一种晶闸管延时投切电路制造技术

本实用新型专利技术公开了电容投切领域内的一种晶闸管延时投切电路，包括上电延时控制电路和逻辑电平转换电路，上电延时控制电路包括三极管Q2，三极管Q2的发射极接地，三极管Q2的基极接电阻R803后分两路，一路经电容C801接地，另一路经并联的电阻R801、二极管D4接+3.3V电源，三极管Q2的集电极经电阻R802接+3.3V电源，三极管Q2的集电极还与逻辑电平转换电路相连，逻辑电平转换电路包括一个非门电路和四个与非门电路，非门电路的输出端分四路接与非门电路的一输入端，与非门电路的另一输入端接单片机，与非门电路的输出端接可控硅的前级光耦，低电平有效，本实用新型专利技术实现可控硅的控制的安全可靠性，具有使用安全可靠，适用于智能电容可控硅继电器复合开关。

A Thyristor Delay Switching Circuit

The utility model discloses a thyristor delayed switching circuit in the field of capacitor switching, which includes a power-on delay control circuit and a logic level conversion circuit. The power-on delay control circuit includes a transistor Q2, a emitter grounding of a transistor Q2, and a base resistance R803 of a transistor Q2, which is divided into two circuits, one grounded by a capacitor C801, the other grounded by a parallel resistance R801, a diode D4 + 3.3V. The collector of transistor Q2 is connected by resistance R802 + 3.3V power supply. The collector of transistor Q2 is also connected with logic level conversion circuit. The logic level conversion circuit includes a non-gate circuit and four non-gate circuits. The output of non-gate circuit is divided into four channels and one input end of non-gate circuit, and the other input end of non-gate circuit is connected with a single chip computer, which can be connected with the output end of non-gate circuit. The front-stage photocoupler of silicon-controlled device is low-level and effective. The utility model realizes the safety and reliability of the control of silicon-controlled device, has the advantages of safe and reliable use, and is suitable for the composite switch of intelligent capacitor silicon-controlled relay.

【技术实现步骤摘要】
一种晶闸管延时投切电路
本技术涉及一种晶闸管，特别涉及一种晶闸管投切电路。
技术介绍
在我国的城乡配电网中，由于用户侧存在着大量的单相有功负荷和无功负荷，因此，用户侧电网配备了大量的无功补偿的智能电容。三相功率优化装置能提高功率因数，减少线路损耗，达到节约能耗的目的。然而现有三相功率优化装置的电容投切大都采用交流接触器控制电容器的投切，在交流接触器的上侧装有熔断器和隔离开关，分别用做短路保护和隔离电源。采用交流接触器投切，会在线路中产生大的浪涌电流，影响电容器的使用寿命，甚至使电容器发生爆炸。这种补偿装置体积大，维护成本高，一定空间不适于安装大量智能电容。
技术实现思路
本技术的目的是提供一种晶闸管延时投切电路，可以避免上电瞬间可控硅失控，提高控制的安全可靠性，保证整个装置的安全运行。本技术的目的是这样实现的：一种晶闸管延时投切电路，包括上电延时控制电路和逻辑电平转换电路，所述上电延时控制电路包括三极管Q2，三极管Q2的发射极接地，三极管Q2的基极接电阻R803后分两路，一路经电容C801接地，另一路经并联的电阻R801、二极管D4接+3.3V电源，三极管Q2的集电极经电阻R802接+3.3V电源，三极管Q2的集电极还与逻辑电平转换电路相连，所述逻辑电平转换电路包括一个非门电路和四个与非门电路，三极管Q2的集电极接非门电路的输入端，非门电路的输出端分四路接四个与非门电路的一输入端，与非门电路的另一输入端接单片机，四个与非门电路的输出端接光耦，低电平有效。作为本技术的进一步限定，所述非门电路选用芯片74HC04，所述与非门电路选用逻辑芯片74HC00，芯片74HC04的5脚接三极管Q2的集电极，芯片74HC04的6脚接逻辑芯片74HC00的2、5、10、13脚，逻辑芯片74HC00的1、4、9、12脚接单片机，逻辑芯片74HC00的3、6、8、11脚作为输出端控制四路光耦。与现有技术相比，本技术的有益效果在于，本技术实现可控硅的控制的安全可靠性，具有使用安全可靠、体积小优点，特别适用于智能电容可控硅继电器复合开关。附图说明图1为本技术电路原理图。具体实施方式如图1所示的一种晶闸管延时投切电路，包括上电延时控制电路和逻辑电平转换电路，上电延时控制电路包括三极管Q2，三极管Q2的发射极接地，三极管Q2的基极接电阻R803后分两路，一路经电容C801接地，另一路经并联的电阻R801、二极管D4接+3.3V电源，三极管Q2的集电极经电阻R802接+3.3V电源，三极管Q2的集电极还与逻辑电平转换电路相连，逻辑电平转换电路包括一个非门电路和四个与非门电路，三极管Q2的集电极接非门电路的输入端，非门电路的输出端分四路接四个与非门电路的一输入端，与非门电路的另一输入端接单片机，四个与非门电路的输出端接光耦，低电平有效，非门电路选用芯片74HC04，与非门电路选用逻辑芯片74HC00，芯片74HC04的5脚接三极管Q2的集电极，芯片74HC04的6脚接逻辑芯片74HC00的2、5、10、13脚，逻辑芯片74HC00的1、4、9、12脚接单片机，逻辑芯片74HC00的3、6、8、11脚作为输出端s_scra、s_scrb、s_scrc，s_scrd控制四路光耦。本技术工作时，U907与非门电路的1、4、9、12引脚接单片机触发信号SCR1、SCR2、SCR3，SCR4；与非门电路2、5、10、13引脚延时触发信号连接至U903非门电路6脚，s_scra、s_scrb、s_scrc，s_scrd是可控硅的前极光耦低电平有效触发信号；上电瞬间，C801电容开始充电，电容电压为低电压，三极管Q2截止，U903输入得高电平，输出得低电平，充电开始时，无论单片机触发信号SCR1、SCR2、SCR3，SCR4给定什么电平，s_scra、s_scrb、s_scrc，s_scrd都为高电平禁止触发信号，可控硅前级禁止触发，可控硅保持截止；保证了控制的安全可靠性。C801电容由低电平，充满止高电平，三极管Q2由截止变为导通，U903输入得低电平，输出得高电平；如果这时单片机触发信号SCR1、SCR2、SCR3，SCR4给定高电平时，s_scra、s_scrb、s_scrc，s_scrd为低电平，触发可控硅的前级光耦，进而触发可控硅导通；如果这时单片机触发信号SCR1、SCR2、SCR3，SCR4给定低电平时，s_scra、s_scrb、s_scrc，s_scrd为高电平，可控硅前级禁止触发，可控硅保持截止。本技术并不局限于上述实施例，在本技术公开的技术方案的基础上，本领域的技术人员根据所公开的
技术实现思路
，不需要创造性的劳动就可以对其中的一些技术特征作出一些替换和变形，这些替换和变形均在本技术的保护范围内。本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种晶闸管延时投切电路，其特征在于，包括上电延时控制电路和逻辑电平转换电路，所述上电延时控制电路包括三极管Q2，三极管Q2的发射极接地，三极管Q2的基极接电阻R803后分两路，一路经电容C801接地，另一路经并联的电阻R801、二极管D4接+3.3V电源，三极管Q2的集电极经电阻R802接+3.3V电源，三极管Q2的集电极还与逻辑电平转换电路相连，所述逻辑电平转换电路包括一个非门电路和四个与非门电路，三极管Q2的集电极接非门电路的输入端，非门电路的输出端分四路接四个与非门电路的一输入端，与非门电路的另一输入端接单片机，四个与非门电路的输出端接可控硅的前级光耦，低电平有效。

【技术特征摘要】
1.一种晶闸管延时投切电路，其特征在于，包括上电延时控制电路和逻辑电平转换电路，所述上电延时控制电路包括三极管Q2，三极管Q2的发射极接地，三极管Q2的基极接电阻R803后分两路，一路经电容C801接地，另一路经并联的电阻R801、二极管D4接+3.3V电源，三极管Q2的集电极经电阻R802接+3.3V电源，三极管Q2的集电极还与逻辑电平转换电路相连，所述逻辑电平转换电路包括一个非门电路和四个与非门电路，三极管Q2的集电极接非门电路的输入端，非门电路的输出端分四路接...

【专利技术属性】
技术研发人员：潘华东，徐祖平，王琴，
申请(专利权)人：扬州博尔特电气技术有限公司，
类型：新型
国别省市：江苏,32