微调型高低音喇叭单体制造技术

本实用新型专利技术公开一种微调型高低音喇叭单体，包括有框架、磁气回路组件、振动膜和隔离盖；磁气回路组件设置于框架的中心位置上，框架上位于磁气回路组件的外围设置有镂空结构，且框架上成型有隔离环，隔离环将镂空结构分隔形成至少一高音区和一低音区，高音区靠近磁气回路组件，低音区远离磁气回路组件；振动膜设于框架上并覆盖住磁气回路组件、高音区和低音区，隔离盖与该隔离环的下部连接并位于磁气回路组件的下方，隔离盖于磁气回路组件的下方围成有位于磁气回路组件下方的高音室，隔离盖上设置有贯通高音室与隔离盖外部的通孔；藉此，其使得高低音分隔开，避免高低音混合在一起，同时，对音频进行微调，可进一步提高后续耳机成品的发音品质。

【技术实现步骤摘要】
微调型高低音喇叭单体
本技术涉及喇叭领域技术，尤其是指一种微调型高低音喇叭单体。
技术介绍
耳机根据其换能方式分类，主要有动圈方式、动铁方式、静电式和等磁式。从结构上分开方式进行分类，可分为半开放式和封闭式。从佩戴形式上分类则有耳塞式、挂耳式、入耳式和头戴式。现有的耳机结构主要包括有壳体，该壳体的内部成型有容置腔，该容置腔装设有一扬声器（即喇叭单体），在使用时，由扬声器发出的声音向外传播，声音的传播以发音源为中心向四周传播，离发音源最近的地方音量最高，声音向四周传播而使得音量逐渐降低。然而，现有的耳机中的不同音室的音频不能进行微调，使得耳机的发音品质差。
技术实现思路
有鉴于此，本技术针对现有技术存在之缺失，其主要目的是提供一种微调型高低音喇叭单体，其使得高低音分隔开，避免高低音混合在一起，同时，对音频进行微调，可进一步提高后续耳机成品的发音品质。为实现上述目的，本技术采用如下之技术方案：一种微调型高低音喇叭单体，包括有框架、磁气回路组件、振动膜和隔离盖；该磁气回路组件设置于框架的中心位置上，该框架上位于磁气回路组件的外围设置有镂空结构，且该框架上成型有隔离环，该隔离环将镂空结构分隔形成至少一高音区和一低音区，该高音区靠近磁气回路组件，该低音区远离磁气回路组件；该振动膜设置于框架上并覆盖住磁气回路组件、高音区和低音区，所述隔离盖与该隔离环的下部连接并位于磁气回路组件的下方，所述隔离盖于磁气回路组件的下方围成有位于磁气回路组件下方的高音室，所述隔离盖上设置有贯通高音室与隔离盖外部的通孔。作为一种优选方案，所述通孔处完全敞开，或者，于通孔处覆设有第一阻尼件。作为一种优选方案，所述隔离盖具有盖体部以及于盖体部外周缘一体往上延伸形成的环形侧板部，前述通孔设置于盖体部和/或环形侧板部上。作为一种优选方案，所述通孔设置有两个以上；所有通孔都完全敞开，或者，所有通孔都覆设有第一阻尼件，或者，一个以上的通孔完全敞开而其余通孔覆设有第一阻尼件。作为一种优选方案，进一步包括有盖板，该盖板固定于框架上并覆盖于振动膜的上方，该盖板上设置有音孔。作为一种优选方案，所述磁气回路组件包括轭铁、磁铁和华司，所述轭铁、磁铁和华司均具有沿中心依次正对贯通的透气孔，所述透气孔完全敞开，或者，至少一个透气孔处覆设有第二阻尼件。作为一种优选方案，所述高音区完全敞开，或者，所述高音区处覆设有第三阻尼件。作为一种优选方案，所述低音区完全敞开，或者，所述低音区处覆设有第四阻尼件。作为一种优选方案，所述高音区的上端开口的高度低于低音区的上端开口的高度。本技术与现有技术相比具有明显的优点和有益效果，具体而言，由上述技术方案可知，其主要是通过于框架上成型有隔离环，利用隔离环将镂空结构分隔形成至少一高音区和一低音区，以使得高低音分隔开，避免高低音混合在一起，同时，利用通孔的设置来对音频进行微调，可进一步提高后续耳机成品的发音品质。其中，通孔处可依实际设计需求，而灵活选择是否覆设第一阻尼件，以及，选择不同材质及性能参数的第一阻尼件。为更清楚地阐述本技术的结构特征和功效，下面结合附图与具体实施例来对本技术进行详细说明。附图说明图1是本技术之较佳实施例一的立体组装结构示意图；图2是本技术之较佳实施例一的另一角度立体组装结构示意图；图3是本技术之较佳实施例一的分解图；图4是本技术之较佳实施例一的截面图；图5是本技术之较佳实施例二的截面图；图6是本技术之较佳实施例三的截面图。附图标识说明：101、高音室201、中空安装位202、高音区203、低音区21、框架211、隔离环22、磁气回路组件221、轭铁222、磁铁223、华司224、透气孔23、振动膜24、盖板30、隔离盖301、盖体部302、环形侧板部31、通孔32、第一阻尼件41、第二阻尼件42、第三阻尼件43、第四阻尼件。具体实施方式请参照图1至图6所示，其显示出了本技术之较佳实施例的具体结构，一种微调型高低音喇叭单体包括有框架21、磁气回路组件22、振动膜23和隔离盖30，其中：所述框架21呈圆盘状，该框架21的中心位置上设置有中空安装位201，该磁气回路组件22设置于框架21的中心位置上并位于中空安装位201中，在本实施例中，所述磁气回路组件22包括轭铁221、磁铁222、华司223和音圈，所述轭铁221、磁铁222和华司223均具有沿中心依次正对贯通的透气孔224，所述透气孔224完全敞开，或者，至少一个透气孔224处覆设有第二阻尼件41；优选地，所述轭铁221上透气孔224的下侧覆设第二阻尼件41。所述框架21上位于磁气回路组件22的外围设置有镂空结构，且该框架21上成型有隔离环211，该隔离环211将镂空结构分隔形成至少一高音区202和一低音区203，所述高音区202的上端开口的高度低于低音区203的上端开口的高度；该高音区202和低音区203均呈扇形通槽，该高音区202靠近磁气回路组件22，该低音区203远离磁气回路组件22；在本实施例中，所述高音区202完全敞开，或者，所述高音区202处覆设有第三阻尼件42；所述低音区203完全敞开，或者，所述低音区203处覆设有第四阻尼件43。该振动膜23设置于框架21上并覆盖住磁气回路组件22、高音区202和低音区203。以及，该微调型高低音喇叭单体20还包括有盖板24，该盖板24固定于框架21上并覆盖于振动膜23的上方，该盖板24上设置有音孔。所述隔离盖30与该隔离环211的下部连接并位于磁气回路组件22的下方，在本实施例中，所述隔离环211和隔离盖30之间的连接方式可以为粘接、卡扣组装或者熔接等。所述隔离盖30于磁气回路组件22的下方围成有位于磁气回路组件33下方的高音室101，所述隔离盖30上设置有贯通高音室101与隔离盖30外部的通孔31，需要说明的是，通孔31的排布和数量在此不作限定；所述通孔31处完全敞开，或者，于通孔31处覆设有第一阻尼件32。所述第一阻尼件32设置于通孔31的内侧或外侧；所述第一阻尼件32、第二阻尼件41、第三阻尼件42和第四阻尼件43可以为阻尼网布、阻尼纸或金属网等，在此不作一一列举；需要说明的是，所述通孔31设置有两个以上；所有通孔31都完全敞开，或者，所有通孔31都覆设有第一阻尼件32，或者，一个以上的通孔31完全敞开而其余通孔31覆设有第一阻尼件32。所述隔离盖30具有盖体部301以及于盖体部301外周缘一体往上延伸形成的环形侧板部302，前述通孔31设置于盖体部301和/或环形侧板部302上，如图4至图6所示。本技术的设计重点在于：通过于框架上成型有隔离环，利用隔离环将镂空结构分隔形成至少一高音区和一低音区，以使得高低音分隔开，避免高低音混合在一起，同时，利用通孔的设置来对音频进行微调，可进一步提高后续耳机成品的发音品质。其中，通孔处可依实际设计需求，而灵活选择是否覆设第一阻尼件，以及，选择不同材质及性能参数的第一阻尼件。以上所述，仅是本技术的较佳实施例而已，并非对本技术的技术范围作任何限制，故凡是依据本技术的技术实质对以上实施例所作的任何细微修改、等同变化与修饰，均仍属于本技术技术方案的范围内。本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种微调型高低音喇叭单体，其特征在于：包括有框架、磁气回路组件、振动膜和隔离盖；该磁气回路组件设置于框架的中心位置上，该框架上位于磁气回路组件的外围设置有镂空结构，且该框架上成型有隔离环，该隔离环将镂空结构分隔形成至少一高音区和一低音区，该高音区靠近磁气回路组件，该低音区远离磁气回路组件；该振动膜设置于框架上并覆盖住磁气回路组件、高音区和低音区，所述隔离盖与该隔离环的下部连接并位于磁气回路组件的下方，所述隔离盖于磁气回路组件的下方围成有位于磁气回路组件下方的高音室，所述隔离盖上设置有贯通高音室与隔离盖外部的通孔。

【技术特征摘要】
1.一种微调型高低音喇叭单体，其特征在于：包括有框架、磁气回路组件、振动膜和隔离盖；该磁气回路组件设置于框架的中心位置上，该框架上位于磁气回路组件的外围设置有镂空结构，且该框架上成型有隔离环，该隔离环将镂空结构分隔形成至少一高音区和一低音区，该高音区靠近磁气回路组件，该低音区远离磁气回路组件；该振动膜设置于框架上并覆盖住磁气回路组件、高音区和低音区，所述隔离盖与该隔离环的下部连接并位于磁气回路组件的下方，所述隔离盖于磁气回路组件的下方围成有位于磁气回路组件下方的高音室，所述隔离盖上设置有贯通高音室与隔离盖外部的通孔。2.根据权利要求1所述的微调型高低音喇叭单体，其特征在于：所述通孔处完全敞开，或者，于通孔处覆设有第一阻尼件。3.根据权利要求1所述的微调型高低音喇叭单体，其特征在于：所述隔离盖具有盖体部以及于盖体部外周缘一体往上延伸形成的环形侧板部，前述通孔设置于盖体部和/或环形侧板部上。4.根据权利要求1所述的微调型高低音喇叭...

【专利技术属性】
技术研发人员：温增丰，
申请(专利权)人：东莞泉声电子有限公司，
类型：新型
国别省市：广东,44