS管的漏极和所述第一PMOS管的栅极和漏极，漏极接所述第三电阻R3的一端，源极接电源电压VCC；所述第三电阻R3的一端接所述第二PMOS管的漏极，另一端接地。...

【技术特征摘要】
1.电流检测电路，其特征在于：包括第一电阻R1、第一运算放大器、第二运算放大器、第一NMOS管、第二电阻R2、第一PMOS管、第二PMOS管和第三电阻R3；所述第一电阻R1的一端接输入Vin和所述第一运算放大器的正输入端，另一端接第二运算放大器的正输入端；所述第一运算放大器的正输入端接所述第一电阻R1的一端，负输入端接所述第一NMOS管的源极和所述第二电阻R2的一端，输出端接所述第一NMOS管的栅极；所述第二运算放大器的正输入端接所述第一电阻R1的一端，负输入端和输出端接在一起再接所述第二电阻R2的一端；所述第一NMOS管的栅极接所述第一运算放大器的输出端，...

【专利技术属性】
技术研发人员：罗红飞，
申请(专利权)人：杭州展虹科技有限公司，
类型：发明
国别省市：浙江,33