【技术实现步骤摘要】
一种超大功率窄脉冲半导体激光电源
本技术涉及一种超大功率窄脉冲半导体激光电源,属于激光器驱动
技术介绍
近年来,随着激光及其相关技术的发展,激光器在如激光切割、激光远程焊接、激光雷达、激光武器等方面的应用越来越深入,人们对大功率高性能激光器的需求也越来越强烈。其中,半导体激光器由于制作简单、成本低、易于大量生产、体积小、重量轻、效率高等众多优点,诞生伊始便是激光领域关注的焦点,其中其大功率电源的研制是该技术研究的重点难点之一。激光电源的种类很多,激光器用途不同,对电源提出的指标也不一样。一般常见的半导体激光器多是采用结电流注入方式进行激励的,其工作介质是半导体面结型二极管,是一种电流型非线性元件,其输出的光强度与其电流密切相关,而且在其较短的工作区内,较小的电压波动都会引起较大倍数电流变化。所以,为控制其发光强度和尽量避免二极管过流烧坏,半导体激光电源都要求是恒流源。另外,当泵浦电流流过激光二极管时,会使PN结温度上升,这将导致激光输出功率下降。所以,为了提高激光器效率,一般大功率的半导体激光电源都要求是窄脉冲输出,并且为达到较好的驱动效果,还要求该脉冲前后沿愈陡愈好。
技术实现思路
本专利技术所要解决的技术问题是:为了解决半导体激光电源输出功率难以做大、输出脉冲前后沿较缓而驱动效果差等问题,提供一种超大功率窄脉冲半导体激光电源。本专利技术为解决上述技术问题采用以下技术方案:一种超大功率窄脉冲半导体激光电源,包括APFC整流单元、LLC一次降压单元、BUCK二次降压单元、APFC采样单元、APFC驱动单元、LLC采样单元、LLC驱动单元、BUCK采样 ...
【技术保护点】
1.一种超大功率窄脉冲半导体激光电源,其特征在于,包括APFC整流单元、LLC一次降压单元、BUCK二次降压单元、APFC采样单元、APFC驱动单元、LLC采样单元、LLC驱动单元、BUCK采样单元、BUCK驱动单元和控制单元;其中,所述APFC整流单元,用于将输入的三相工频交流电进行整流滤波后,输出至所述LLC一次降压单元;所述LLC一次降压单元,用于将整流滤波后的信号一次降压,传输至BUCK二次降压单元;所述BUCK二次降压单元,用于对一次降压后的信号进行二次降压后输出脉冲电源;所述APFC采样单元、LLC采样单元、BUCK采样单元,分别对应用于采集APFC整流单元、LLC一次降压单元、BUCK二次降压单元的电源输入电压、输入电流、输出电压和输出电流信号;将所述信号调理成标准的模数转化器ADC输入信号后通过ADC传递给所述控制单元;所述控制单元由FPGA实现,用于完成APFC采样单元、LLC采样单元、BUCK采样单元发送的电源电压/电流采样数据处理,并分别通过APFC驱动单元、LLC驱动单元、BUCK驱动单元将PWM驱动信号以及故障保护信号对应输出至APFC整流单元、LLC一次降压 ...
【技术特征摘要】
1.一种超大功率窄脉冲半导体激光电源,其特征在于,包括APFC整流单元、LLC一次降压单元、BUCK二次降压单元、APFC采样单元、APFC驱动单元、LLC采样单元、LLC驱动单元、BUCK采样单元、BUCK驱动单元和控制单元;其中,所述APFC整流单元,用于将输入的三相工频交流电进行整流滤波后,输出至所述LLC一次降压单元;所述LLC一次降压单元,用于将整流滤波后的信号一次降压,传输至BUCK二次降压单元;所述BUCK二次降压单元,用于对一次降压后的信号进行二次降压后输出脉冲电源;所述APFC采样单元、LLC采样单元、BUCK采样单元,分别对应用于采集APFC整流单元、LLC一次降压单元、BUCK二次降压单元的电源输入电压、输入电流、输出电压和输出电流信号;将所述信号调理成标准的模数转化器ADC输入信号后通过ADC传递给所述控制单元;所述控制单元由FPGA实现,用于完成APFC采样单元、LLC采样单元、BUCK采样单元发送的电源电压/电流采样数据处理,并分别通过APFC驱动单元、LLC驱动单元、BUCK驱动单元将PWM驱动信号以及故障保护信号对应输出至APFC整流单元、LLC一次降压单元、BUCK二次降压单元。2.如权利要求1所述的一种超大功率窄脉冲半导体激光电源,其特征在于,所述APFC整流单元中包括缓起电路、输入滤波电感、APFC电感、APFC整流电路和整流输出滤波电容,其中:三相工频交流电依次通过缓起电路、输入滤波电感、APFC电感、APFC整流电路、整流输出滤波电容输出至LLC一次降压单元。3.如权利要求2所述的一种超大功率窄脉冲半导体激光电源,其特征在于,APFC整流单元中,所述整流输出滤波电容由两个电容串联而成。4.如权利要求2所述的一种超大功率窄脉冲半导体激光电源,其特征在于,所述LLC一次降压单元包括第一功率开关管(K1),第二功率开关管(K2),第一电感(L1),第二电感(L2),第一二极管(D1),第二二极管(D2),第三二极管(D3),第四二极管(D4),第一电容(C1...
【专利技术属性】
技术研发人员:韩启祥,
申请(专利权)人:江苏德嘉源电子科技有限公司,
类型:新型
国别省市:江苏,32
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