【技术实现步骤摘要】
激光制备硅太阳能电池选择性绒面及发射极的方法
本专利技术主要涉及太阳能电池绒面制备技术,具体是一种激光制备硅太阳能电池选择性绒面及发射极的方法。
技术介绍
随着晶硅太阳能电池市场竞争日益激烈,不断提高硅太阳能电池的效率成为企业保持技术领先同时降低制造成本的主要手段。目前一般硅太阳能电池的制作流程包括硅片制绒、扩散、湿法刻蚀、减反射膜沉积以及丝网印刷和烧结等步骤。硅太阳能发射极、体区及背面电子空穴的复合是制约电池效率的主要因素,减少硅太阳电池背面的少数载流子复合速率是提高太阳能电池转换效率的重要途径。太阳能电池背面的粗糙度与钝化效果呈负相关性,即粗糙度越高钝化效果越差,相应的复合速率越高,硅太阳能电池的开压电流越低;然而电极与硅太阳能电池的接触电阻率与硅片的粗糙度呈正相关,即粗糙度越高接触越好接触电阻率越低,填充因子越高。电池效率=开压×短路电流密度×填充因子,因此在正常制程中无法兼顾开压电流与填充因子。
技术实现思路
本专利技术针对
技术介绍
中存在的问题,提出一种通过激光制备硅太阳能电池选择性绒面及发射极的方法。技术方案:一种激光制备硅太阳能电池选择性绒面及发射极的方法,它包括以下步骤:步骤一:硅片正背表面进行碱抛光;步骤二:对硅片背表面进行激光刻蚀,制备背绒面;步骤三:采用氢氟酸和盐酸的混合液清洗硅片,去除损伤层,形成抛光面;步骤四:背面磷扩散形成重扩区,在激光刻蚀和背面磷扩散后,背绒面与抛光面相比:掺杂方阻低10%,接触电阻率低0.2-0.3mohm/cm2;背绒面具备选择发射极的特点;步骤五:在重扩区外形成背面钝化层;步骤六:背面钝化层使用PECVD法镀背 ...
【技术保护点】
1.一种激光制备硅太阳能电池选择性绒面及发射极的方法,其特征在于它包括以下步骤:步骤一:硅片(1)正背表面进行碱抛光;步骤二:对硅片(1)背表面进行激光刻蚀,制备背绒面(2);步骤三:采用氢氟酸和盐酸的混合液清洗硅片,去除损伤层,形成抛光面(3);步骤四:背面磷扩散形成重扩区(4),在激光刻蚀和背面磷扩散后,背绒面(2)与抛光面(3)相比:掺杂方阻低10%,接触电阻率低0.2‑0.3mohm/cm2;背绒面(2)具备选择发射极的特点;步骤五:在重扩区(4)外形成背面钝化层(5);步骤六:背面钝化层(5)使用PECVD法镀背减反膜(6);步骤七:硅片(1)正面湿法制备绒面;步骤八:正面硼扩散形成PN结(7);步骤九:在PN结(7)外形成正面钝化层(8);步骤十:正面钝化层(8)使用PECVD法镀正减反膜(9);步骤十一:在正减反膜(9)、背减反膜(6)上分别印刷栅线形成正电极(10)、负电极(11);步骤十二:对硅片进行烧结形成太阳能电池(12)。
【技术特征摘要】
1.一种激光制备硅太阳能电池选择性绒面及发射极的方法,其特征在于它包括以下步骤:步骤一:硅片(1)正背表面进行碱抛光;步骤二:对硅片(1)背表面进行激光刻蚀,制备背绒面(2);步骤三:采用氢氟酸和盐酸的混合液清洗硅片,去除损伤层,形成抛光面(3);步骤四:背面磷扩散形成重扩区(4),在激光刻蚀和背面磷扩散后,背绒面(2)与抛光面(3)相比:掺杂方阻低10%,接触电阻率低0.2-0.3mohm/cm2;背绒面(2)具备选择发射极的特点;步骤五:在重扩区(4)外形成背面钝化层(5);步骤六:背面钝化层(5)使用PECVD法镀背减反膜(6);步骤七:硅片(1)正面湿法制备绒面;步骤八:正面硼扩散形成PN结(7);步骤九:在PN结(7)外形成正面钝化层(8);步骤十:正面钝化...
【专利技术属性】
技术研发人员:董超,徐硕贤,叶枫,李云朋,刘玉巧,张耀,陈景,
申请(专利权)人:江苏林洋光伏科技有限公司,
类型:发明
国别省市:江苏,32
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