一种切削量可调的锑化镓单晶片侧边打磨设备制造技术

一种切削量可调的锑化镓单晶片侧边打磨设备，包括底座，其左上端设置有柜体，柜体的上端设置有第一直线导轨，第一直线导轨上安装有滑块，滑块与推进机构连接，滑块的上端安装有侧面打磨机构；底座的右上端设置有支撑座，支撑座上设置有第二直线导轨，第二直线导轨上安装有升降座，升降座与升降机构连接实现上下升降，升降座上设置有第二电机，第二电机的输出轴连接真空吸盘，锑化镓单晶片安装在真空吸盘上；它还包括吸尘装置。本发明专利技术结构简单，自动化程度高，能够对2‑5mm厚的锑化镓单晶片进行快速夹装和对锑化镓单晶片侧面进行快速打磨，且对于锑化镓单晶片侧面的切削量可以进行快速调节，提高打磨效率和打磨效果，解决了传统手工打磨不均及效率低等问题。

A Side Grinding Equipment for GaSb Single Wafer with Adjustable Cutting Quantity

A side polishing device for GaSb single wafer with adjustable cutting quantity includes a base, a cabinet body is arranged at the upper left end, a first linear guide rail is arranged at the upper end of the cabinet body, a slide block is installed on the first linear guide rail, and a side polishing mechanism is installed at the upper end of the slide block; a support seat is arranged at the upper right end of the base, and a second linear guide rail is arranged on the support seat. A lifting seat is installed on the second linear guide rail, and the lifting seat is connected with the lifting mechanism to achieve up and down lifting. A second motor is installed on the lifting seat, the output shaft of the second motor is connected with a vacuum sucker, and the GaSb single chip is installed on the vacuum sucker. It also includes a vacuum suction device. The invention has simple structure and high automation, can quickly clamp and grind the side of GaSb single wafer with thickness of 2 5mm, and can quickly adjust the cutting amount of the side of GaSb single wafer, improve the grinding efficiency and grinding effect, and solve the problems of uneven and low efficiency of traditional manual grinding.

【技术实现步骤摘要】
一种切削量可调的锑化镓单晶片侧边打磨设备
本专利技术涉及一种切削量可调的锑化镓单晶片侧边打磨设备。
技术介绍
锑化镓是一种Ⅲ-Ⅴ族化合物半导体材料,对它的研究远不如其他半导体材料(如GaAs,InP等)那样深入。但近些年来这种材料越来越引起人们兴趣,这主要是光纤通信技术的发展,对新器件的潜在需求而引起的。在光通信中为了减少传输中的损耗,总是尽可能采用较长波长的光,最早使用0.8μm波长的光,现在使用1.55μm波长的光。据估计下一代光纤通信将采用更长波长的光。研究表明某些非硅材料光纤在波长为(2～4)μm的范围时传输损耗更小。在所有Ⅲ-Ⅴ族材料中,锑化镓作为衬底材料引起了更多的注意,因为它可以与各种Ⅲ-Ⅴ族材料的三元、四元固熔体合金的晶格常数相匹配,这些材料光谱的范围在(0.8～4.0)μm之间,正好符合要求。另外,利用锑化镓基材料超晶格的带间吸收也可以制造更长波长(8～14)μm范围的探测器。现有仪器中对锑化镓单晶片表面光滑度越来越讲究，而对锑化镓单晶片表面的打磨大多采用手工打磨，手工打磨存在打磨不均匀，打磨效率低等缺陷。
技术实现思路
本专利技术的目的是针对以上问题，提供一种切削量可调的锑化镓单晶片侧边打磨设备，结构简单，自动化程度高，能够对2-5mm厚的锑化镓单晶片进行快速夹装和对锑化镓单晶片侧面进行快速打磨，且对于锑化镓单晶片侧面打磨的切削量可以进行快速调节，提高打磨效率和打磨效果，解决了传统手工打磨不均及效率低等问题。为实现以上目的，本专利技术采用的技术方案是：它包括底座，其左上端设置有柜体，柜体的上端设置有第一直线导轨，第一直线导轨上安装有滑块，滑块与推进机构连接实现左右移动，滑块的上端设置有支撑架，支撑架上安装有侧面打磨机构；侧面打磨机构包括第一电机、与第一电机输出轴相连的转轴、设置在转轴末端的打磨盘；底座的右上端设置有支撑座，支撑座上设置有第二直线导轨，第二直线导轨上安装有升降座，升降座与升降机构连接实现上下升降，升降座上设置有第二电机，第二电机的输出轴连接真空吸盘，锑化镓单晶片安装在真空吸盘上。进一步的，推进机构包括固定设置在滑块左侧的齿条和设置在柜体上端的第四电机，第四电机的输出轴连接齿轮，齿条与齿轮啮合连接。进一步的，升降机构包括滚珠丝杆和第三电机，滚珠丝杆与第三电机的输出轴连接，滚珠丝杆的螺母与升降座固定连接。进一步的，侧面打磨机构和吸尘装置的顶部设置有保护罩。本专利技术的有益效果：本专利技术提供了一种切削量可调的锑化镓单晶片侧边打磨设备，结构简单，自动化程度高，能够对2-5mm厚的锑化镓单晶片进行快速夹装和对锑化镓单晶片侧面进行快速打磨，且对于锑化镓单晶片侧面打磨的切削量可以进行快速调节，提高打磨效率和打磨效果，解决了传统手工打磨不均及效率低等问题。本专利技术第三电机旋转带动滚珠丝杆旋转，使升降座上下升降，升降座上升过程中的同时，第一电机带动打磨盘高速旋转，锑化镓单晶片在上升过程中实现侧面快速打磨，提高了生产效率。本专利技术中第四电机旋转带动齿条左右移动，从而实现打磨盘对锑化镓单晶片打磨厚度的调节，提高打磨效果。附图说明图1为本专利技术的结构示意图。图中所述文字标注表示为：1、滚珠丝杆；2、第三电机；3、第二电机；4、真空吸盘；5、锑化镓单晶片；6、柜体；7、底座；8、第一直线导轨；9、滑块；10、齿条；11、齿轮；12、第四电机；13、支撑架；14、打磨盘；15、转轴；16、第一电机；24、第二直线导轨；26、升降座；27、支撑座；28、保护罩。具体实施方式为了使本领域技术人员更好地理解本专利技术的技术方案，下面结合附图对本专利技术进行详细描述，本部分的描述仅是示范性和解释性，不应对本专利技术的保护范围有任何的限制作用。如图1所示，本专利技术的具体结构为：它包括底座7，其左上端设置有柜体6，柜体的上端设置有第一直线导轨8，第一直线导轨8上安装有滑块9，滑块9与推进机构连接实现左右移动，滑块9的上端设置有支撑架13，支撑架13上安装有侧面打磨机构；侧面打磨机构包括第一电机16、与第一电机输出轴相连的转轴15、设置在转轴末端的打磨盘14；底座7的右上端设置有支撑座27，支撑座27上设置有第二直线导轨24，第二直线导轨24上安装有升降座26，升降座26与升降机构连接实现上下升降，升降座26上设置有第二电机3，第二电机3的输出轴连接真空吸盘4，锑化镓单晶片5安装在真空吸盘4上。优选的，推进机构包括固定设置在滑块9左侧的齿条10和设置在柜体6上端的第四电机12，第四电机12的输出轴连接齿轮11，齿条10与齿轮11啮合连接。优选的，升降机构包括滚珠丝杆1和第三电机2，滚珠丝杆1与第三电机2的输出轴连接，滚珠丝杆1的螺母与升降座26固定连接。优选的，侧面打磨机构和吸尘装置的顶部设置有保护罩28。本专利技术与现有技术相比，具有以下方面的优势：本专利技术结构简单，自动化程度高，能够对2-5mm厚的锑化镓单晶片进行快速夹装和对锑化镓单晶片侧面进行快速打磨，且对于锑化镓单晶片侧面的切削量可以进行快速调节，提高打磨效率和打磨效果，解决了传统手工打磨不均及效率低等问题。本专利技术第三电机旋转带动滚珠丝杆旋转，使升降座上下升降，升降座上升过程中的同时，第一电机带动打磨盘高速旋转，锑化镓单晶片在上升过程中实现侧面快速打磨，提高了生产效率。本专利技术中第四电机旋转带动齿条左右移动，从而实现打磨盘对锑化镓单晶片打磨厚度的调节，提高打磨效果。需要说明的是，在本文中，术语“包括”、“包含”或者其任何其他变体意在涵盖非排他性的包含，从而使得包括一系列要素的过程、方法、物品或者设备不仅包括那些要素，而且还包括没有明确列出的其他要素，或者是还包括为这种过程、方法、物品或者设备所固有的要素。本文中应用了具体个例对本专利技术的原理及实施方式进行了阐述，以上实例的说明只是用于帮助理解本专利技术的方法及其核心思想。以上所述仅是本专利技术的优选实施方式，应当指出，由于文字表达的有限性，而客观上存在无限的具体结构，对于本
的普通技术人员来说，在不脱离本专利技术原理的前提下，还可以做出若干改进、润饰或变化，也可以将上述技术特征以适当的方式进行组合；这些改进润饰、变化或组合，或未经改进将专利技术的构思和技术方案直接应用于其它场合的，均应视为本专利技术的保护范围。本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种切削量可调的锑化镓单晶片侧边打磨设备，其特征在于，它包括底座(7)，其左上端设置有柜体(6)，柜体(6)的上端设置有第一直线导轨(8)，第一直线导轨(8)上安装有滑块(9)，滑块(9)与推进机构连接实现左右移动，滑块(9)的上端设置有支撑架(13)，支撑架(13)上安装有侧面打磨机构；侧面打磨机构包括第一电机(16)、与第一电机(16)输出轴相连的转轴(15)、设置在转轴(15)末端的打磨盘(14)；底座(7)的右上端设置有支撑座(27)，支撑座(27)上设置有第二直线导轨(24)，第二直线导轨(24)上安装有升降座(26)，升降座(26)与升降机构连接实现上下升降，升降座(26)上设置有第二电机(3)，第二电机(3)的输出轴连接真空吸盘(4)，锑化镓单晶片(5)安装在真空吸盘(4)上。

【技术特征摘要】
1.一种切削量可调的锑化镓单晶片侧边打磨设备，其特征在于，它包括底座(7)，其左上端设置有柜体(6)，柜体(6)的上端设置有第一直线导轨(8)，第一直线导轨(8)上安装有滑块(9)，滑块(9)与推进机构连接实现左右移动，滑块(9)的上端设置有支撑架(13)，支撑架(13)上安装有侧面打磨机构；侧面打磨机构包括第一电机(16)、与第一电机(16)输出轴相连的转轴(15)、设置在转轴(15)末端的打磨盘(14)；底座(7)的右上端设置有支撑座(27)，支撑座(27)上设置有第二直线导轨(24)，第二直线导轨(24)上安装有升降座(26)，升降座(26)与升降机构连接实现上下升降，升降座(26)上设置有第二电机(3)，第二电机(3)的输出轴连接...

【专利技术属性】
技术研发人员：王歆，吴秀丽，陈琳，
申请(专利权)人：湖南大合新材料有限公司，
类型：发明
国别省市：湖南,43