一种碳化硅铜抛后卸蜡的方法技术

本发明专利技术公开一种碳化硅铜抛后卸蜡的方法，所述碳化硅铜抛后卸蜡的方法利用碳化硅晶片卸蜡台和手推治具完成，其中，手推治具将陶瓷盘上的碳化硅晶片推出来，碳化硅晶片在水流的作用下和传感器控制下，将卸载下来的晶片一片一片的装在晶舟盒的指定位置；本发明专利技术碳化硅铜抛后卸蜡的方法，将陶瓷盘放在一定倾斜度且可以旋转的平台上，然后用手推治具，将碳化硅晶片推出来，顺着水流到晶舟盒内，晶舟盒和陶瓷盘之间设有安装光学传感器的滑移轨道，通过光学传感器，调节晶舟盒位置，这样在碳化硅晶片卸片过程中，既可以不用加热，又可以避免温度过高导致晶片在手上失去保护、掉落等异常情况。

A Method of Removing Wax after Disposal of Silicon Carbide Copper

The invention discloses a method of discharging wax after discharging of silicon carbide copper. The method of discharging wax after discharging wax by silicon carbide wafer is accomplished by a wafer discharging table and a hand massage tool. The hand massage tool pushes out the silicon carbide wafer on the ceramic disc, and the silicon carbide wafer, under the action of water current and the control of sensors, places the unloaded wafer piece by piece in the crystal boat box. The method of discharging wax by throwing back silicon carbide copper puts the ceramic disc on a platform with a certain inclination and can rotate, then pushes out the silicon carbide wafer with a hand massage tool, and flows along the water to the crystal boat box. There is a sliding track with an optical sensor installed between the crystal boat box and the ceramic disc. Through the optical sensor, the position of the crystal boat box is adjusted, so that the discharging process of silicon carbide wafer wafer is carried out. In this way, we can not only avoid heating, but also avoid the abnormal situation that the chip loses protection and falls on the hand because of the high temperature.

【技术实现步骤摘要】
一种碳化硅铜抛后卸蜡的方法
本专利技术涉及晶体加工
，具体涉及一种碳化硅铜抛后卸蜡的方法。
技术介绍
碳化硅作为三代半导体材料的运用因其具有宽禁带，高击穿场，大热导率，电子饱和漂移速度高，抗辐射强和良好化学稳定性的优越性质，成为新一代微电子器件和电路的关键半导体材料，碳化硅与制作大功率微波、电力电子、光电器件的重要材料GaN之间具有非常好的匹配度，是碳化硅成为新一代宽带半导体器件的重要衬底材料。未来将应用在节能减排、信息技术、国防三大领域催生上万亿元潜在市场，成为未来新能源发展的方向之一。然而，碳化硅材料作为外延的衬底材料，对其表面质量具有很强的需求，需要经过一系列的加工工艺，其中碳化硅铜抛也是必不可少的一部分，否则将会影响到外延的品质。因此，碳化硅在铜抛前，需要将碳化硅晶片用液态蜡贴在陶瓷盘上进行精加工，然而，碳化硅晶片铜抛后，需要将碳化硅晶片从陶瓷盘上卸下来。现有的碳化硅晶片铜抛后卸蜡方法，主要是将铜抛后粘有碳化硅晶片的陶瓷盘放在加热器上进行烘烤使蜡融化，然后再用手将碳化硅晶片从陶瓷盘上一片一片取下来。然而在取片的过程中，由于陶瓷盘在加热器上烘烤，导致陶瓷盘和晶片会发烫，人本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种碳化硅铜抛后卸蜡的方法，其特征在于，所述碳化硅铜抛后卸蜡的方法利用碳化硅晶片卸蜡台和手推治具完成，其中，手推治具将陶瓷盘上的碳化硅晶片推出来，碳化硅晶片在水流的作用下和传感器控制下，将卸载下来的晶片一片一片的装在晶舟盒的指定位置；具体工艺步骤包括：S10，开启电源开关，启动碳化硅晶片卸蜡台，并开启水龙头喷嘴，使水流到陶瓷盘和晶舟盒和陶瓷盘之间滑移的轨道；S20，将陶瓷盘放在可以自由旋转的机构平台上，陶瓷盘利用固定销，将其顶住，用手推治具的底面平行贴住陶瓷盘将粘在陶瓷盘上的碳化硅晶片从陶瓷盘上推卸出来；S30，S20中推卸出来的碳化硅晶片在陶瓷盘上顺着水流沿着滑移轨道流进晶舟盒内；S40...

【技术特征摘要】
1.一种碳化硅铜抛后卸蜡的方法，其特征在于，所述碳化硅铜抛后卸蜡的方法利用碳化硅晶片卸蜡台和手推治具完成，其中，手推治具将陶瓷盘上的碳化硅晶片推出来，碳化硅晶片在水流的作用下和传感器控制下，将卸载下来的晶片一片一片的装在晶舟盒的指定位置；具体工艺步骤包括：S10，开启电源开关，启动碳化硅晶片卸蜡台，并开启水龙头喷嘴，使水流到陶瓷盘和晶舟盒和陶瓷盘之间滑移的轨道；S20，将陶瓷盘放在可以自由旋转的机构平台上，陶瓷盘利用固定销，将其顶住，用手推治具的底面平行贴住陶瓷盘将粘在陶瓷盘上的碳化硅晶片从陶瓷盘上推卸出来；S30，S20中推卸出来的碳化硅晶片在陶瓷盘上顺着水流沿着滑移轨道流进晶舟盒内；S40，当用手推治具卸载完成一片碳化硅晶片时，旋转陶瓷盘移至碳化硅晶片需要卸载的位置，紧接着卸载下一片碳化硅晶片，如此反复，直至碳化硅晶片卸载作业完成。2.根据权利要求1所述的碳化硅铜抛后卸蜡的方法，其特征在于，S10中，所述水龙头喷嘴流速为0.65m/s～1.20m/s。3.根据权利要求1所述的碳化硅铜抛后卸蜡的方法，其特征在于，S20中，所述可以自由旋转的机构...

【专利技术属性】
技术研发人员：苏双图，张洁，林武庆，赖柏帆，
申请(专利权)人：福建北电新材料科技有限公司，
类型：发明
国别省市：福建,35