参考电压电路、终端装置及其操作方法制造方法及图纸

本发明专利技术提供一种参考电压电路、终端装置及其操作方法。所述参考电压电路包括：第一电流偏置电路，包括第一节点；第二电流偏置电路，包括多个NMOS晶体管及第二节点；以及放大器，被配置成输出参考电压，所述参考电压具有与所述第二电压相同的值。所述多个NMOS晶体管包括第一NMOS晶体管及第二NMOS晶体管，所述第一NMOS晶体管连接到所述第一节点，且所述多个NMOS晶体管连接到所述第二节点且被配置成基于所述第一节点的第一电压来执行亚阈值操作以在所述第二节点处产生第二电压。

【技术实现步骤摘要】
参考电压电路、终端装置及其操作方法[相关申请的交叉参考]本申请主张在2017年7月19日在韩国知识产权局提出申请的韩国专利申请第10-2017-0091601号的优先权，所述韩国专利申请的公开内容全文并入本申请供参考。
根据示例性实施例的方法及设备涉及一种半导体装置，且更具体来说，涉及一种包括利用亚阈值电流由超低功率驱动的参考电压电路的终端装置。
技术介绍
已开发出其中能量消耗是关键指标的应用。这些能量受限应用(energy-constrainedapplication)可需要低的活动率(activityrate)及低的速度。另外，这些应用可需要长的电池寿命(例如，一年或多于一年)。举例来说，对于植入在活体中且提供位置信息的传感器而言，能量消耗可能是所关注的问题。由这种传感器提供的位置信息可经由通信网络被提供到远程装置(例如，服务器)。远程装置可基于由传感器提供的位置信息来对活体的位置进行估计。具体来说，当将传感器植入在动物体内时，内部电池可提供驱动功率，且传感器必须持续地接通。因此，需要一种使传感器的驱动功率最小化的方法。
技术实现思路
根据示例性实施例的一方面，提供一种参考电压电路，本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种参考电压电路，其特征在于，包括：第一电流偏置电路，包括第一节点；第二电流偏置电路，包括多个NMOS晶体管及第二节点，其中所述多个NMOS晶体管包括第一NMOS晶体管及第二NMOS晶体管，所述第一NMOS晶体管连接到所述第一节点，且所述多个NMOS晶体管中的每一者连接到所述第二节点且被配置成基于所述第一节点的第一电压来执行亚阈值操作以在所述第二节点处产生第二电压；以及放大器，被配置成输出参考电压，所述参考电压具有与所述第二电压相同的值。

【技术特征摘要】
2017.07.19 KR 10-2017-00916011.一种参考电压电路，其特征在于，包括：第一电流偏置电路，包括第一节点；第二电流偏置电路，包括多个NMOS晶体管及第二节点，其中所述多个NMOS晶体管包括第一NMOS晶体管及第二NMOS晶体管，所述第一NMOS晶体管连接到所述第一节点，且所述多个NMOS晶体管中的每一者连接到所述第二节点且被配置成基于所述第一节点的第一电压来执行亚阈值操作以在所述第二节点处产生第二电压；以及放大器，被配置成输出参考电压，所述参考电压具有与所述第二电压相同的值。2.根据权利要求1所述的参考电压电路，其特征在于，所述第一电流偏置电路被配置成基于具有与绝对温度互补特性的第一电流产生所述第一节点的所述第一电压。3.根据权利要求1所述的参考电压电路，其特征在于，所述第一电流偏置电路包括PNP双极晶体管，所述PNP双极晶体管包括射极、基极及集电极，其中所述射极连接到所述第一节点，且所述基极及所述集电极连接到地电压，且其中所述PNP双极晶体管的基极-射极电压被提供作为所述第一节点的所述第一电压。4.根据权利要求1所述的参考电压电路，其特征在于，所述第一电流偏置电路包括二极管，所述二极管包括与所述第一节点连接的阳极以及与地电压连接的阴极，且其中所述二极管的正向电压被提供作为所述第一节点的所述第一电压。5.根据权利要求1所述的参考电压电路，其特征在于，所述放大器还被配置成产生输出电流，所述输出电流具有与在所述第一电流偏置电路中流动的电流相同的值。6.根据权利要求1所述的参考电压电路，其特征在于，第一电流路径包括所述第二节点，且其中所述放大器包括第二电流路径，所述第二电流路径包括第三节点，所述第三节点是与所述第二节点对称的且是所述参考电压电路的输出节点并输出所述参考电压。7.根据权利要求1所述的参考电压电路，其特征在于，所述第二电流偏置电路被配置成基于具有与绝对温度成正比特性的电流产生所述第二电压。8.根据权利要求1所述的参考电压电路，其特征在于，所述第一NMOS晶体管包括与所述第一节点连接的第一NMOS晶体管栅极、与电源电压连接的第一NMOS晶体管漏极以及第一NMOS晶体管源极，且其中所述第二NMOS晶体管包括第二NMOS晶体管栅极、第二NMOS晶体管漏极以及与地电压连接的第二NMOS晶体管源极，其中所述第一NMOS晶体管源极连接到所述第二NMOS晶体管栅极以及所述第二NMOS晶体管漏极。9.根据权利要求8所述的参考电压电路，其特征在于，所述第一NMOS晶体管与所述第二NMOS晶体管之间的连接节点是所述第二节点且输出所述第二电压。10.根据权利要求8所述的参考电压电路，其特征在于，所述第二电流偏置电路还包括：第三NMOS晶体管，包括与所述第二NMOS晶体管栅极及所述第二NMOS晶体管漏极连接的第三NMOS晶体管栅极、与所述电源电压连接的第三NMOS晶体管漏极以及第三NMOS晶体管源极，以及第四NMOS晶体管，包括第四NMOS晶体管栅极及第四NMOS晶体管漏极以及与所述地电压连接的第四NMOS晶体管源极，其中所述第三NMOS晶体管源极连接到所述第四NMOS晶体管栅极及所述第四NMOS晶体管漏极。11.根据权利要求10所述的参考电压电路，其特征在于，所述第二节点位于所述第三NMOS晶体管与所述第四NMOS晶体管之间。12.根据权利要求10所述的参考电压电路，其特征在于，所述第二电流偏置电路还包括：第五NMOS晶体管，包括与所述第四NMOS晶体管栅极及所述第四NMOS晶体管漏极连接的第五NMOS晶体管栅极、与所述放大器连接的第五NMOS晶体管漏极以及第五NMOS晶体管源极；以及第六NMOS晶体管，包括第六NMOS晶体管栅极及第六NMOS晶体管漏极以及与所述地电压连接的第六NMOS晶体管源极，其中所述第五NMOS晶体管源极连接到所述第六NMOS晶体管栅极及所述第六NMOS晶体管漏极，且其中所述第二节点位于所述第五NMOS晶体管...

【专利技术属性】
技术研发人员：吴承贤，张宇镇，李宗祐，
申请(专利权)人：三星电子株式会社，
类型：发明
国别省市：韩国,KR