【技术实现步骤摘要】
双电源合路装置
本技术涉及双电源供电
，特别涉及一种双电源合路装置。
技术介绍
在大功率低输出电压，高输出电流通信供电系统中，通常存在主电源和备用电源双电源供电系统。因此在主板中就存在合路处理电路。该合路处理电路往往采用两个二极管方案，具体见图1，主电源和备用电源分别通过一个二极管后，形成合路，为负载供电。当主电源电压正常时，由主电源为负载供电；当主电源掉电时，由备用电源为负载供电。但是在大电流场所，二极管发热量极大，严重影响整个电路的效率；以及为了散热，采用一些散热措施，增加了主板的布局的复杂度。
技术实现思路
本技术要解决的技术问题是为了克服现有技术的双电源合路处理电路发热量大、主板布局难度大的缺陷，提供一种双电源合路装置。本技术是通过下述技术方案来解决上述技术问题：一种双电源合路装置，包括：第一偏置单元、第一开关单元、第二偏置单元、第二开关单元；第一偏置单元包括输入端和输出端；第二偏置单元包括输入端和输出端；第一开关单元包括输入端、第一输出端、第二输出端和开关控制端；第二开关单元包括输入端、输出端和开关控制端；第一偏置单元的输入端与主电源电连接，第一偏置单元的...
【技术保护点】
1.一种双电源合路装置，其特征在于，包括：第一偏置单元、第一开关单元、第二偏置单元、第二开关单元；所述第一偏置单元包括输入端和输出端；所述第二偏置单元包括输入端和输出端；所述第一开关单元包括输入端、第一输出端、第二输出端和开关控制端；所述第二开关单元包括输入端、输出端和开关控制端；所述第一偏置单元的输入端与主电源电连接，所述第一偏置单元的输出端与所述第一开关单元的开关控制端电连接；所述第二偏置单元的输入端与备用电源电连接，所述第二偏置单元的输出端、所述第一开关单元的第二输出端均与所述第二开关单元的开关控制端电连接；所述第一开关单元的第一输出端与所述第二开关单元的输出端电连接...
【技术特征摘要】
1.一种双电源合路装置，其特征在于，包括：第一偏置单元、第一开关单元、第二偏置单元、第二开关单元；所述第一偏置单元包括输入端和输出端；所述第二偏置单元包括输入端和输出端；所述第一开关单元包括输入端、第一输出端、第二输出端和开关控制端；所述第二开关单元包括输入端、输出端和开关控制端；所述第一偏置单元的输入端与主电源电连接，所述第一偏置单元的输出端与所述第一开关单元的开关控制端电连接；所述第二偏置单元的输入端与备用电源电连接，所述第二偏置单元的输出端、所述第一开关单元的第二输出端均与所述第二开关单元的开关控制端电连接；所述第一开关单元的第一输出端与所述第二开关单元的输出端电连接，并作为所述双电源合路装置的输出端；所述第一开关单元还包括第一PMOS场效应管、第一电阻、第二电阻、第三电阻、第一三极管；所述第一PMOS场效应管的源极与所述主电源电连接，所述第一电阻的一端与所述第一PMOS场效应管的栅极电连接，所述第一电阻的另一端分别与所述第二电阻的一端、所述第三电阻的一端电连接，所述第二电阻的另一端与所述第一PMOS场效应管的源极电连接，所述第一PMOS场效应管的漏极作为所述第一输出端，所述第三电阻的另一端与所述第一三极管的集电极电连接，所述第一三极管的集电极作为所述第二输出端，所述第一三极管的基极作为所述第一开关单元的开关控制端，所述第一三极管的发射极接地；所述第二开关单元还包括第二PMOS场效应管、第四电阻、第五电阻、第六电阻、第二三极管；所述第二PMOS场效应管的源极与所述备用电源电连接，所述第四电阻的一端与所述第二PMOS场效应管的栅极电连接，所述第四电阻的另一端分别与所述第五电阻的一端、所述第六电阻的一端电连接，所述第五电阻的另一端与所述第二PMOS场效应管的源极电连接，所述第二PMOS场效应管的漏极作为所述第二开关单元的输出端，所述第六电阻的另一端与所述第二三极管的集电极电连接，所述第二三极管的基极作为所述第二开关单元的开关控制端，所述第二三极管的发射极接地；所述第一三极管、所述第二三极管均为NPN型三极管；所述第一偏置单元通过所述第一偏置单元的输出端向所述第一三极管输出第一偏置电压；所述第二偏置单元通过所述第二偏置单元的输出端向所述第二三极管输出第二偏置电压。2.如权利要求1所述的双电源合路装置，其特征在于，所述第一开关单元还包括第三PMOS场效应...
【专利技术属性】
技术研发人员：王芬芬，
申请(专利权)人：上海剑桥科技股份有限公司，浙江剑桥电子科技有限公司，
类型：新型
国别省市：上海,31
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