【技术实现步骤摘要】
金属网格大功率垂直腔面发射激光器
本专利技术属于半导体激光器设计及制造领域，特别是涉及一种金属网格大功率垂直腔面发射激光器。
技术介绍
垂直腔面发射激光器(VCSEL)是以砷化镓半导体材料为基础研制，有别于发光二极管(LED)和激光二极管(LD)等其他光源，具有体积小、圆形输出光斑、单纵模输出、阈值电流小、价格低廉、易集成为大面积阵列等优点，广泛应用于光通信、光互连、光存储等领域。垂直腔面发射激光器(VCSEL)是一种垂直表面出光的新型激光器，与传统边发射激光器不同的结构带来了许多优势：小的发散角和圆形对称的远、近场分布使其与光纤的耦合效率大大提高，而不需要复杂昂贵的光束整形系统，现已证实与多模光纤的耦合效率竟能大于90%；光腔长度极短，导致其纵模间距拉大，可在较宽的温度范围内实现单纵模工作，动态调制频率高；可以在片测试，极大地降低了开发成本；出光方向垂直衬底，可以很容易地实现高密度二维面阵的集成，实现更高功率输出，并且因为在垂直于衬底的方向上可并行排列着多个激光器，所以非常适合应用在并行光传输以及并行光互连等领域，它以空前的速度成功地应用于单通道和并行光互联，以...
【技术保护点】
1.一种金属网格大功率垂直腔面发射激光器，其特征在于，所述垂直腔面发射激光器具有发射孔以及上电极结构，所述上电极结构包括外围电极以及多根栅线电极，其中，所述外围电极设置于所述发射孔的外周，所述多根栅线电极与所述外围电极相连且延伸至所述发射孔之内。
【技术特征摘要】
1.一种金属网格大功率垂直腔面发射激光器，其特征在于，所述垂直腔面发射激光器具有发射孔以及上电极结构，所述上电极结构包括外围电极以及多根栅线电极，其中，所述外围电极设置于所述发射孔的外周，所述多根栅线电极与所述外围电极相连且延伸至所述发射孔之内。2.根据权利要求1所述的金属网格大功率垂直腔面发射激光器，其特征在于：所述多根栅线电极间隔连接于所述外围电极上，并朝所述发射孔的中心延伸。3.根据权利要求2所述的金属网格大功率垂直腔面发射激光器，其特征在于：所述栅线电极的宽度自所述外围电极朝所述发射孔内部逐渐减小。4.根据权利要求1、2或3所述的金属网格大功率垂直腔面发射激光器，其特征在于：所述上电极结构还包括若干根栅线连接电极，所述栅线连接电极设置于所述发射孔内，且与所述多根栅线电极中的若干根相连。5.根据权利要求4所述的金属网格大功率垂直腔面发射激光器，其特征在于：所述发射孔为圆形发射孔，所述栅线电极自所述外围电极朝所述发射孔的圆心延伸，所述栅线连接电极为圆环形栅线连接电极，所述圆环形栅线连接电极自所述外围电极朝所述发射孔的圆心方向直径逐渐减小。6.根据权利要求1所述的金属网格大功率垂直腔面发射激光器，其特征在于：所述多根栅线电极间隔连接于所述外围电极上，并在所述发射孔内平行排布。7.根据权利要求6所述的金属网格大功率垂直腔面发射激光器，其特征在于：所述多根栅线电极形成偏振结构，通过调节多根栅线电极之间的间距，以调节所述垂直腔面发射激光器的出射光线的偏振度。8.根据权利要求7所述的金属网格大功率垂直腔面发射激光器，其特征在于：任意相邻的两根栅线电极之间的间距范围介于4微米~30微米之间。9.根据权利要求1、6、7或8所述的金属网格大功率垂直腔面发射激光器，其特征在于：所述栅线电极的宽度范围介于0.1微米~2微米之间，高度范围介于100纳米~5微米之间。10.根据权利要求1所述的金属网格大功率垂直腔面发射激光器，其特征在于：所述栅线电极的数量不小于2根。11.根据权利要求1所述的金属网格大功率垂直腔面发射激光器，其特征在于：所述发射孔的径向宽度不小于15微米。12.根据权利要求1所述的金属网格大功率垂直腔面发射激光器，其特征在于：所述多根栅线电极与所述垂直腔面发射激光器的发射孔区域内的衬底、P型导电反射镜或N型导电反射镜形成欧姆接触。13.根据权利要求12所述的金属网格大功率垂直腔面发射激光器，其特征在于：所述垂直腔面发射激光器为正面发射结构，所述垂直腔面发射激光器还包括：衬底，所述衬底的背面具有下电极结构；N型导电下反射镜，位于所述衬底之上；有源层，位于所述N型导电下反射镜之上；P型导电上反射镜，位于所述有源层之上，所述P型导电...
【专利技术属性】
技术研发人员：梁栋，刘嵩，
申请(专利权)人：常州纵慧芯光半导体科技有限公司，
类型：发明
国别省市：江苏,32
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