光控晶闸管电耐久性加速老化筛选试验电路制造技术

本实用新型专利技术公开光控晶闸管电耐久性加速老化筛选试验电路，包括调压器、高压变压器、全波整流桥以及高压衰减电阻器；其中，所述调压器的一次侧和电源相连接，调压器的二次侧和高压变压器的一次侧相连接，高压变压器的二次侧和全波整流桥的输入端相连接，全波整流桥的输出端的正负极之间串接有若干个高压衰减电阻器，全波整流桥的输出端用于和被试光控晶闸管相连接。通过改变正反向阻断电压波形，提高电压峰值，增加严酷程度，缩短试验时间，以达到快速筛选的试验目的。

【技术实现步骤摘要】
光控晶闸管电耐久性加速老化筛选试验电路
本技术涉及电力
，具体涉及一种光控晶闸管电耐久性加速老化筛选试验电路。
技术介绍
大功率晶闸管在高压直流输电、脉冲功率等方面得到了广泛的应用，因此保证产品质量，增强器件的可靠性，提高产品生产效率不可或缺。目前大功率晶闸管器件在国家标准GB/T15291-2015和GB/T-20992中都规定了电耐久性试验。对晶闸管也叫高温交流阻断试验，此试验是在额定的结温下施加正弦全波的重复峰值电压，运行足够长的时间，以考验证器件承受重复峰值电压的能力。高温阻断试验条件：a.器件结温Tjmb.施加电压:器件正反向额定电压的2/3，50Hz的交流全波电压；c.试验时间：t＝1000h。d.试验器件漏电流保护值为400mA目前常用的试验的电路原理图如附图1所示，试验前后应测试器件的正反向重复峰值电压以及对应的正反向重复峰值电流，测试正向峰值电压，门极触发电流。经过试验后器件失效的判据为：ID、IR＞2USL；VT＞1.1USL；IGT＞1.1USL注1：usl为器件的规范上限值2：若某个晶闸管在试验器件丧失了阻断电压的能力，则称该晶闸管失效。现有的试验电路最主要的问题在于，由于试验时间较长，对于数千只器件来讲，如果逐只试验，则需要足够长的时间或需要大量的试验设备或平台，影响器件乃至整体工程的生产周期。
技术实现思路
针对现有技术的不足，本技术的目的旨在提供一种光控晶闸管电耐久性加速老化筛选试验电路，以缩短试验的时间，达到快速筛选的试验目的。为实现上述目的，本技术采用如下技术方案：光控晶闸管电耐久性加速老化筛选试验电路，包括调压器、高压变压器、全波整流桥以及高压衰减电阻器；其中，所述调压器的一次侧和电源相连接，调压器的二次侧和高压变压器的一次侧相连接，高压变压器的二次侧和全波整流桥的输入端相连接，全波整流桥的输出端的正负极之间串接有若干个高压衰减电阻器，全波整流桥的输出端用于和被试光控晶闸管相连接。所述的光控晶闸管电耐久性加速老化筛选试验电路，还包括回路限流电阻器，回路限流电阻器的一端和全波整流桥的输出端的负极相连接，另一端用于和被试光控晶闸管的负极相连接。所述的光控晶闸管电耐久性加速老化筛选试验电路，还包括电流采样电阻器，电流采样电阻器的一端和全波整流桥的输出端的正极相连接，另一端用于和被试光控晶闸管的正极相连接。所述电源为220V交流电源。本技术的有益效果在于：本光控晶闸管电耐久性加速老化筛选试验电路使用时，根据试验条件要求，调节调压器电压，产生电压输出，调压器输出电压经过高压变压器放大产生高电压输出信号，高压信号经过全桥整流后，产生双正弦半波高压输出信号施加于被试验器件两端，衰减电路将输出信号经过若干电阻或电位器衰减为低电压信号传送给控制板以用于控制、显示及保护等。也就是说，通过改变正反向阻断电压波形，提高电压峰值，增加严酷程度，缩短试验时间，以达到快速筛选的试验目的。附图说明图1为现有技术的光控晶闸管电耐久性加速老化筛选试验电路的原理图；图2为本技术实施例提供的光控晶闸管电耐久性加速老化筛选试验电路的原理图。具体实施方式下面，结合附图以及具体实施方式，对本技术做进一步描述：参阅图2所示，本实施例提供的光控晶闸管电耐久性加速老化筛选试验电路包括调压器T1、高压变压器T2、全波整流桥VD1-VD4以及高压衰减电阻器R1,R2,R3…Rn。其中该调压器T1的一次侧和220V交流电源相连接，调压器T1的二次侧和高压变压器T2的一次侧相连接，调压器T1通过一个在同一铁芯上自身短路的动线圈，沿铁芯柱上下移动，以改变另外两个匝数相等而反相串联的线圈的阻抗与电压分配，调节输出电压0-220V至高压变压器T2的一次则中，高压变压器T2的二次侧则和全波整流桥VD1-VD4的输入端相连接，当高压变压器T2的原边绕组(一次侧)施加调压器输出的交流电压时，高压变压器T2产生交变磁场，通过感应在副边组(二次侧)耦合产生交流电压，原副边电压与其匝数成正比，此次根据试验条件要求高压变压器输出的峰值电压值大于技术指标要求即可，全波整流桥VD1-VD4则将高压变压器T2输出的交流电压改变为双正弦半波电压，全波整流桥VD1-VD4的输出端的正负极之间串接有若干个高压衰减电阻器R1,R2,R3…Rn，全波整流桥VD1-VD4的输出端用于和被试光控晶闸管DUT相连接，通过在全波整流桥VD1-VD4的输出端的正负极之间串接有高压衰减电阻器R1,R2,R3…Rn，在高压衰减电阻器R1,R2,R3…Rn的作用下，可将高压信号经过衰减，将输出的电压信号反馈至控制板进行电压峰值取样，峰值保护等处理。本光控晶闸管电耐久性加速老化筛选试验电路使用时，根据试验条件要求，调节调压器电压，产生电压输出，调压器输出电压经过高压变压器放大产生高电压输出信号，高压信号经过全桥整流后，产生双正弦半波高压输出信号施加于被试验器件两端，衰减电路将输出信号经过若干电阻或电位器衰减为低电压信号传送给控制板以用于控制、显示及保护等。也就是说，通过改变正反向阻断电压波形，提高电压峰值，增加严酷程度，缩短试验时间，以达到快速筛选的试验目的。试验方法的内容是：a正反向电压采用双正弦半波；b提高试验正反向电压为80％的VDRM、VRRM；c试验时间为正反向各1小时,d试验器件漏电流保护值为70mA试验前后应测试器件的正反向重复峰值电压以及对应的正反向重复峰值电流，测试正向峰值电压，门极触发电流。经过试验后器件失效的判据为：ID、IR＞2USL；VT＞1.1USL；IGT＞1.1USL注1：usl为器件的规范上限值；2：若某个晶闸管在试验时间内丧失了阻断电压的能力，则称该晶闸管失效。由此可知，通过采用本光控晶闸管电耐久性加速老化筛选试验电路科实现晶闸管出厂时阻断电压能力快速的筛选，在器件出厂前就度过了初期失效期把失效器件剔除，提高器件的使用可靠性同时也可以使器件本身的状态趋于稳定作为本实施例的一种优选，上述的光控晶闸管电耐久性加速老化筛选试验电路，还包括回路限流电阻器R11，回路限流电阻器R11的一端和全波整流桥VD1-VD4的输出端的负极相连接，另一端用于和被试光控晶闸管DUT的负极相连接，以保证被试光控晶闸管DUT损坏短路时不会产生太大的电流作为本实施例的另一种优选，上述的光控晶闸管电耐久性加速老化筛选试验电路还包括电流采样电阻器R21，电流采样电阻器R21的一端和全波整流桥VD1-VD4的输出端的正极相连接，另一端用于和被试光控晶闸管DUT的正极相连接，用以电流信号取样，取样信号输入控制板进行进行峰值取样，峰值显示及保护等。对本领域的技术人员来说，可根据以上描述的技术方案以及构思，做出其它各种相应的改变以及形变，而所有的这些改变以及形变都应该属于本技术权利要求的保护范围之内。本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.光控晶闸管电耐久性加速老化筛选试验电路，其特征在于，包括调压器、高压变压器、全波整流桥以及高压衰减电阻器；其中，所述调压器的一次侧和电源相连接，调压器的二次侧和高压变压器的一次侧相连接，高压变压器的二次侧和全波整流桥的输入端相连接，全波整流桥的输出端的正负极之间串接有若干个高压衰减电阻器，全波整流桥的输出端用于和被试光控晶闸管相连接。

【技术特征摘要】
1.光控晶闸管电耐久性加速老化筛选试验电路，其特征在于，包括调压器、高压变压器、全波整流桥以及高压衰减电阻器；其中，所述调压器的一次侧和电源相连接，调压器的二次侧和高压变压器的一次侧相连接，高压变压器的二次侧和全波整流桥的输入端相连接，全波整流桥的输出端的正负极之间串接有若干个高压衰减电阻器，全波整流桥的输出端用于和被试光控晶闸管相连接。2.如权利要求1所述的光控晶闸管电耐久性加速老化筛选试验电路，其特征在于...

【专利技术属性】
技术研发人员：梁宁，刘宇，唐金昆，武霁阳，张楠，
申请(专利权)人：中国南方电网有限责任公司超高压输电公司检修试验中心，西安西电电力系统有限公司，
类型：新型
国别省市：广东,44