【技术实现步骤摘要】
各向异性导电膜及其制造方法本申请的原案申请日为2013年8月23日、原案申请号为201380044397.8(国际申请号为PCT/JP2013/072571)、专利技术名称为“各向异性导电膜及其制造方法”的专利申请的分案申请。
本专利技术涉及各向异性导电膜及其制造方法。
技术介绍
在IC芯片等电子部件的安装中广泛使用各向异性导电膜,近年来,从适应高安装密度的角度考虑,为了提高连接可靠性或绝缘性、提高颗粒捕集效率、降低制造成本等,有人提案了将各向异性导电连接用导电颗粒以单层排列在绝缘性粘接层中而获得的各向异性导电膜(专利文献1)。该各向异性导电膜如下制作。即,首先使导电颗粒保持在具有开口的转印模(転写型)的该开口内,从其上方按压形成有转印用粘合层的粘合膜,将导电颗粒一次转印到粘合层上。接下来,相对于附着在粘合层上的导电颗粒按压作为各向异性导电膜的构成要素的高分子膜,并进行加热加压,从而将导电颗粒二次转印到高分子膜表面。接下来,在二次转印有导电颗粒的高分子膜的导电颗粒侧表面形成粘接层使覆盖导电颗粒,从而制成各向异性导电膜。现有技术文献专利文献专利文献1:日本特开201 ...
【技术保护点】
1.各向异性导电膜,其是将由绝缘性树脂构成的第1连接层与第2连接层进行层叠而成的各向异性导电膜,其中,第1连接层中排列有导电颗粒,第1连接层中的导电颗粒附近的绝缘性树脂在第2连接层的方向具有起伏。
【技术特征摘要】
2012.08.24 JP 2012-1848331.各向异性导电膜,其是将由绝缘性树脂构成的第1连接层与第2连接层进行层叠而成的各向异性导电膜,其中,第1连接层中排列有导电颗粒,第1连接层中的导电颗粒附近的绝缘性树脂在第2连接层的方向具有起伏。2.权利要求1所述的各向异性导电膜,其中,第1连接层中的导电颗粒孤立地排列。3.权利要求1或2所述的各向异性导电膜,其中,第1连接层中的导电颗粒附近的绝缘性树脂形成山型。4.权利要求1~3中任一项所述的各向异性导电膜,其中,导电颗粒陷入第2连接层中。5.权利要求1~3中任一项所述的各向异性导电膜,其中,导电颗粒暴露在第2连接层的表面。6.权利要求1~5中任一项所述的各向异性导电膜,其中,第1连接层中的导电颗粒附近的绝缘性树脂相对于各向异性导电膜的平面方向呈倾斜。7.权利要求1~6中任一项所述的各向异性导电膜,其中,在与第2连接层相反侧的第1连接层的表面,层叠有由绝缘性树脂构成的第3连接层。8.连接结构体,其是利用权利要求1~7中任一项所述的各向异性导电膜将第1电子部件与第2电子部件进行各向异性导电连接而形成的...
【专利技术属性】
技术研发人员:筱原诚一郎,
申请(专利权)人:迪睿合电子材料有限公司,
类型:发明
国别省市:日本,JP
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