电流检测电路制造技术

本发明专利技术公开了一种电流检测电路。电流检测电路包括第一电阻R1、第一运算放大器、第二运算放大器、第一NMOS管、第二电阻R2、第一PMOS管、第二PMOS管和第三电阻R3。利用本发明专利技术的电流检测电路可以间接检测到不易检测的电流。

【技术实现步骤摘要】
电流检测电路
本专利技术涉及电子
，尤其涉及到电流检测电路。
技术介绍
在有些场合线路上的电流不容易直接测出来，就要通过间接的方式把电流检测出来，为此设计了电流检测电路。
技术实现思路
本专利技术旨在解决现有技术的不足，提供一种电流检测电路。电流检测电路，包括第一电阻R1、第一运算放大器、第二运算放大器、第一NMOS管、第二电阻R2、第一PMOS管、第二PMOS管和第三电阻R3：所述第一电阻R1的一端接输入Vin和所述第一运算放大器的正输入端，另一端接第二运算放大器的正输入端；所述第一运算放大器的正输入端接所述第一电阻R1的一端，负输入端接所述第一NMOS管的源极和所述第二电阻R2的一端，输出端接所述第一NMOS管的栅极；所述第二运算放大器的正输入端接所述第一电阻R1的一端，负输入端和输出端接在一起再接所述第二电阻R2的一端；所述第一NMOS管的栅极接所述第一运算放大器的输出端，漏极接所述第一PMOS管的栅极和漏极和所述第二PMOS管的栅极，源极接所述第一运算放大器的负输入端和所述第二电阻R2的一端；所述第二电阻R2的一端接所述第一运算放大器的负输入端和所述第一NMOS管的源极，另本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.电流检测电路，其特征在于：包括第一电阻R1、第一运算放大器、第二运算放大器、第一NMOS管、第二电阻R2、第一PMOS管、第二PMOS管和第三电阻R3；所述第一电阻R1的一端接输入Vin和所述第一运算放大器的正输入端，另一端接第二运算放大器的正输入端；所述第一运算放大器的正输入端接所述第一电阻R1的一端，负输入端接所述第一NMOS管的源极和所述第二电阻R2的一端，输出端接所述第一NMOS管的栅极；所述第二运算放大器的正输入端接所述第一电阻R1的一端，负输入端和输出端接在一起再接所述第二电阻R2的一端；所述第一NMOS管的栅极接所述第一运算放大器的输出端，漏极接所述第一PMOS管的栅极和漏极...

【技术特征摘要】
1.电流检测电路，其特征在于：包括第一电阻R1、第一运算放大器、第二运算放大器、第一NMOS管、第二电阻R2、第一PMOS管、第二PMOS管和第三电阻R3；所述第一电阻R1的一端接输入Vin和所述第一运算放大器的正输入端，另一端接第二运算放大器的正输入端；所述第一运算放大器的正输入端接所述第一电阻R1的一端，负输入端接所述第一NMOS管的源极和所述第二电阻R2的一端，输出端接所述第一NMOS管的栅极；所述第二运算放大器的正输入端接所述第一电阻R1的一端，负输入端和输出端接在一起再接所述第二电阻R2的一端；所述第一NMOS管的栅极接所述第一运算放大器的输出端，...

【专利技术属性】
技术研发人员：罗红飞，
申请(专利权)人：杭州展虹科技有限公司，
类型：发明
国别省市：浙江,33