一种负升压电路、半导体器件及电子装置制造方法及图纸

本发明专利技术提供一种负升压电路、半导体器件及电子装置。该负升压电路包括主升压单元，配置为产生基本偏压信号；副升压单元，配置为与所述主升压单元并联连接，用于产生附加偏压信号，以与所述基本偏压信号共同形成所述负偏压；电压检测器，配置基于所述负升压电路输出端的电压产生作用于所述副升压单元的电压检测信号，所述电压检测信号使所述副升压单元产生所述附加偏压信号；其中，所述副升压单元的数量大于等于2，且每个所述副升压单元均对应设置有所述电压检测器。本发明专利技术的负升压电路可以降低VCC、温度和工艺对负偏压的影响，缩小各工作条件负偏压的差距。本发明专利技术的半导体器件和电子装置具有更好的读操作性能。

【技术实现步骤摘要】
一种负升压电路、半导体器件及电子装置
本专利技术涉及半导体
，具体而言涉及一种负升压电路、半导体器件及电子装置。
技术介绍
P型多次可编程(MTP)存储器具有编程、擦除和读多种操作，在读操作期间其需要-1.5*VCC的负偏压。该负偏压一般通过负升压电路(negativeboostcircuit)生成，并且该偏压的电平受工作电压VCC、温度和工艺变化(即工艺角)影响，从而影响了P型多次可编程(MTP)存储器的性能。因此，有必要提出一种负升压电路、半导体器件及电子装置，以解决至少部分解决上述问题。
技术实现思路
在
技术实现思路
部分中引入了一系列简化形式的概念，这将在具体实施方式部分中进一步详细说明。本专利技术的
技术实现思路
部分并不意味着要试图限定出所要求保护的技术方案的关键特征和必要技术特征，更不意味着试图确定所要求保护的技术方案的保护范围。为了克服目前存在的问题，本专利技术一方面提供一种负升压电路，用于生成负偏压，该负升压电路包括：主升压单元，所述主升压单元配置为产生基本偏压信号；副升压单元，所述副升压单元配置为与所述主升压单元并联连接，用于产生附加偏压信号，以与所述基本偏压信号共同本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种负升压电路，用于生成负偏压，其特征在于，包括：主升压单元，所述主升压单元配置为产生基本偏压信号；副升压单元，所述副升压单元配置为与所述主升压单元并联连接，用于产生附加偏压信号，以与所述基本偏压信号共同形成所述负偏压；电压检测器，所述电压检测器配置为检测所述负升压电路输出端的电压，以基于所述负升压电路输出端的电压产生作用于所述副升压单元的电压检测信号，并且在所述负升压电路输出端的电压的绝对值低于所述电压检测器的设定阈值的绝对值时，所述电压检测信号使所述副升压单元产生所述附加偏压信号；其中，所述副升压单元的数量大于等于2，且每个所述副升压单元均对应设置有所述电压检测器。

【技术特征摘要】
1.一种负升压电路，用于生成负偏压，其特征在于，包括：主升压单元，所述主升压单元配置为产生基本偏压信号；副升压单元，所述副升压单元配置为与所述主升压单元并联连接，用于产生附加偏压信号，以与所述基本偏压信号共同形成所述负偏压；电压检测器，所述电压检测器配置为检测所述负升压电路输出端的电压，以基于所述负升压电路输出端的电压产生作用于所述副升压单元的电压检测信号，并且在所述负升压电路输出端的电压的绝对值低于所述电压检测器的设定阈值的绝对值时，所述电压检测信号使所述副升压单元产生所述附加偏压信号；其中，所述副升压单元的数量大于等于2，且每个所述副升压单元均对应设置有所述电压检测器。2.根据权利要求1所述的负升压电路，其特征在于，每个所述电压检测器具有不同的设定阈值。3.根据权利要求1所述的负升压电路，其特征在于，在所述负升压电路输出端的电压的绝对值高于所述电压检测器的设定阈值的绝对值时，所述电压检测信号使所述副升压单元不产生所述附加偏压信号。4.根据权利要求1-3中的任意一项所述的负升压电路，其特征在于，所述副升压单元包括：第一副升压单元，所述第一副升压单元配置为与所述主升压单元并联连接，用于产生第一附加偏压信号，以与所述基本偏压信号共同形成所述负偏压；第二副升压单元，所述第二副升压单元配置为与所述主升压单元并联连接，用于产生第二附加偏压信号，以与所述基本偏压信号共同形成所述负偏压；第三副升压单元，所述第三副升压单元配置为与所述主升压单元并联连接，用于产生第三附加偏压信号，以与所述基本偏压信号共同形成所述负偏压。5.根据权利要求4所述的负升压电路，其特征在于，所述电压检测器包括：第一电压检测器，所述第一电压检测器配置为基于所述负升压电路...

【专利技术属性】
技术研发人员：权彝振，倪昊，刘晓艳，
申请(专利权)人：中芯国际集成电路制造上海有限公司，中芯国际集成电路制造北京有限公司，
类型：发明
国别省市：上海,31