The invention discloses a blue light quantum, a preparation method thereof and an electronic device. The blue-light quantum dot consists of a quantum dot core, a first shell and a second shell coated outside the core of the quantum dot in turn. The core of the quantum dot is ZnS, and the second shell is ZnS. The first shell includes Zn, Se and X elements, and X elements are Cd or Te elements. The blue-light quantum dots of the present invention use monodisperse small-size zinc sulfide as template, and then grow XZnSe or ZnXSe shell and zinc sulfide shell outside zinc sulfide. The obtained blue-light quantum dots have good uniformity in size, and their luminescent properties and stability are improved compared with the existing technology.
【技术实现步骤摘要】
一种蓝光量子点及其制备方法、电子器件
本专利技术涉及量子点材料
,尤其涉及一种蓝光量子及其制备方法、电子器件。
技术介绍
目前,量子点材料由于发光效率高、激发范围广、发射光谱窄、颜色波长可调等特点,在生物技术、太阳能电池和发光二极管等方面的应用受到越来越多的关注。目前利用量子点的光致发光原理的量子点电视,也以及顺利进入消费市场,NTSC色域>110%,色彩表现能力媲美OLED电视,取得良好的市场反馈。作为量子点材料第二代发光技术,量子点电致发光QLED是近年来的研究热点。红光量子点方面,浙江大学化学系彭笑刚教授领衔的课题组,通过溶液旋涂法,在量子点发光层和电子注入层之间插入超薄的PMMA绝缘层,实现对载流子的注入平衡,实现了EQE>20.5%的超高外量子效率、而且寿命超过100,000小时、性能已经达到甚至超越商用OLED的产品。绿光量子点方面,文献报道中普遍采用渐变合金量子点,2012年韩国课题组通过在CdSe@ZnS外包覆1.6nm厚的ZnS层,实现了EQE=12.6%的外量子产率;2017韩国课题组通过在MoOx和量子点层之间插入聚乙氧基乙烯亚胺 ...
【技术保护点】
1.一种蓝光量子点,包括量子点核、依次包覆于所述量子点核外的第一壳层和第二壳层,其特征在于,所述量子点核为ZnS,所述第二壳层为ZnS,所述第一壳层包括Zn元素、Se元素以及X元素,所述X元素为Cd元素或Te元素。
【技术特征摘要】
1.一种蓝光量子点,包括量子点核、依次包覆于所述量子点核外的第一壳层和第二壳层,其特征在于,所述量子点核为ZnS,所述第二壳层为ZnS,所述第一壳层包括Zn元素、Se元素以及X元素,所述X元素为Cd元素或Te元素。2.根据权利要求1所述的蓝光量子点,其特征在于,当所述X元素为Cd元素时,所述第一壳层中Zn元素与Se元素的摩尔数之比为2:1~3:1;当所述X元素为Te元素时,所述第一壳层中Zn元素与Se元素的摩尔数之比为1:1~10:1。3.根据权利要求1所述的蓝光量子点,其特征在于,当所述X元素为Cd元素时,所述第一壳层中Cd元素占第一壳层所有阳离子元素的摩尔百分数为5%~10%;当所述X元素为Te元素时,所述第一壳层中Te元素占第一壳层所有阴离子元素的摩尔百分数为1%~5%。4.根据权利要求1所述的蓝光量子点,其特征在于,当所述X元素为Cd元素时,所述第一壳层的厚度为4~7nm;当所述X元素为Te元素时,所述第一壳层的厚度为1~8nm。5.根据权利要求1所述的蓝光量子点,其特征在于,当所述X元素为Cd元素时,所述蓝光量子点的尺寸为8~11nm;当所述X元素为Te元素时,所述蓝光量子点的尺寸为6~15nm。6.根据权利要求1-5任一所述的蓝光量子点,其特征在于,所述量子点核的尺寸为1~5nm。7.一种蓝光量子点制备方法,其特征在于,包括以下步骤S1,提供ZnS量子点溶液,将所述ZnS量子点溶液与第一硒前体混合,得到混合溶液;S2,向第一锌前体溶液中加入所述混合溶液,反应30~60s后加入X元素前体,反应后得到ZnS/ZnXSe或ZnS/XZnSe,所述X元素前体...
【专利技术属性】
技术研发人员:胡保忠,毛雁宏,高远,
申请(专利权)人:纳晶科技股份有限公司,
类型:发明
国别省市:浙江,33
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