一种射频前端端口复用电路制造技术

本发明专利技术公开一种射频前端端口复用电路，包括射频端口和控制端口；所述控制端口的一端与控制信号输入端连接，另一端与射频端口、射频前端设备的被复用端口连接，所述被复用端口与射频前端设备的内部电路连接。本发明专利技术将射频前端设备的一个端口复用为一个射频端口和一个控制端口，实现了同一个端口两个应用，使射频前端设备的原有端口在作为正常射频通路的前提下还可以充当控制端口使用，采用本发明专利技术可以同时对射频前端设备的多个端口进行复用，有效解决了随着射频前端设备面积越来越小，功能越来越复杂，端口数量不够的问题。

【技术实现步骤摘要】
一种射频前端端口复用电路
本专利技术涉及射频前端
，尤其涉及一种射频前端端口复用电路。
技术介绍
随着通信技术的不断发展，人们对射频前端设备(RFFE)(诸如功率放大器、有源天线调谐器、低噪声放大器和天线开关等)的需求不断增加，射频前端设备的面积越来越小，功能却越来越复杂，需要的端口数量也越来越多，但是，由于射频前端设备的面积较小等因素限制，射频前端设备的端口数量并不能无限增多，无法满足发展需要。
技术实现思路
本专利技术的目的在于通过一种射频前端端口复用电路，来解决以上
技术介绍
部分提到的问题。为达此目的，本专利技术采用以下技术方案：一种射频前端端口复用电路，该电路包括射频端口和控制端口；所述控制端口的一端与控制信号输入端连接，另一端与射频端口、射频前端设备的被复用端口连接，所述被复用端口与射频前端设备的内部电路连接。特别地，所述控制信号输入端为高电平、低电平以及悬空状态的任一种。特别地，所述射频端口复用电路还包括外部隔直电容；所述外部隔直电容的一端与射频端口连接，另一端与控制端口、被复用端口连接，控制端口的一端与控制信号输入端连接。特别地，所述射频端口复用电路还包括外部隔离电阻、外部隔离电感的任一种以及外部隔直电容；所述外部隔离电阻或外部隔离电感的一端连接控制端口，另一端与外部隔直电容的一端、射频前端设备的被复用端口连接，所述外部隔直电容的另一端与射频端口连接。特别地，所述射频前端设备的内部电路包括内部隔离电阻、内部隔离电感的任一种以及数字控制模块、射频前端主电路；所述内部隔离电阻或内部隔离电感的一端数字控制模块连接，另一端与射频前端设备的被复用端口、射频前端主电路连接。特别地，所述射频前端设备的内部电路还包括内部隔直电容；所述内部隔直电容的一端与射频前端主电路连接，另一端与内部隔离电阻或内部隔离电感的一端、射频前端设备的被复用端口连接，内部隔离电阻或内部隔离电感的另一端与数字控制模块连接。特别地，所述数字控制模块采用但不限于GPIO接口、MIPI接口、I2C的任一种。特别地，所述射频前端设备包括但不限于低噪声放大器、功率放大器、射频开关、滤波器、双工器。本专利技术提出的射频前端端口复用电路将射频前端设备的一个端口复用为一个射频端口和一个控制端口，实现了同一个端口两个应用，使射频前端设备的原有端口在作为正常射频通路的前提下还可以充当控制端口使用，采用本专利技术可以同时对射频前端设备的多个端口进行复用，有效解决了随着射频前端设备面积越来越小，功能越来越复杂，端口数量不够的问题。附图说明图1为本专利技术实施例一提供的射频前端端口复用电路结构图；图2为本专利技术实施例二提供的射频前端端口复用电路结构图；图3为本专利技术实施例三提供的射频前端端口复用电路结构图。具体实施方式为了便于理解本专利技术，下面将参照相关附图对本专利技术进行更全面的描述。附图中给出了本专利技术的较佳实施例。但是，本专利技术可以以许多不同的形式来实现，并不限于本文所描述的实施例。相反地，提供这些实施例的目的是使对本专利技术的公开内容理解的更加透彻全面。需要说明的是，当一个元件被认为是“连接”另一个元件，它可以是直接连接到另一个元件或者可能同时存在居中元件。除非另有定义，本文所使用的所有的技术和科学术语与属于本专利技术的
的技术人员通常理解的含义相同。本文中在本专利技术的说明书中所使用的术语只是为了描述具体的实施例的目的，不是旨在于限制本专利技术。本文所使用的术语“及/或”包括一个或多个相关的所列项目的任意的和所有的组合。本实施例中射频前端端口复用电路具体包括射频端口和控制端口；所述控制端口的一端与控制信号输入端连接，另一端与射频端口、射频前端设备的被复用端口连接，所述被复用端口与射频前端设备的内部电路连接。在本实施例中所述控制信号输入端为高电平、低电平以及悬空状态的任一种。下面结合具体实施例对本专利技术进一步说明如下：实施例一：如图1所示，在本实施中射频前端端口复用电路包括外部隔直电容C1；所述外部隔直电容C1的一端与射频端口S1连接，另一端与控制端口K1、被复用端口D1连接，控制端口K1的一端与控制信号输入端连接；所述射频前端设备100的内部电路包括内部隔离电阻R2、内部隔直电容C2、数字控制模块101、射频前端主电路102；所述内部隔直电容C2的一端与射频前端主电路102连接，另一端与内部隔离电阻R2的一端、射频前端设备100的被复用端口D1连接，内部隔离电阻R2的另一端与数字控制模块101连接。其中，所述内部隔离电阻R2可以替换为内部隔离电感，所述内部隔离电阻R2的阻值、内部隔离电感的感值均需较大，具体规格根据实际应用而定。所述数字控制模块101采用但不限于GPIO(GeneralPurposeInputOutput，通用输入/输出)接口、MIPI(MobileIndustryProcessorInterface，移动产业处理器接口)、I2C(Inter-IntegratedCircuit)等的任一种。工作时，射频端口S1实现正常射频应用，通过控制端口K1给射频前端设备100的内部电路写控制字或更改内部数字控制模块101的寄存器地址等，将射频前端设备100的一个端口复用为一个射频端口S1和一个控制端口K1，实现了同一个端口两个应用。实施例二：如图2所示，在本实施中射频前端端口复用电路包括外部隔离电阻R3、外部隔直电容C3；所述外部隔离电阻R3的一端连接控制端口K1，另一端与外部隔直电容C3的一端、射频前端设备200的被复用端口D2连接，所述外部隔直电容C3的另一端与射频端口S2连接；所述射频前端设备200的内部电路包括内部隔离电阻R4、内部隔直电容C4、数字控制模块201、射频前端主电路202；所述内部隔直电容C4的一端与射频前端主电路202连接，另一端与内部隔离电阻R4的一端、射频前端设备200的被复用端口D2连接，内部隔离电阻R4的另一端与数字控制模块201连接。其中，所述外部隔离电阻R3可以替换为外部隔离电感，所述外部隔离电阻R3的阻值、外部隔离电感的感值均需较大，所述内部隔离电阻R4可以替换为内部隔离电感，所述内部隔离电阻R4的阻值、内部隔离电感的感值均需较大，具体规格根据实际应用而定。所述数字控制模块201采用但不限于GPIO(GeneralPurposeInputOutput，通用输入/输出)接口、MIPI(MobileIndustryProcessorInterface，移动产业处理器接口)、I2C(Inter-IntegratedCircuit)等的任一种。工作时，射频端口S2实现正常射频应用，通过控制端口K1给射频前端设备200的内部电路写控制字或更改内部数字控制模块201的寄存器地址等，将射频前端设备200的一个端口复用为一个射频端口S2和一个控制端口K1，实现了同一个端口两个应用。实施例三：如图3所示，通过本专利技术提出的射频前端端口复用电路可以实现多个射频前端端口(D3，D4，D5，D6)的复用，由于实现复用的原理相同，因此，下面仅以两个射频前端端口(D3，D4)复用为例进行说明，在本实施中射频前端端口复用电路包括外部隔离电阻R5、外部隔直电容C5、外部隔离电阻R6、外部隔直电容C6；所述外部隔离电阻R5的一端连接控制端口K3，另一端与外部隔直电容C5的一本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种射频前端端口复用电路，其特征在于，包括射频端口和控制端口；所述控制端口的一端与控制信号输入端连接，另一端与射频端口、射频前端设备的被复用端口连接，所述被复用端口与射频前端设备的内部电路连接。

【技术特征摘要】
1.一种射频前端端口复用电路，其特征在于，包括射频端口和控制端口；所述控制端口的一端与控制信号输入端连接，另一端与射频端口、射频前端设备的被复用端口连接，所述被复用端口与射频前端设备的内部电路连接。2.根据权利要求1所述的射频前端端口复用电路，其特征在于，所述控制信号输入端为高电平、低电平以及悬空状态的任一种。3.根据权利要求1所述的射频前端端口复用电路，其特征在于，所述射频端口复用电路还包括外部隔直电容；所述外部隔直电容的一端与射频端口连接，另一端与控制端口、被复用端口连接，控制端口的一端与控制信号输入端连接。4.根据权利要求1所述的射频前端端口复用电路，其特征在于，所述射频端口复用电路还包括外部隔离电阻、外部隔离电感的任一种以及外部隔直电容；所述外部隔离电阻或外部隔离电感的一端连接控制端口，另一端与外部隔直电容的一端、射频前端设备的被复用端口连接，所述外部隔直电容的另一端与射频端口连接。5.根...

【专利技术属性】
技术研发人员：汪伟江，
申请(专利权)人：江苏卓胜微电子股份有限公司，
类型：发明
国别省市：江苏,32